Cтраница 3
Схемы возникновения дефектов в кристаллах. [31] |
Самые простые дефекты в идеальной кристаллической решетке возникают в результате замещения собственного атома чужеродным, внедрения атома в междоузлие, отсутствия атома в одном из узлов кристаллической решетки. [32]
Возможен также другой механизм, при котором атомы примеси, не замещая собственные атомы, внедряются в междуузлие кристаллической решетки. В этом случае электроны примесных атомов уже не участвуют в образовании валентных химических связей, а принадлежат только данному атому. Отсюда следует, что при любой валентности примесных атомов все их электроны находятся на невозбужденных орбитах. При таком положении вещей донорные или акцепторные свойства примесных атомов не зависят прямым образом от их валентности, а определяются электроотрицательностью. Если электроотрицательность примесных атомов больше, чем основных атомов решетки, то примесь обладает акцепторными свойствами. При обратном соотношении в электроотрицательностях атомы примеси являются донорами. [33]
Ядра некоторых радиоактивных изотопов могут поглощать один из электронов А - уровня собственного атома. Порядковый номер ядра уменьшается на единицу при том же массовом числе. Таким образом, превращение при / С-захвате аналогично превращению при позитронном распаде, с той разницей, что / С-захват не сопровождается испусканием частиц. [34]
Неосновными носителями в таком кристалле являются электроны, которые образуются за счет собственных атомов кристалла. В кристалле п-типа основными носителями заряда являются электроны, которые образуются благодаря наличию до-норной примеси. Неосновными носителями здесь являются дырки, которые образуются за счет собственных атомов кристалла. [35]
Экспериментальные кривые. [36] |
В некотором интервале температур, когда все примесные атомы ионизированы, а ионизация собственных атомов еще не произошла, концентрация носителей остается постоянной. В этом случае возможен рост удельного сопротивления материала за счет уменьшения подвижности носителей. [37]
Если остов примесного атома ( атом минус внешние валентные электроны) подобен остову собственного атома ( они могут различаться на один ядерный заряд), то примесные уровни проявляют тенденцию быть мелкими. [38]
Антисайт: особый вид дефекта замещения, когда собственный атом В занимает положение другого собственного атома А. [39]
Водород в виде протонов без электронных оболочек химически активен, способен взаимодействовать с собственными атомами, атомами других химических элементов, дислокациями. Водород, поступающий из внешней среды, должен адсорбироваться на наружной поверхности, хемосорбироваться и затем проникнуть в решетку в виде протонов. [40]
Примесные носители создаются в кристалле полупроводника не только чужеродными атомами, но и собственными атомами в том случае, если они оказываются в междоузлии. Так, переход атома Si в междоузлие вызывает образование двух локальных энергетических уровней: атом в междоузлии действует как донор, а пустой узел - как акцептор. [41]
Диаграмма состояния системы серебро - золото. В системе образуется единственный твердый раствор ( г.ц.к.. [42] |
В некоторых случаях один металл растворяет другой за счет замещения в кристаллической решетке его собственных атомов атомами второго металла. В результате образуется твердый раствор замещения. [43]
Типы твердых растворов. [44] |
Если атомы или ионы одного вещества, внедряясь в решетку другого вещества, замещают его собственные атомы или ионы в узлах решетки, возникают твердые растворы замещения. [45]