Собственный атом
Cтраница 2
Антисайт: особый вид дефекта замещения, когда собственный атом В занимает положение другого собственного атома А. [16]
Выше мы считали, что атомы примеси замещают собственные атомы кристаллической решетки и образуют со своими соседями валентные химические связи. При этом атомы 1 - 3-валентных элементов являются акцепторами, а 5 - 6-валентных - донорами. [17]
 |
Контакт двух одинаковых по химической природе полупроводников. [18] |
Протекание обратного тока по валентной зоне сопровождается исчезновением собственных атомов в р-области и дырок в л-области. [19]
Энергия ионизации примесных атомов значительно меньше энергии ионизации собственных атомов полупроводника или ширины запрещенной зоны. Поэтому в примесных полупроводниках при низких температурах преобладают носители заряда, возникшие из-за ионизации примесей. Если электропроводность полупроводника обусловлена электронами, его называют полупроводником п-типа, если электропроводность обусловлена дырками - полупроводником р-типа. [20]
Энергия ионизации примесных атомов значительно меньше энергии ионизации собственных атомов полупроводника или ширины запрещенной зоны. Поэтому в примесных полупроводниках при низких температурах преобладают носители заряда, возникшие из-за ионизации примесей. [21]
Определенные примесные атомы изменяют работу выхода лежащих под ними собственных атомов поверхности кристалла. Соответствующие изменения ( повышение или понижение) эмиссии электронов позволяют выявить зоны адсорбции благодаря появлению светлых или темных мест на автоэлектронномикроскопическом снимке. [22]
 |
Основные типы микродефектов ( по Ф. Ф. Волькенштейну. [23] |
Механические дефекты: 1 - пустой узел; 2 - собственный атом в междуузлии. [24]
 |
Изменение силы взаимодействия ( а и энергии связи ( 5 при сближении атомов в кристалле. [25] |
Силы притяжения возникают благодаря взаимодействию электронов с положительно заряженным ядром собственного атома, а также с положительно заряженными ядрами соседних атомов. Силы отталкивания образуются в результате взаимодействия положительно заряженных ядер соседних атомов при их сближении. [26]
 |
Диффузия серебра по границам зерен в меди ( А с h t е г М. R. [27] |
Такой механизм диффузии возможен и для примесных, и для собственных атомов. Однако в ионном кристалле такое простое движение невозможно, так как катион и анион практически не могут поменяться местами. Это ограничение резко уменьшает вероятность подобного перехода в ионном кристалле, потому что в таких условиях возможен лишь кооперативный переход сразу нескольких ионов. Кроме объемной диффузии, в кристаллах наблюдается поверхностная диффузия, диффузия по границам зерен и блоков, порам, дислокациям, разломам и пр. Однако количественное экспериментальное, равно как и теоретическое, исследование этого вида диффузии провести достаточно трудно. [28]
 |
Энергетическая диаграмма полупроводника в сильном электрическом поле. [29] |
Ударная генерация может быть результатом не только разрыва валентных связей собственных атомов полупроводника, но и результатом ионизации атомов примесей. [30]
Страницы: 1 2 3 4