Cтраница 2
Поэтому концентрация дефектов Френкеля всегда близка к равновесной. [16]
Показателем концентрации дефектов называется сумма наибольших по высоте шва линейных размеров всех дефектов, выявленных на 1 см длины сварного соединения. [17]
Проблема концентрации дефектов является одной из интереснейших областей современной статистической термодинамики. [18]
Уменьшение концентрации дефектов, принимающих участие в реакциях радиолиза, по-видимому, связано с образованием устойчивых заряженных центров, которые могут быть ответственными за появление окр аски образцов. [19]
Зависимость концентрации дефектов от температуры при га р представлена на рис. XII. Из рисунка видно, что при низких температурах ( область I) концентрация доноров постоянна и равна концентрации акцепторов. В областях II - IV концентрация доноров при повышении температуры увеличивается. [20]
Изотермы концентраций дефектов в соединении АВ с дефектами по Шоттки для ( К Kg Kg - я - Высокотемпературное равновесие; б - состояние после охлаждения. [21]
Показатель концентрации дефектов Кя определяется как сумма наибольших линейных размеров ( по высоте шва) всех допустимых дефектов ( объемных включений, непровара, смещения кромок и др.), выявленных на любой полосе шириной 10 мм, проходящей по высоте шва или параллельно линии сплавления. [22]
На концентрацию дефектов типа Шоттки и Френкеля, кроме температуры, резко влияют облучение и пластическая деформация. Концентрация вакансий в первом приближении растет пропорционально деформации и может быть определена зависимостью п / Л ( 10 - 5ч - Ч-10-6) е, где е выражено в процентах. Такие вакансии называются деформационными. Наибольшая их концентрация соответствует знакопеременному нагружению. По-видимому, в этом случае вакансии могут оказывать влияние на процесс и механизм пластической деформации. Однако обычно влияние деформационных вакансий на прочность и пластичность металла невелико. Точечные дефекты, внесенные пластической деформацией и облучением, являются термодинамически неравновесными. [23]
По теории концентрация дефектов в решетке окислов изменяется только при введении ионов другой валентности. [24]
В общем концентрация дефектов по Шоттки в ионных кристаллах слишком мала и поэтому не влияет на измеряемую плотность, но в некоторых случаях, например в б - TiO с 15 % вакантных положений, различие поддается измерению. Дефекты по Френкелю и по Шоттки позволяют объяснить самодиффузию и ионную проводимость кристаллических твердых веществ. [25]
Зависимость от концентрации дефектов хорошо передастся нитерноляц. [26]
Соответственно и концентрации преобладающих ионных дефектов в данном случае не зависят от температуры и давления неметалла и определяются суммарным содержанием примеси. [27]
Для определения концентрации дефектов с успехом используются метод термостимулированных токов ( ТСТ), метод токов, ограниченных пространственным зарядом ( ТОПЗ) и измерения подвижности носителей. Эти методы мы кратко обсудим ниже, а теперь рассмотрим типы связанных с дефектами уровней захвата носителей. [28]
Обычно увеличение концентрации дефектов сопровождается снижением энергии активации электропроводности, что имеет значение для каталитических реакций. [29]
Температурная зависимость концентрации дефектов в кристалле чистого простого вещества, в котором вакансии могут захватывать по два электрона. [30]