Кристалл - растута
Cтраница 1
Кристаллы растут с совершенно четко оформленными Cv. Если принять, что энергия кристалла представляет сумму энергии взаимодействия атома с его непосредственным соседом и с ближайшими соседними атомами, причем все взаимодействия каждого типа идентичны, то окажется, что энергия адсорбции этого атома должна зависеть от его положения в кристалле и от строения кристалла. [1]
Кристаллы растут к центру сварочной ванны перпендикулярно поверхности охлаждения. [2]
Кристаллы растут нормально только при низких пересыщениях. При высоких пересыщениях развиваются неправильные формы роста, такие как иглы, полые кристаллы и дендриты. Лед растет в нормальной форме - в виде пластинок - при низких пересыщениях. При высоких пересыщениях он растет в виде игл, полых призм, дендритов или призматических столбиков. При более высоких переохлаждениях на концах кристаллов с большой скоростью вырастают иглы или полые формы. KB г растет в виде монокристалла лишь при очень малых пересыщениях. При более высоких пересыщениях образуются агрегаты разориентированных кубиков. [3]
 |
Склонность металла корневого слоя шва к образованию. [4] |
Встречные кристаллы растут под углом друг к другу, и приходят в соприкосновение не одновременно, а последовательно, в направлении от корня шва к усилению. Поэтому усадочные напряжения растут постепенно и достигают максимального значения в тот - момент, когда весь металл корневого слоя находится практически в твердом состоянии. [5]
Эти кристаллы растут нормально к поверхности охлаждения в глубь жидкого металла ванны и имеют вид дендритов разной величины. [6]
Когда кристаллы растут быстро и неравномерно, не все вторично адсорбированные ионы натрия могут быть заменены ионами бария. [7]
Поскольку кристаллы растут путем присоединения молекул к определенным точкам поверхности, таким, как края слоев, то, по-видимому, примеси достаточно адсорбироваться только на этих точках, чтобы вызвать уменьшение скорости роста. Это объясняет, почему часто очень малое количество примеси сильно влияет на рост. В случае совершенных граней иногда предполагают, что примеси тормозят рост, затрудняя двумерное зародышеобразование путем адсорбции на краях потенциальных двумерных зародышей. Обычно примеси не встраиваются в решетку в заметных количествах, хотя это не всегда так. [8]
 |
Схема цементации меди желе - ПЛОЩЗДЬ КЭТОДОВ уввЛИЧИТ. [9] |
Зародыши кристаллов растут, разряжая на себя новые ионы и возникает система гальванических элементов, общим анодом которых служит железо, а катодами - кристаллы меди. Если по какой-либо причине, например в результате окисления или иного загрязнения поверхности, рост кристаллов прекратится, ионы меди найдут новые центры для адсорбции, способные образовать свежие зародыши. [10]
Зародыши кристаллов растут равномерно по мере продвижения раствора вдоль кристаллизатора. [11]
 |
Распределение кристаллов бензола по размерам в данном сечении колонны.| Распределение кристаллов смеси бензол-тиофен по размерам в данном сечении колонны. [12] |
Другие же кристаллы растут, что подтверждается наблюдаемым увеличением среднего размера кристаллов от сечения к сечению и говорит о том, что в колонне имеет место эффект перекристаллизации, увеличивающей глубину очистки. [13]
 |
Упрощенная диаграмма состояния железо-углерод ( левый угол. [14] |
В ней кристаллы растут в осевом направлении ( рис. 150, г) и не встречаются друг с другом торцами. Ориентируясь на оптимальную форму ванны, а значит и сечения шва, можно получить наиболее благоприятное расположение столбчатых кристаллов. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5