Доля - ионная связь
Cтраница 1
Доля ионной связи по сравнению с ковалентной в образующейся химической связи тем больше, чем больше отличаются электроотрицательности элементов. [1]
Доля ионной связи в решетке ВеС12 поэтому очень невелика, а следовательно, и крайне низка электропроводность этой расплавленной соли. [2]
В трифторидах доля ионной связи наибольшая, а потому они отличаются более высокой температурой плавления и кристаллизуются в координационных структурах. Трихлориды, за исключением GaCl3, имеют слоистую решетку. Трихлорид галлия GaClg характеризуется молекулярной решеткой, состоящей из димерных молекул, между которыми действуют слабые силы Ван-дер - Ваальса. В парообразном состоянии все ЭГ3, как и А1Г3, димеризованы с образованием мостиковых связей. При этом все элементы подгруппы галлия проявляют ковалентность, равную четырем. Все тригалогениды легко взаимодействуют с водой. Для остальных ЭГ3 характерны реакции гидролиза с образованием оксида и галогеноводорода. При гидролизе выделяется большое количество теплоты, особенно в случае хлоридов и бромидов галлия и индия. Поэтому эти галогениды сильно гигроскопичны. Фториды, не гидролизующиеся при обычных условиях гидролизуются горячим водным паром. [3]
С увеличением доли ионной связи в полупроводниковых соединениях увеличивается ширина запрещенной зоны ( и вместе с тем делается возможным появление в ней более глубоких локальных электронных уровней), а также уменьшается энергия образования собственных дефектов решетки. При этом равновесная концентрация собственных дефектов решетки оказывается существенно зависящей от положения уровня Ферми для электронов. Это приводит к особенностям высокотемпературной равновесной собственно дефектной проводимости, к явлению равновесной самокомпенсации проводимости полупроводников. [4]
В сложных ПП доля ионной связи значительно возрастает ц поэтому подвижность носителей заряда в полупроводниковых соединениях должна быть меньше вследствие влияния оптич. Однако в пек-рых соединениях типа АШ BV и АП В Г наблюдается аномально высокая подвижность при компатпых темп - pax. Это объясняется малыми эффективными массами и отсутствием существ, рассеяния на заряж. [5]
В сложных ПП доля ионной связи значительно возрастает и поэтому подвижность носителей заряда в полупроводниковых соединениях должна быть меньше вследствие влияния оптич. Однако в нек-рых соединениях типа AHI BV и АП BVI наблюдается аномально высокая подвижность при комнатных темп - pax. Это объясняется малыми эффективными массами и отсутствием существ, рассеяния на заряж. [6]
В три фторидах доля ионной связи наибольшая, а потому они отличаются более высокой температурой плавления и кристаллизуются в координационных структурах. Трихлориды, за исключением GaCla, имеют слоистую решетку. Три-хлорид галлия характеризуется молекулярной структурой, состоящей из димер-ных молекул, между которыми действуют слабые силы Ван-дер - Ваальса. Этим и объясняется аномально низкая температура плавления GaCla - В парообразном состоянии все ЭГз, как и А1Гз, димеризованы с образованием мостиковых связей. При этом все элементы подгруппы галлия проявляют ковалентность, равную четырем. Все тригалогениды легко взаимодействуют с водой. Фториды галлия и индия образуют кристаллогидраты ЭГз ЗЩО. Для остальных ЭГз характерны реакции гидролиза с образованием оксида и галогеноводорода. При гидролизе выделяется большое количество теплоты, особенно в случае хлоридов и бромидов галлия и индия. Поэтому эти галогениды сильно гигроскопичны. Фториды, не гидролизующиеся при обычных условиях, гидролизуются горячим водяным паром. [7]
В полупроводниковых кристаллах, имеющих долю ионной связи, электроны проводимости ( дырки) гораздо сильнее взаимодействуют с оптическими колебаниями, чем с акустическими. Это связано с тем, что электрон ( дырка) сильно взаимодействует с диполями, возникающими в кристаллической решетке при оптических колебаниях ( см. гл. [8]
Положительное отклонение электропроводности от расчетной величины объясняется увеличением доли ионных связей в этих расплавах. [10]
При этом принималось, что связь в CdSb преимущественно ко-валентная и доля ионной связи очень мала. [11]
Авторы считают, что упорядочение в катионной решетке ковалент-ного кристалла вызвано той долей ионной связи, которая в нем всегда существует. [12]
Возникновение четырех пар спиново-связанных электронов приводит к образованию алмазоподобной решетки сфалерита с некоторой долей ионной связи. [13]
 |
Зависимость ширины запрещенной зоны соединений A1UBV от суммарного атомного номера компонентов. [14] |
От фосфидов к антимонидам ( стибидам) закономерно снижаются температуры плавления вследствие уменьшения доли ионной связи. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5