Собственный атом

Cтраница 1

Диаграмма истинных напряжений отожженного технического железа. [1]

Замещение собственного атома в кристаллической решетке на чужеродный, как и образование вакансии, создает барьеры ближнего действия. Однако легирование вызывает ряд косвенных эффектов: может изменяться межатомное взаимодействие как по величине, так и по характеру, что изменяет сопротивление кристаллической решетки движению дислокаций. Введение чужеродных атомов изменяет вртя релаксации вакансий и, следовательно, избыточную концентрацию вакансий. Легирование, поскольку при этом меняется энергия дефектов упаковки, может увеличивать плотность дислокаций и изменять их свойства. При легировании могут возникать малоугловые границы, меняются константы упругости и диффузии и, наконец, условия фазовых превращений. Это непосредственно или косвенно может оказать влияние на прочность твердого раствора. Как правило, легирование приводит к увеличению сопротивления пластической деформации. [2]

Как и собственные атомы кристалла, примесные атомы могут создавать в нем точечные дефекты. [3]

Энергия ионизации собственных атомов полупроводниковых соединений типа AllIBv лежит в интервале 0 18 эв для InSb и до 1 8 эв для AlSb. Эта важная характеристика полупроводника определяет рабочую температуру изготовленного из него прибора. Чем выше энергия ионизации полупроводника, тем при более высокой температуре может работать прибор из этого материала. Так, если верхний температурный предел работы прибора для германия составляет примерно 80 С при его энергии ионизации, равной 0 75 эв, то для кремния с энергией ионизации, равной 1 12 эв, верхний температурный предел составляет уже 200 С. Для AlSb верхний температурный предел находится выше 300 С. [4]

Энергия ионизации собственных атомов полупроводниковых соединений типа AmBv лежит в интервале 0 18 эв для InSb и до 1 8 эв для AlSb. Эта важная характеристика полупроводника определяет рабочую температуру изготовленного из него прибора. Чем выше энергия ионизации полупроводника, тем при более высокой температуре может работать прибор из этого материала. Для AlSb верхний температурный предел находится выше 300 С. [5]

Альтернативной возможностью расположения лишнего собственного атома в решетке, отличного по симметрии от обычной меж-доузельной позиции, является так называемая краудионная конфигурация. Допустим теперь, что крайние атомы выделенного ряда ( условно, при х - оо) смещены в положительном направлении оси х на постоянную решетки. [6]

Характеристики медно-закисных и селеновых вентилей. [7]

Роль акцепторной примеси исполняют собственные атомы, не вошедшие в кристаллическую решетку. Известны два типа селеновых вентилей: старый, в котором селен наносится на никелированную стальную пластину, и более новый, с применением алюминиевой подложки. В первом случае запирающий слой образуется между селеном с дырочной проводимостью и слоем се-ленида или сульфида кадмия с электропроводностью типа п, образующегося в нижних слоях верхнего электрода из сплава, содержащего кадмий. Образование этого слоя требует электрической формовки под напряжением. [8]

Я, которое создается электронами собственного атома и поляризованными электронами проводимости. [9]

Ня, которое создается электронами собственного атома и поляризованными электронами проводимости. [10]

Вследствие сравнительно высокой энергии ионизации собственных атомов полупроводника ( 0 75 эв для Ge, 1 12 эв на Si) только весьма незначительная доля их ионизируется при комнатной температуре: 2 5 10 3 атомов из общего их числа 4 52 1022 в 1 см3 Ge и 6 8 X X 101 атомов из общего их числа 5 1022 в 1 см3 Si. Вследствие этого при комнатной температуре практически все атомы примесей названных элементов ( по крайней мере в германии) ионизированы. [11]

Вследствие сравнительно высокой энергии ионизации собственных атомов полупроводника ( 0 75 эв для Ge, 1 12 эв на Si) только весьма незначительная доля их ионизируется при комнатной температуре: 2 5 1013 атомов из общего их числа 4 52 1022 в 1 см3 Ge и 6 8 X X 101в атомов из общего их числа 5 1022 в 1 см3 Si. Вследствие этого при комнатной температуре практически все атомы примесей названных элементов ( по крайней мере в германии) ионизированы. [12]

В данном случае загрязняют кристалл изотопы собственных атомов - физические загрязнения. [13]

Этот вид поглощения связан с возбуждением собственных атомов кристаллической решетки и образованием неравновесных при данной температуре электронно-дырочных пар. Так как энергия образования одной такой пары равна ширине запрещенной зоны в данном полупроводнике, то можно вычислить минимальную частоту света, начиная с которой происходит собственное поглощение. [14]

Из двух возможных типов дефектов, содержащих лишний собственный атом ( гантельная и краудионная конфигурации), по-видимому, гантель является энергетически более выгодным статическим точечным дефектом, а краудион проявляет себя как динамический дефект, способный к легкому перемещению вдоль плотно-упакованного ряда атомов. Сравнительная легкость движения крау-диона связана с тем простым обстоятельством, что при достаточной протяженности области сгущения атомов вдоль выделенного ряда смещение центра тяжести краудиона сопровождается незначительным перемещением каждого атома в сгущении. [15]

Страницы: 1 2 3 4