Концентрация - подвижной носитель
Cтраница 4
В заключение следует отметить, что ни в предшествующем анализе, ни на рис. 2 - 35 и 2 - 36 не учитывались зависимости параметров л, D и т от концентраций подвижных носителей, что, конечно, не может не отразиться на точности анализа. [46]
 |
Прямая характеристика реального диода, ее идеализация ( а и эквивалентная схема диода при прямом включении ( б. [47] |
В заключение следует отметить, что ни в предшествующем анализе, ни на рис. 2 - 35 и 2 - 36 не учитывались зависимости параметров fi, D и т от концентраций подвижных носителей, что, конечно, не может не отразиться на точности анализа. [48]
Коэффициент диффузии подвижных носителей заряда в соответствии с формулами ( 1 - 23) равен количеству элементарных зарядов, диффундирующих через поперечное сечение 1 см2 за одну секунду при единичном градиенте концентрации подвижных носителей зарядов. [49]
Коэффициент диффузии подвижных носителей заря-да в соответствии с формулами ( 1 - 23) равен количеству элементарных зарядов, диффундирующих через поперечное сечение 1 см2 за одну секунду при единичном градиенте концентрации подвижных носителей зарядов. [50]
РЬ ] 09995 [ ] ш, [ S ] до [ Pb ] [ S ] 0 9995 [ ] 0) 0005; в этом узком интервале изменений состава изменяются знак и концентрация подвижных носителей заряда. [51]
 |
Обращенный диод. [52] |
На рис. 6.7 схематически показан p - n - переход, находящийся под воздействием обратного напряжения, а также распределение потенциала V и напряженности электрического поля EdV / dx в переходе. Концентрация подвижных носителей в обратно смещенном p - n - переходе весьма мала. Напряженность электрического поля максимальна в центре области p - n - перехода. При увеличении приложенного к диоду обратного напряжения напряженность поля возрастает. Если поле в переходе достигнет некоторого критического значения ЕЕпр, возникнет лавинный пробой р-п-перехода: число подвижных носителей в процессе ударной ионизации атомов полупроводника лавинообразно умножается. [53]
 |
Характеристики р-п-перехода со ступенчатым законом распределения концентрации атомов примеси. [54] |
Таким образом, соотношение (2.33) справедливо только в предположении, что область объемного заряда полностью лишена подвижных носителей заряда. В действительности концентрация подвижных носителей заряда убывает по экспоненциальному закону и, следовательно, вблизи границ области объемного заряда подвижные носители удалены не полностью. [55]
Таким образом, соотношение (2.102) справедливо только в предположении, что область объемного заряда полностью лишена подвижных носителей заряда. В действительности концентрация подвижных носителей заряда убывает по экспоненциальному закону и, следовательно, вблизи границ области объемного заряда подвижные носители удалены не полностью. Однако концентрация подвижных носителей заряда в области объемного заряда уменьшается очень быстро и при U ( x) 2 3 ( kT / q) составляет менее 0 1 от их концентрации на границе области. [56]
Среднее значение этого промежутка времени называется временем жизни носителей и обозначается для дырок Тр, а для электронов тп. Время жизни носителей зависит от концентрации подвижных носителей противоположного знака и некоторых других факторов. [57]
Хорошо известно, что химические примеси и дефекты решетки приводят к появлению дополнительных энергетических уровней в объеме твердого тела. Из измерений сопротивления и постоянной Холла определяются подвижность и концентрация подвижных носителей тока; это дает ценный метод для определения положения некоторых объемных энергетических уровней в твердом теле. Исследование природы этих поверхностных уровней очень важно, ибо они могут играть основную роль в таких явлениях, как захват носителей тока, рекомбинация неравновесных носителей тока, искривление зон вблизи поверхности, шумы и поверхностная проводимость. [58]
Заметим, что сопротивление различных веществ, в том числе и полупроводников, зависит от их чистоты. Присутствие в металлических проводниках посторонних примесей мало влияет на концентрацию подвижных носителей зарядов, но сильно изменяет их подвижность. Это объясняется тем, что примеси создают дефекты в кристаллической решетке, которые увеличивают сопротивление металлов электрическому току. Посторонние примеси в металлах, как правило, увеличивают сопротивление последних. [59]
Зарядная емкость образуется в результате диффузии носителей из области перехода при отсутствии смещения на нем. При этом вблизи перехода создается обедненная область, в которой концентрация подвижных носителей весьма мала; остающиеся в этой области неподвижные заряды создают электростатическое напряжение - контактную разность потенциалов. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5