Доля - радикал - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3
Закон Вейлера: Для человека нет ничего невозможного, если ему не надо делать это самому. Законы Мерфи (еще...)

Доля - радикал

Cтраница 3


С и установили, что доля радикала СеН5 растет с температурой. Аналогичная картина получена и для фенола.  [31]

Уменьшение доли предельного углеводорода ( w - гексана) в черной пленке, что имеет место для пленок, полученных из монослоев ненасыщенных моноглицеридов [132], а также для пленок из растворов моноолеина в н-гексадекане, приводит к уменьшению их толщины. Возможно, это связано с уменьшением доли полностью вытянутых олеиновых радикалов в таких пленках, однако истинные механизмы этих явлений остаются пока неясными, выяснение их требует дальнейших исследований.  [32]

Таким образом, между различными радикалами, составляющими молекулу, устанавливается некоторая конкуренция в борьбе за сродство. Вопрос о количестве сродства, приходящегося при этом распределении на долю радикала, решается его природой. Химикам надлежит поэтому экспериментально установить, какие структурные условия благоприятствуют или препятствуют радикалу при этом распределении сил сродства.  [33]

Итак, термодинамические расчеты позволяют оценить энер -; гни активации элементарных реакций. Зная последние, мож -: но, в свою очередь, определить доли радикала, реагирующие по разным направлениям.  [34]

Общим для всех исследованных сероорганических соединений является то, что при 77 К выход гиольных радикалов мал. Повышение температуры облучения [251] или нагревание облученных при 77 К образцов [251, 255, 266, 268] приводит к увеличению доли радикалов RS - за счет уменьшения концентрации алкильных и других радикалов.  [35]

И, наконец, третья причина - это побочные реакции радикалов, образовавшихся на первой стадии процесса инициирования и не вызывающие их роста. Именно эти реакции имеют в виду, когда обсуждают эффективность инициирования /, которая характеризует долю радикалов, непосредственно принимающих участие в инициировании полимеризации.  [36]

В кинетической схеме Томаса и Пеллона сделано допущение о том, что обрыв цепи может происходить также по реакции первого порядка в результате захоронения радикалов. Формально такая модель дает качественно правильное описание некоторых особенностей реакции, однако реальность этого предположения была опровергнута Бемфордом и Дженкинсом [25], которые показали, что доля радикалов, которые должны были бы стать похороненными для подтверждения теории, должна быть значительно больше, чем концентрация застрявших радикалов, наблюдавшаяся в действительности.  [37]

За счет разности g - факторов с ростом магнитного поля эффективность переходов из начального тригшетного состояния в реакционное синглетное состояние растет, растет доля геминальной рекомбинации, уменьшается доля радикалов, избежавших геминальной рекомбинации и вышедших в объем раствора.  [38]

На рис. 2.1 показано изменение со временем относительных количеств радикалов, взаимодействующих с акцептором и друг с другом, а также оставшихся радикалов. Они были рассчитаны в соответствии с моделью Гангули - Маги [24] как функция времени для двух сильно различающихся значений kscs, а именно 108 и 103 сек 1, чтобы смоделировать реакции атомов водорода и алкильных радикалов. Доля радикалов, исчезающих по реакции первого порядка, зависит только от времени, но не от концентрации.  [39]

На рис. 2.1 показано изменение со временем / относительных количеств радикалов, взаимодействующих с акцептором и друг с другом, а также оставшихся радикалов. Они были рассчитаны в соответствии с моделью Гангули - Маги [24] как функция времени для двух сильно различающихся значений kscs, а именно 108 и 103 сек 1, чтобы смоделировать реакции атомов водорода и алкильных радикалов. Доля радикалов, исчезающих по реакции первого порядка, зависит только от времени, но не от концентрации.  [40]

Как и можно было ожидать, в полом реакторе концентрации перекис-ных радикалов достигают максимальных значений при высоких температурах и больших временах контакта, что, очевидно, связано с увеличением времени диффузии молекулы надкислоты к стенкам реактора. Расчеты показывают, что при 175 С и / к - 0 3 сек. Увеличение доли радикалов, переходящих с поверхности в объем ( с 4 до 24 %), по-видимому, связано, как с уменьшением скорости гетерогенной рекомбинации, так и с ростом вероятности перехода радикалов с поверхности в объем в связи с резким уменьшением их концентрации на поверхности.  [41]

С; - стационарная концентрация пар, в которых два радикала разделены расстоянием / друг от друга. Использовав (9.12), легко найти соотношение, связывающее ci со скоростью образования пар. Возникает вопрос, какая доля радикалов гибнет со своим первоначальным партнером и какая доля их поглощается акцептором.  [42]

Кинетика распада инициатора - мономолекулярная реакция, которая не должна зависеть от вязкости среды. Клеточная теория предсказывает, что доля радикалов, рекомбинирующих в клетке, должна возрастать с увеличением вязкости среды, а эффективность инициирования соответственно понижаться.  [43]

Кинетика распада инициатора ( мономолекулярная реакция) не должна зависеть от вязкости среды. Клеточная теория предсказывает, что доля радикалов, рекомбинирующих в клетке, должна возрастать с увеличением вязкости среды, а эффективность инициирования соответственно понижаться. Однако экспериментально установлено, что эффективность инициирования хотя и снижается с ростом глубины превращения, но в меньшей степени, чем предсказывает теория. Отклонение от теории объясняют тем, что в высоковязких средах кроме диффузионного выхода ( по модели Франка - Рабиновича) выход радикала из клетки осуществляется за счет непосредственного взаимодействия с молекулами мономера.  [44]

Энергия диссоциации первого водородного атома в метане равна 102 2 ккал [13, 20] и рассчитана с той точностью, с какой возможно определить по методу электронного удара. В наших расчетах принята энергия разрыва связи D ( CH3 - Н) 101 84 ккал. При теплоте образования метана, равной 397 12 ккал, на долю радикала ( СН3) остается: 397 12 - 101 84 295 28 ккал.  [45]



Страницы:      1    2    3    4