Концентрация - подвижной носитель
Cтраница 3
 |
Искривление энергетических зон на границе раздела кремний - двуокись кремния, происходящее вследствие разности их работ выхода.| Зависимость порогового. [31] |
Это напряжение является функцией координаты у и определяется как напряжение в любой точке окисла, при котором концентрация подвижных носителей заряда в выбранной точке канала снижается до нуля. [32]
Причиной, вызывающей электрический ток в полупроводнике, может быть не только электрическое поле, но и градиент концентрации подвижных носителей заряда. Если тело электрически нейтрально и в любой его микрообласти суммарный положительный и отрицательный заряд равен нулю, то различие в концентрациях носителей заряда в соседних областях не приведет к появлению электрического тока и электрических сил расталкивания, выравнивающих концентрацию. Но в соответствии с общими законами теплового движения возникнет диффузия микрочастиц из области с большей их концентрацией в область с меньшей концентрацией, причем плотность диффузионного тока пропорциональна градиенту концентрации носителей заряда. [33]
При подаче на затвор отрицательного относительного истока смещения ( и дальнейшем увеличении его абсолютной величины) в канале возрастает концентрация подвижных носителей заряда, повышается удельная электропроводность канала и, следовательно, увеличивается ток стока. Такой режим работы МОП-транзистор называют режимом обогащения. [34]
Уникальность полученного результата состоит в явном и полном отсутствии обычной зависимости указанной величины от меняющейся от образца к образцу концентрации подвижных носителей. Поскольку данный эффект предлагается использовать для создания нового эталона сопротивления и для уточнения известного значения постоянной тонкой структуры [ 1], важным вопросом в настоящее время является выяснение пределов точности квантования, в особенности в условиях высокой концентрации примесей. Некоторый свет на эту проблему проливают расчеты, выполненные Андо [ 3] для перенормированного слабого рассеяния, которые показали, что наличие изолированной примеси не оказывает влияния на холловский ток. Аналогичный результат получил недавно Пранге [ 4], который показал, что изолированная примесь с потенциалом в виде 5-функции, хотя и создает связанное локализованное состояние, но не влияет на холловскую проводимость в низшем порядке по скорости дрейфа v сЕ / В, поскольку оставшиеся дело-кализованные состояния переносят дополнительный ток, в точности компенсирующий потерю. [35]
К полупроводникам относится обширная группа веществ ( как химических элементов, так и их соединений), отличающихся существенной зависимостью концентрации подвижных носителей электричества от температуры и наличием отрицательного температурного коэффициента сопротивления в определенных областях температур. [36]
Таким образом, воздействие напряжения обратной полярности на затвор изменяет глубину распространения объемного заряда в канале и тем самым регулирует концентрацию подвижных носителей заряда и в конечном счете сопротивление канала. Это явление аналогично эффекту модуляции толщины базы в биполярном транзисторе с той лишь разницей, что носители заряда в полевом транзисторе перемещаются вдоль перехода. [37]
Обратная величина С тро есть среднее время жизни дырок в ярко выраженном ( идеальном) электронном полупроводнике, не зависящее от концентрации подвижных носителей. Из неравенства Nc п следует: Tf0 тр. [38]
В планарных транзисторах, для которых характерно постоянство поверхностного заряда, при подаче смещения на канал происходит перекрытие канала обедненным слоем и концентрация подвижных носителей заряда уменьшается. При большой плотности поверхностного заряда канал распространяется до омического перехода и возникает сквозной канальный ток. Образование каналов Б планарных транзисторах приводит к пробою перехода, что также способствует увеличению обратного тока. [39]
Обратная величина C-Jj т Q есть среднее время жизни дырок, в ярко выраженном ( идеальном) электронном полупроводнике, не зависящее от концентрации подвижных носителей. [40]
А см2 / с; Dp - - pp см2 / с - коэффициенты диффузии, служащие мерой отношения тока диффузии к неравномерности концентрации подвижных носителей, создающих этот ток. [41]
Если уровень легирования кремния велик и влиянием на электропроводность электронно-дырочных пар, образующихся за счет тепловой генерации из валентной зоны, можно пренебречь, то концентрация подвижных носителей заряда будет слабо зависеть от температуры. [42]
ОБЕДНЕННЫЙ СЛОЙ ( impoverished layer; couche appauvrie; verarmte Schicht, ab-gereicherte Schicht) - слой ПП, в к-ром вследствие наличия потенциального барьера концентрации подвижных носителей заряда недостаточны: для нейтрализации суммарной области объемного заряда доноров и акцепторов, или область ПП, в к-рой вследствие к. [43]
ОБЕДНЕННЫЙ СЛОИ ( impoverished layer; couche appauvrie; verarmte Schicht, ab-gereicherte Schicht) - слой ПП, в к-ром вследствие наличия потенциального барьера концентрации подвижных носителей заряда недостаточны для нейтрализации суммарной области объемного заряда доноров и акцепторов, или область ПП, в к-рой вследствие к. [44]
 |
Прямая характеристика реального диода, ее идеализация ( а и эквивалентная схема диода при прямом включении ( б. [45] |
Страницы: 1 2 3 4 5