Избыточная концентрация - носитель
Cтраница 4
Теоретическое описание явления фотопроводимости, таким образом, требует определения временного и пространственного распределения избыточной концентрации носителей заряда, которое, как мы установили ранее, можно найти, решая уравнения непрерывности для электронов и дырок при задании различных граничных и начальных условий. Самое общее решение уравнения непрерывности невозможно, так как выбор конкретного выражения для скорости рекомбинации и скорость генерации. Поэтому в каждом конкретном случае необходимо решение своего уравнения непрерывности. [46]
Теоретическое описание явления фотопроводимости, таким образом, требует определения временного и пространственного распределения избыточной концентрации носителей заряда, которое, как мы установили ранее, можно найти, решая уравнения непрерывности для электронов и дырок при задании различных граничных и начальных условий. Самое общее решение уравнения непрерывности невозможно, так как выбор конкретного выражения для скорости рекомбинации и скорость генерации будут определяться конкретными внешними условиями, интенсивностью и длиной волны используемого освещения, действующими в кристалле механизмами рекомбинации носителей заряда. [47]
 |
Структурная схема метода модуляции проводимости. [48] |
В стационарных методах для увеличения чувствительности часто применяется модулированное возбуждение образца, вызывающее появление избыточной концентрации носителей заряда. Однако для достижения стационарного состояния длительность импульса возбуждения должна быть много больше времени жизни носителей заряда. [49]
Если скорость генерации равна G, то в условиях невысокого уровня возбуждения и линейной рекомбинации избыточная концентрация носителей заряда стационарна и равна: An Gtn; Ар: GTC, (8.62), где т, тр-времена жизни электронов и дырок. [50]
Фазовый и частотный методы измерения времени жизни основаны на использовании инерционности процессов нарастания и спада избыточной концентрации носителей заряда, связанной с конечным значением их времени жизни. [51]
 |
Зависимость коэффициента динамических потерь от запаса по насыщению. [52] |
При выключении транзистора с активной нагрузкой переходный процесс продолжается в области насыщения до тех пор, пока избыточная концентрация носителей заряда у коллекторного перехода не упадет до нуля. Этот промежуток называется временем рассасывания избыточных носителей заряда в базовой области транзистора. [53]
Величину T: f ( t) можно назвать мгновенным временем жизни, оно является функцией избыточной концентрации носителей заряда. [54]
 |
Яркостная характерис. [55] |
Если к фоторезистору приложено напряжение, то через него будет проходить дополнительная составляющая тока - фототек, обусловленный избыточной концентрацией носителей. [56]
Страницы: 1 2 3 4