Концентрация - дефект
Cтраница 4
 |
Зависимость привеса от времени Диффузия ИОНОВ титана, при окислении железа на воздухе при 950 С ( а и титана ВТ1 - 1 при 880 С. [46] |
Представителем окислов с малой концентрацией дефектов является А12О3, который не растворяет кислород и незначительно растворяет алюминий. Поэтому алюминий слабо окисляется на воздухе вплоть до плавления. Прочность сцепления А12О3 с металлом велика, а проницаемость для окислительных газов ничтожно мала. [47]
 |
Зависимость электропроводности полупроводников от давления кислорода. Линейная зависимость N характерна для полупроводников я-типа, зависимость Р - для полупроводников р-типа. [48] |
Следует подчеркнуть, что концентрация дефектов в полупроводнике зависитрг газовой среды, в которой он находится. Поскольку диффузия дефектов с поверхности в объем есть активационный процесс, глубина слоя, на котором сказывается влияние газовой атмосферы, зависит от температуры. Таким образом, концентрация дефектов на поверхности зависит от газовой атмосферы и может превосходить концентрацию, дефектов в объеме. [49]
Толщина слоя зависит от концентрации дефектов в нем. [50]
 |
Возможные комбинации парных дефектов в ферритах MeFe2O4 ( стехиометрического состава. [51] |
В случае замещенных ферритов концентрация дефектов заметно возрастает, вследствие чего взаимодействие между дефектами становится существенным и им пренебрегать нельзя. Это взаимодействие может приводить к образованию различных комплексов - ассоциатов или кластеров, которые следует рассматривать как новую разновидность дефектов. Такие комплексы могут находиться в ионизированном или нейтральном состоянии. Упорядочение комплексов в ряде случаев приводит к образованию новых фаз. [52]
Поскольку влияние кадмия на концентрации дефектов заметно только при низких температурах, то при определенной температуре становится возможным изменение заряда на дислокации [32], что и наблюдалось в действительности. Заряженный линейный дефект ( дислокация) с цилиндрическим пространственным зарядом по своей природе аналогичен как поверхностному заряду на границе раздела с примыкающим к ней приповерхностным зарядом, так и заряженному точечному дефекту с его сферической ионной атмосферой Дебая - Хюккеля. [53]
До тех пор пока концентрация дефектов не становится достаточной для образования значительного количества пар, хемосорбция типа ( XXVI) и ( XXVII) является медленным процессом. Однако благодаря взаимному отталкиванию пар лишь при очень большом их числе, когда ZnO превращается уже в вырожденный полупроводник, оказывается возможным увеличение скорости хемосорбции. Действительно, можно сказать, что активная окись цинка является квазиметаллической. [54]
Пусть в стекле имеется концентрация дефектов N и локализация на них электронов или дырок вызывает поглощение в определенной части спектра. Одновре менно осуществляется радиационный и термический отжиг. [55]
Далее, так как концентрация простых дефектов определяется величиной Я, то наклон логарифмической прямой, соответствующей ( Veil, приближается к постоянному значению независимо от размера кластера, преобладающего в балансе натрия. [56]
Страницы: 1 2 3 4