Концентрация - подвижной носитель
Cтраница 2
Для сравнения отметим, что в металле концентрация подвижных носителей заряда ( электронов) равна примерно 1022 см-3. Этим и объясняется высокая удельная проводимость металлов по сравнению с полупроводниками. [16]
Как известно, проводимость полупроводникового вещества определяется концентрацией подвижных носителей, а также их подвижностью. В полупроводниковом веществе с п - или / э-проводимостью наряду с образованием обоих типов носителей происходит их рекомбинация. Случайные изменения концентрации подвижные носителей вызывают случайные изменения проводимости. [17]
Как известно, проводимость полупроводникового вещества определяется концентрацией подвижных носителей, а также их подвижностью. В полупроводниковом веществе с п - или р-проводимостью наряду с образованием обоих типов носителей происходит их рекомбинация. Случайные изменения концентрации подвижны носителей вызывают случайные изменения проводимости. [18]
Этим полупроводник отличается от металла, в котором концентрация подвижных носителей остается болшой при сколь угодно низкой температуре. [19]
ПОЛУПРОВОДНИКИ - широкий класс веществ, в к-рых концентрация подвижных носителей заряда значительно ниже, чем концентрация атомов, и может изменяться под влиянием темп-ры, освещения или относительно малого кол-ва примесей. [20]
Контактная разность потенциалов на границе металл - полупроводник обусловлена относительно малой концентрацией подвижных носителей тока в полупроводнике. Равновесная толщина двойного электрического слоя в области контакта оказывается значительной. Уровни Ферми в металле и полупроводнике выравниваются при образовании двойного слоя, простирающегося внутрь полупроводника на заметную глубину. Двойной электрический слой на границе металл - полупроводник по своим свойствам резко отличается от остального объема полупроводника. Важнейшее отличие состоит в том, что потенциальная энергия электронов в этом слое повышается по сравнению с энергией электронов в остальном объеме. Это приводит к тому, что энергетические уровни электронов в энергетических зонах полупроводника вблизи границы поднимаются. В полупроводнике / г-типа в стороне, прилегающей к металлу с большей работой выхода, образуется слой с недостаточной концентрацией носителей тока - электронов. Этот слой обладает повышенным удельным сопротивлением и называется запирающим слоем. [21]
Таким образом, полупроводники - широкий класс веществ, в которых концентрация подвижных носителей заряда значительно ниже, чем концентрация атомов и может изменяться под влиянием температуры, освещения или относительно малого количества примесей. Полупроводники служат основной материальной базой развития ведущих направлений в разработке композитов для электронной промьшшенности, совершенствовании твердотельной электроники и создании новых типов компьютеров. [22]
Принцип действия полевого транзистора с изолированным затвором основан на эффекте изменения концентрации подвижных носителей заряда в поверхностном слое полупроводника под действием внешнего электрического поля, созданного напряжением, приложенным к металлическому электроду, который отделен от поверхности полупроводника слоем изолятора. [23]
Инжекция носителей из соответствующим образом выбранного электрода - удобный и широко используемый метод создания концентрации подвижных носителей в органических соединениях ( см. гл. Исследование инжекционного процесса с временным разрешением, которое позволяет выявить микроскопические детали этого процесса, облегчается тем, что константа скорости рекомбинации инжектированного заряда с электродом может быть сделана произвольно малой при использовании в качестве инжектирующего электрода электролита. [24]
 |
Структура р - n - перехода и его вольт-амперная характеристика. [25] |
После создания перехода на границе между полупроводниками с различными типами электропроводности возникают большие градиенты концентрации подвижных носителей зарядов. [26]
Результат решения уравнений непрерывности и Пуассона при известных краевых условиях - это поля потенциала и концентраций подвижных носителей в различных областях полупроводниковой структуры. Знание этих полей позволяет оценить электрические параметры прибора. [27]
После создания электронно-дырочного перехода на границе между полупроводниками с различными типами электропроводности возникают большие градиенты концентрации подвижных носителей зарядов. В результате ухода основных носителей на границе полупроводников с разными типами электропроводности создается обедненный подвижными носителями слой, в котором в га-области будут находиться положительно заряженные ионы донорных атомов, а в р-области - отрицательно заряженные ионы акцепторных атомов. [28]
 |
Диаграммы импульсов, поясняющие работу диодного ключа. [29] |
Как и в транзисторе, по мере изменения Q6 меняется значение гд, так как меняется концентрация подвижных носителей в базе. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5