Собственный атом

Cтраница 4

Энергетические спектры примесных пол vii ро пол i. 11 ков. [46]

Рассмотренные полупроводники, в которых заброс электронов через запретную зону связан только с тепловым возбуждением собственных атомов тела, называются собственными полупроводниками. [47]

Дефектом, удовлетворяющим этому условию, может быть чужеродный атом, находящийся в узле решетки вместо собственного атома, вакансия, атом внедрения или комбинация дефектов перечисленных типов. Рассеяние в таком случае обусловлено различием в массе и в величине связи между атомами. Кроме того, могут быть существенны искажения решетки вокруг примесей, вызываемые разными объемами собственного и чужого атомов. [48]

Из-за больших значений § 7 ( по сравнению с энергией образования вакансий Sy) вероятность внедрений собственных атомов в междоузлия в подавляющем большинстве случаев значительно ниже вероятности появления вакансий. [49]

Зонная диаграмма с изобра - НЫМИ электронами И дырками. [50]

Будем теперь считать, что в полупроводнике нарушено термодинамическое равновесие между концентрациями электронов, дырок и собственных атомов решетки. В первый момент после нарушения равновесия скорости ХРЭ и Ул могут быть не одинаковыми. Последнее означает, что результирующая скорость исчезновения ( появления) свободных электронов не равна результирующей скорости исчезновения ( появления) дырок. Поэтому мы уже не можем утверждать, что протекающий процесс сводится только к переходу электронов из зоны проводимости в валентную зону, и понятие скорости рекомбинации теряет в данном случае конкретный смысл. [51]

Типичная зависимость ее от температуры представлена на рис. 2.6. При низких температурах, когда вероятность ионизации собственных атомов полупроводника мала, концентрация электронов и дырок определяется в основном концентрацией примеси и слабо зависит от температуры, так как все примесные атомы ионизируются при очень низкой температуре. Удельная электрическая проводимость падает с ростом температуры за счет уменьшения подвижности носителей заряда. [52]

Поляризация полупроводниковой среды непосредственно сказывается и наэнергии возбуждения собственной проводимости, облегчая отрыв электрона и от собственного атома решетки. [53]

Температурные зависимости эффективных магнитных полей на ядрах Fe57 в октаэдрических ( / и тетраэдрических ( 2 позициях решетки Y3Fe5Oi2. [54]

Это дает возможность утверждать, что изменения величины Дэф на ядре коррелируют с флуктуациями магнитного момента электронов собственного атома. [55]

Уменьшение сопротивления термисторов, выполненных на основе монокристаллических полупроводников, объясняется увеличением концентрации носителей зарядов за счет ионизации примесных и собственных атомов при увеличении температуры. Для поликристаллических окисных полупровбдни-ков характерны наличие незаполненных электронных оболочек и переменная валентность. Электропроводность их в основном определяется подвижностью носителей зарядов. [56]

В отличие от вынужденного деления, основанного на захвате ядром нейтрона, запаздывающее деление основано на захвате электрона из собственного атома. Анализ экспериментов показал, что запаздывающее деление должно наблюдаться в широкой области тяжелых атомных ядер. Это позволяет надеяться, что открытие поможет в работе по получению новых изотопов тяжелых элементов. [57]

Водород, диффундирующий в кристаллическую решетку металла в виде протона, является активным химическим веществом и может взаимодействовать с собственными атомами, атомами других химических элементов, дислокациями, связями в кристаллической решетке металла. Водород может перемещаться в решетке и в виде нейтральных атомов и в виде ионов, отрицательно заряженных. Выявлен целый ряд механизмов взаимодействия водорода с металлом, принципиально отличающихся друг от друга. [58]

Высокочувствительная линия в спектре элемента может оказаться непригодной для количественного анализа, так как при возрастающем количестве этого элемента его собственные атомы в холодной части пламени сильно поглощают собственные резонансные линии, возбужденные в горячей части пламени; в результате чувствительность резко снижается. [59]

Работа большинства полупроводниковых приборов обеспечивается примесным механизмом проводимости, тогда как собственная проводимость, связанная с определенной энергией активации электронов собственных атомов полупроводника ( с шириной запрещенной зоны), обычно определяет допустимую температуру эксплуатации приборов. [60]

Страницы: 1 2 3 4