Концентрация - подвижной носитель
Cтраница 1
Концентрации подвижных носителей меняются не по тому же закону, что и концентрации примесей, но между двумя областями с электронной и дырочной электропроводностью обязательно должен существовать некоторый переходный слой, свойства которого отличаются от свойств дырочного и электронного полупроводников. Такая область между частями полупроводника р - и n - типов называется электронно-дырочным переходом, или p - n - переходом. Электронно-дырочный переход является составной частью большинства важнейших полупроводниковых приборов, поэтому рассмотрению его свойств мы уделим особое внимание. [1]
 |
Влияние ограничения скорости дрейфа носителей на распределение пространственного заряда в области коллекторного перехода и на положение его границ. [2] |
Пока концентрация подвижных носителей в области пространственного заряда достаточно мала, их присутствие почти не скажется на границах этой области. [3]
Зависимость концентрации подвижных носителей заряда в полупроводнике я-типа от температуры показана на рис. 1 - 9, а. В области низких температур на участке а - б полупроводник имеет только примесную проводимость. Концентрация собственных носителей заряда очень мала. [4]
Первое - это изменение концентрации подвижных носителей заряда вблизи поверхности полупроводника. [5]
Если в результате внешнего воздействия концентрация подвижных носителей заряда в полупроводнике окажется меньше термодинамически равновесной, то тепловые генерационные процессы возвращают систему в состояние нового термодинамического равновесия. Эти процессы могут носить как монополярный, так и биполярный характер и определяться как поверхностными, так и объемными генерационными механизмами. [6]
 |
Распределение дырок в базе диода в различные мо менты времени после прило - о 5 ження импульса прямого тока ( координата х. - в единицах L0. [7] |
Поскольку проводимость полупроводника прямо пропорциональна концентрации подвижных носителей заряда, то понятно, что при протекании прямого тока удельное сопротивление областей базы, примыкающих к р-п переходу, снижается по сравнению с тем значением, которое было без накопленного заряда. [8]
Время жизни носителей зависит от концентрации подвижных носителей противоположного знака и некоторых других факторов. [9]
Существование электронно-дырочного перехода обусловлено различием в концентрации подвижных носителей заряда электронной и дырочной областей. [10]
 |
Зависимость логарифма концентрации электронов. п ( 1 / п от 1 / Г в полупроводнике п-тнаа. [11] |
Изменение происходит как за счет изменения концентрации подвижных носителей п, так и за счет изменения характера их рассеяния. [12]
Рассмотрим, как изменяются со временем концентрации подвижных носителей заряда в базе диода. [14]
 |
Электронный полупроводник. модель кристаллической решетки ( а. энергетическая диаграмма ( б. [15] |
Страницы: 1 2 3 4 5