Концентрация - дефект
Cтраница 1
Концентрация дефектов, отвечающая состоянию термического равновесия кристалла, резко возрастает с температурой, хотя обычно она все-таки очень невелика. При комнатных температурах концентрация термических дефектов на много порядков меньше. [1]
Концентрация дефектов и свободных носителей тока ( особенно при высокой температуре, при которой происходит синтез люминофора) сравнима с содержанием примеси активатора в люминофоре. [2]
 |
Явления, сопровождающие термический цикл TiC2. [3] |
Концентрация дефектов внутри кристалла обычно вытекает из теплового равновесия, установившегося при температуре, превышающей температуру Там-мана ( Тт 0 5 / К), и замороженного во время охлаждения. [4]
Концентрация дефектов в кристаллах всегда значительно меньше, чем число атомов в решетке. [6]
 |
Величины KT, рассчитанные из. [7] |
Концентрации дефектов в германии ( содержащем 1017 см-3 цинка), который находится в раЕшовесии с расплавом лития. [8]
Концентрация дефектов, предшествующая моменту разрушения столь мала, что взаимодействием отдельных дефектов можно пренебречь. [9]
Вообще концентрация дефектов в скелетных катализаторах значительна, но с увеличением продолжительности и температуры выщелачивания она уменьшается. Кроме того, концентрация дефектов снижается в процессе старения скелетного никеля в растворе этилового спирта. [10]
Когда концентрация дефектов в кристалле невелика и дефекты расположены друг от друга на расстояниях, значительно превышающих междуатомные, прямой и туннельный переходы электронов между дефектами не происходят, уровни остаются локализованными в участках кристалла с дефектами. Такое условное изображение подчеркивает тот факт, что электрон, находящийся на локальном уровне, не может перемещаться по кристаллу, не изменив своей энергии так, как перемещаются электроны, находящиеся в разрешенных энергетических зонах кристалла. [11]
Когда концентрация дефектов в кристалле невелика, отдельные дефекты удалены друг от друга и их взаимным влиянием можно пренебречь. При больших концентрациях дефектов расстояния между соседними дефектами невелики и можно ожидать частичного перекрытия областей локального искажения энергетического поля кристалла, связанных с образованием точечных дефектов. Любое взаимодействие, если оно осуществляется в системе частиц ( например, в кристалле), стремится привести систему в некоторое упорядоченное состояние, при котором позиции атомов и дефектов будут обусловлены требованием минимума энергии. [12]
РХ концентрации дефектов [ М ] и е - возрастают, а [ е ] и [ Ум ] убывают. [13]
Однако концентрация дефектов при этом зачастую столь велика ( - 10 атом. Ряд наблюдений, в частности выполненных методом нейтронной дифракции на Fe O [ 15 и UO2 [16], показывает сложность структуры дефектов в подобных материалах. [14]
Когда концентрация дефектов такова, что они начинают существенно влиять на корреляцию электронов ( обычно порядка несколько атомных % и выше), то новый параметр пространственной корреляции с, имеет порядок, - ( T) Vl / 5 ( 0), где I - длина свободного пробега электрона в норм, состоянии. [15]
Страницы: 1 2 3 4