Избыточная концентрация - носитель
Cтраница 2
При воздействии освещения происходит процесс нарастания избыточной концентрации носителей, а при выключении освещения - ее спад. Эти явления называются релаксацией фотопроводимости. [16]
Так как метод измерения предполагает постоянство избыточной концентрации носителей заряда на поверхности, то скорость поверхностной рекомбинации не влияет на результаты измерения диффузионной длины. Кроме того, показано, что э4 фекты захвата основных носителей заряда и умеренный захват неосновных носителей заряда также не влияют на поверхностную фото - ЭДС. Это является важным преимуществом данного метода измерения. [17]
В полупроводниковом кристалле под действием света образуется равномерно распределенная избыточная концентрация носителей заряда А. [18]
В полупроводниковом кристалле под действием света образуется равномерно распределенная избыточная концентрация носителей тока Дга ( м - 3); обнаружено, что скорость рекомбинации электронов и дырок пропорциональна An. [19]
Так же как и при прямом подключении, избыточная концентрация носителей заряда на границах р-п перехода ( Appi Ann), полученная при экстракции, экспоненциально растет с увеличением обратного напряжения. [20]
Так же как и при прямом подключении, избыточные концентрации носителей заряда на границах р-я-перехода ( & рр, Ап), полученные при экстракции, экспоненциально растут с увеличением обратного напряжения. [21]
При протекании через диод прямого тока в i-области устанавливается избыточная концентрация носителей заряда. Пренебрегая диффузионными токами электронов в / г-области и дырок в р-области [3], можно считать, что все инжектированные электроны и дырки ре-комбинируют в г-области. [22]
Как следует из теории, поверхностная фото - ЭДС пропорциональна избыточной концентрации носителей заряда на освещенной поверхности образца при малых ее значениях в случае хорошо выраженных слоев инверсии или обогащения. В других случаях она растет с увеличением избыточной концентрации носителей заряда сублинейно. [23]
Если за счет какого-то внешнего воздействия в некоторой части полупроводника создана избыточная концентрация носителей, а затем внешнее воздействие прекратилось, то избыточные носители будут рекомбинировать и распространяться путем диффузии в другие части полупроводника. Избыточная концентрация начнет убывать по экспоненциальному закону, показанному графически на рис. 1 - 14 для электронной концентрации. [24]
 |
Конструкция и схема включения фототранзистора. [25] |
Наличие базового вывода в фоторезисторе не является обязательным, так как избыточная концентрация носителей в базе создается светом и нет необходимости инжектировать носители в базу, пропуская ток через переход эмиттер - база. Однако для удобства установки режима работы этот вывод иногда делается. [26]
 |
Зависимость избыточной концентрации электронов от времени. [27] |
Тогда согласно формуле (4.8) т Wn1 определяют время, за которое избыточная концентрация носителей заряда спадает в е раз за счет рекомбинации. [28]
Таким образом, ток короткого замыкания при фотомагнитоэлектрическом эффекте пропорционален разности избыточных концентраций носителей заряда на освещенной и противоположной освещенной поверхностях образца. [29]
Тогда согласно формуле (4.17) тл W 1 определяют время, за которое избыточная концентрация носителей заряда спадает в е раз за счет рекомбинации. [30]
Страницы: 1 2 3 4