Атом - таллий
Cтраница 3
Так, от А1 к Ga атомный радиус несколько уменьшается, а первый ионизационный потенциал возрастает. На свойствах атомов таллия, кроме того, сказывается и / - сжатие. Именно поэтому радиус атома TI близок радиусу атома In, а энергия ионизации несколько выше. [31]
 |
Схема испарителя со сдвоенной камерой. [32] |
Обнаружения ионов этого типа трудно ожидать, исходя из обычного представления о структуре молекулы соли, где катион и анион - образующий элемент соединены через атом кислорода. В случае TlReO4 атом таллия, возможно расположен вблизи ребра или плоскости тет-раэдрического аниона ReOF, имея непосредственную связь с атомом рения. [33]
Характеризуя действие примесей, можно в общем сказать, что присадки галоидов - хлора, брома или иода - увеличивают электропроводность селена, а металлы в основном ее уменьшают. Особенно сильным является действие атомов таллия. Небольшие добавки, таллия могут увеличить сопротивление гексагонального селена в миллионы раз. [34]
Если в электронном газе имеется по одному электрону на атом таллия вместо трех, предполагавшихся в оригинальной работе, то Л2 равно 11 3 А2, что соответствует более мягкому рассеивающему центру. [35]
Здесь Rs означает s - орбиталь, ортогональную всем s - орбиталям конфигурации о, Is, 2s, 3s ( она автоматически ортогональна р - и d - орбиталям), и в этом пункте наша трактовка отличается от трактовки Ферми и Сегре. В последней возбужденная s - орбиталь 7s является физической орбиталью атома таллия; состояния, относящиеся к возбужденной конфигурации 6s6p7s, наблюдались фактически, а их энергии были измерены методами оптической спектроскопии. В случае конфигурации типа 3 определенной выражением (17.66), не ясно, какой смысл следует придать s - орбите Rs. Чтобы выяснить этот вопрос, обратимся к основной конфигурации 0 и вспомним, каким образом орбиты от Is до 3d, из которых она составляется, получаются вариационным методом Хартри - Фока. [36]
Иные из элементов распадались двояким путем. Так, малая доля атомов радия - С претерпевала альфа-распад, превращаясь в атомы таллия. [37]
Максимум поглощения в простейших случаях возникает при условии йсо gpoH, где П - постоянная Планка, g - фактор Ланде, ц0 - магнетон Бора. Определить, при какой частоте следует ожидать резонанс в газе, состоящем из атомов таллия ( в состоянии 2Pi / 2) в поле напряженностью Я 2 кэ. [38]
А, то, несмотря на очень малое количество присутствующих в ней паров таллия, трубка вспыхивает зеленым светом, соответствующим зеленой линии в спектре таллия. Резонансное излучение возбуждает атомы ртути; возбужденные атомы ртути путем столкновений второго рода возбуждают атомы таллия; возбужденные атомы таллия спонтанно возвращаются в нормальное состояние, излучая зеленую линию таллия. [39]
Трифторацетаты) арилталлия с высоким выходом замещаются на фенильную группу при облучении ( фотохимический реактор марки Payonet, трубки на 3000 А) в бензоле. Эта реакция представляет особую ценность, поскольку фенильная группа входит в молекулу исключительно на место атома таллия. Метод применим для синтеза несимметричных. [40]
В 1922 г. Франк предсказал возможность передачи электронного возбуждения от атома к атому, а позднее Карио и Франк наблюдали сенсибилизированную флуоресценцию в смеси паров ртути и таллия. На смесь резонансно воздействовали излучением с Я253 7 нм, которое поглощалось атомами ртути, но не поглощалось атомами таллия. [41]
 |
Проекция кристаллической структуры TISe на основной план. [42] |
Атомы Т1, расположены между этими цепями; при этом расстояние Т1 - Se больше расстояния Т1л - Se. На основании такой схемы Мозер и Пирсон [21 ] предложили возможные валентные состояния атомов Т1 в TISe: наличие отрицательного заряда на Т1 - с 5р3 - гибридизацией и наличие негибридизированных р-орбит у атома Se; при этом на втором атоме таллия заряд положительный: Т1, Это говорит о том, что связь в Tl-Se носит ионно-ковалентный характер. Алиев и Татаринова [22] нашли, что строение аморфного Tl-Se отличается от кристаллического. [43]
В основном состоянии атомы элементов подгруппы галлия имеют строение внешних электронных оболочек 4s24p ( Ga), 5s25p ( In), 6s26p ( Tl) и одновалентны. Возбуждение трехвалентных состояний требует затраты 108 ( Ga), 100 ( In) или 129 ( TI) ккал / г-атом. Сродство атома таллия к электрону оценивается в 12 ккал / г-атом. [44]
Проведенные физиками исследования показали, что действие галоидов и таллия в селене может быть объяснено изменением проводимости межкристаллических прослоек. В свете этой теории структура гексагонального селена представляется в виде кристаллов с хорошей проводимостью, контактирующих друг с другом через плохо проводящие слои, где в основном и размещаются атомы примеси. При этом галоиды понижают, а атомы таллия увеличивают сопротивление этих слоев. Это подтверждается измерением на высокой частоте удельного сопротивления образцов селена, содержащих таллий. [45]
Страницы: 1 2 3 4