Избыточная концентрация - носитель
Cтраница 3
Вычисленные таким способом значения дрейфовой подвижности тем ближе к истинным значениям, чем меньше избыточная концентрация носителей заряда. Это связано с нарушением однородности электрического поля, возникающим в результате модуляции проводимости образца неравновесными носителями заряда. Поэтому для точного определения дрейфовой подвижности измеряют время дрейфа при уменьшающемся токе эмиттера. Затем строят зависимость дрейфовой подвижности от тока эмиттера и экстраполируют ее к нулевому току эмиттера. Из этого графика находят точное значение дрейфовой подвижности носителей заряда. [31]
Временные изменения наблюдаются во время воздействия Y-радиации и связаны в основном с появлением избыточной концентрации носителей в объеме полупроводника, что обусловливает, например, рост обратного тока. Обратимым может быть также влияние ионизации газа в объеме баллона транзистора. [33]
 |
Изменение избыточной концентрации во времени [ IMAGE ] - 15. Изменение избыточной концентрации в пространстве. [34] |
Ток проводимости и ток диффузии, генерация пар носителей и рекомбинация, изменение избыточной концентрации носителей во времени и пространстве не исчерпывают всего многообразия сложных явлений, происходящих в полупроводниках, но они наиболее важны, и, зная их, можно правильно понять работу полупроводниковых приборов. [35]
Здесь н / тн представляет собой скорость рекомбинации и зависит от мгновенного значения избыточной концентрации носителей заряда, а п () / тн - скорость генерации носителей заряда, которая зависит от равновесной концентрации носителей заряда. Величина т является временем жизни избыточных носителей, одинаковым для электронов и дырок и близким к времени жизни неосновных носителей. Зная время т, можно определить среднее расстояние, которое проходят носители заряда. [36]
 |
Относительное и. менение коэффициента перс дачи тока базы в зависимости от дозы нейтронов для низкочастотных и высокочастотных транзисторов. [37] |
Временные изменения наблюдаются во время воздействия 7-радиации и связаны в основном с появлением избыточной концентрации носителей заряда в объеме полупроводника, что обусловливает, например, рост обратного тока. Обратимым может быть также влияние ионизации газа в объеме баллона транзистора. Однако при этом возможно оседание ионов на поверхность полупроводника, что приводит к длительным изменениям параметров транзисторов. [38]
Здесь п ] хн представляет собой скорость рекомбинации и зависит от мгновенного значения избыточной концентрации носителей заряда, а п хи - скорость генерации носителей заряда, которая зависит от равновесной концентрации носителей заряда. Величина тн является временем жизни избыточных носителей, одинаковым для электронов и дырок и близким к времени жизни неосновных носителей. Зная время тн, можно определить среднее расстояние, которое проходят носители заряда. Оно называется диффузионной длиной L. [39]
При низком уровне возбуждения ДлДр / 1о р0 время т не зависит от избыточной концентрации носителей заряда, являясь постоянной величиной. В электронном полупроводнике ( ло ро) Тр1 / ( тПо) не зависит от концентрации дырок и характеризует время жизни неосновных носителей заряда - дырок. Аналогичное соотношение справедливо для дырочного полупроводника. [40]
Временные изменения наблюдаются во время воздействия у-радиации и связаны в основном с появлением избыточной концентрации носителей заряда в объеме полупроводника, что обусловливает, например, рост обратного тока. Обратимым может быть также влияние ионизации газа в объеме баллона транзистора. Однако при этом возможно оседание ионов на поверхность полупроводника, что приводит к длительным изменениям параметров транзисторов. [41]
Величину tf ( t) можно назвать мгновенным временем жизни, оно является функцией избыточной концентрации носителей заряда. [42]
Теоретическое описание явления фотопроводимости, таким образом, требует определения временного и пространственного распределения избыточной концентрации носителей заряда, которое, как мы установили ранее, можно найти, решая уравнения непрерывности для электронов и дырок при задании различных граничных и начальных условий. Самое общее решение уравнения непрерывности невозможно, так как выбор конкретного выражения для скорости рекомбинации и скорость генерации будут определяться конкретными внешними условиями, интенсивностью и длиной волны используемого освещения, действующими в кристалле механизмами рекомбинации носителей заряда. [43]
 |
Структурная схема метода модуляции проводимости. [44] |
В стационарных методах для увеличения чувствительности часто применяется модулированное возбуждение образца, вызывающее появление избыточной концентрации носителей заряда. Однако для достижения стационарного состояния длительность импульса возбуждения должна быть много больше времени жизни носителей заряда. [45]
Страницы: 1 2 3 4