Концентрация - дефект
Cтраница 3
Температурная зависимость концентрации дефектов в простом твердом веществе, находящемся в равновесии с паром, в котором активность примеси F постоянна. [31]
Выражения для концентраций дефектов в разных областях приведены в табл. XIII. Отметим, что концентрации нейтральных дефектов во всех областях остаются одними и теми же. [32]
Непонятна связь концентраций дефектов в кристаллах с каталитической активностью. Известно, что в хорошо отожженном кристалле на 1 см2 поверхности приходится 10 поверхностных центров. В зоне дислокации следует ожидать изменения химического потенциала адсорбированных частиц, что должно сказаться на каталитических процессах. Дислокации, кроме того, являются источниками ( стоками) вакансий, поэтому на них может происходить аккомодация примесей. Экспериментальные же данные по корреляции концентраций дефектов и каталитической активности крайна противоречивы. Сосновским, Ухарой и др. [3.28] установлена пропорциональность между ростом числа дислокаций ( полученных ионной бомбардировкой или механическим напряжением) и ускорением скорости процесса катализа; при уменьшении числа дислокаций ( путем отжига) скорость реакции замедлялась. По Вудвор-ду [3.29] - наоборот: окисление этилена па монокристаллах серебра происходит с меньшей скоростью при увеличении плотности дислокаций. [33]
Всякое изменение концентрации дефектов решетки влияет на активность кристалла. [34]
При уменьшении концентрации дефектов упаковки, например, при введении Си или при добавлении ZnSe, анизотропия микропрочностных свойств уменьшается. При введении А1, стабилизирующего модификацию W, анизотропия увеличивается. [35]
На поверхности трещины концентрация дефектов может быть очень большой. [36]
А зависит от концентрации дефектов. [37]
Возможно, что концентрация дефектов по Шоттки составляет 10 % от концентрации всех дефектов, но дефекты по Френкелю безусловно преобладают. [38]
Определение типа и концентрации дефектов кристаллической решетки, выходящих на поверхность кристаллов, производится главным образом методом электронной микроскопии. Для выявления дефектов применяется химическое или ионное травление свежих сколов кристаллов, позволяющее охарактеризовать своеобразные структуры минералов, однако интерпретация полученных результатов чрезвычайно затруднена из-за неопределенной кристаллографической ориентации граней кристалла. Кроме того, возникают трудности, связанные с получением качественных реплик с поверхности пористых образцов. Несомненно, что исследование минералов при использовании просвечивающих электронных микроскопов позволило бы получить больший объем информации о дефектности структуры минералов, если бы было возможно без особых затруднений приготавливать для анализа образцы требуемой толщины. [39]
Приводя к снижению концентрации дефектов, принимающих участие в переносе заряда в электрическом поле, ассоциация типа (V.3) вызывает уменьшение ионной проводимости кристаллов. [40]
Примером сложного изменения концентраций дефектов с температурой может служить концентрация FM, которая по мере повышения температуры увеличивается и уменьшается несколько раз. Сложный характер зависимости частично обусловлен изменением вида заряженных дефектов, преобладающих в чистом кристалле. В реальных случаях подобные зависимости встречаются очень редко, и поведение большинства систем гораздо проще. [42]
Кривые для зависимости концентраций антиструктурных дефектов от 6 идут более полого, чем для дефектов Шоттки или Френкеля; наклон асимптот, изображенных пунктирными прямыми на рис. 3.1, для антиструктурных дефектов вдвое меньше, чем для дефектов Шоттки и Френкеля. Такое различие обусловлено следующим. В случае же антиструктурных дефектов половина избыточного компонента размещается в узлах собственной подрешетки и только оставшаяся половина расходуется на образование дефектов. [43]
Радиационный отжиг уменьшает концентрацию дефектов и частично восстанавливает свойства металла. [44]
Кроме влияния на концентрацию дефектов в кристаллической решетке, примеси могут изменять температуру разложения селитры в ту или иную сторону. Надо сказать, что в целом механизм влияния определяется не только химическими свойствами добавки, но и степенью соответствия параметров кристаллических решеток добавок и азотнокислого аммония. Соотношение этих параметров, наряду с другими факторами, определяет возможность образования твердых растворов, а следовательно, и степень влияния. Разумеется, сказанное справедливо в тех случаях, когда в основе механизма действия примеси на кинетику разложения лежит растворение одного вещества в другом в твердом состоянии. [45]
Страницы: 1 2 3 4