Кристалл - растута
Cтраница 3
Нельзя считать, что все кристаллы растут из зародышей, у которых длина складок цепей точно равна /, и поэтому желательно рассмотреть распределение длин складок, которого можно ожидать на практике. [31]
Фольмера и И. И. Стран-ского установлено, что кристаллы растут первоначально на недостроенных частях кристаллической решетки. Наиболее быстро растущие грани кристаллов вырождаются в ребра и вершины. При благоприятных условиях роста кристаллы образуются тем большими по величине, чем дольше идет процесс электролиза, пока какая-либо внешняя причина не прекратит их развитие. [32]
Фольмера и И. И. Стран-ского установлено, что кристаллы растут первоначально на недостроенных частях кристаллической решетки. Наиболее быстро растущие грани кристаллов вырождаются в ребра и вершины. При благоприятных условиях роста кристаллы образуются тем большими по величине, чем дольше идет процесс электролиза, пока какая-либо внешняя причина не прекратит их развитие. Если прервать электролиз и возобновить его через некоторое врем я, то обычно возникают мельчайшие кристаллы, из которых только постепенно со временем разрастаются большие. Следует, однако, заметить, что одновременно с торможением роста отдельных кристаллов концентрация электролита выравнивается, в результате чего концентрационная поляризация снижается, а также возможно обратное растворение мелких кристаллов и рост за их счет крупных. В целом эти процессы протекают сопряженно и приводят обычно к укрупнению структуры осадка. [33]
Процесс кристаллизации имеет известную направленность: кристаллы растут в направлении, обратном теплоотводу, в глубь жидкости, причем внешняя форма их зависит от условий соприкосновения друг с другом. [35]
 |
Схема кристаллизации металла в сварочной ванне. [36] |
В узком шве с глубоким проваром кристаллы растут навстречу друг другу, что создает условия скопления неметаллических включений и возможного образования горячей трещины в центре шва. В широком шве кристаллы растут к вершине шва и неметаллические включения вытесняются в его верхнюю часть, обеспечивая одновременно свободный выход на поверхность газов и шлаков. [37]
Из таблицы видно, что ПП кристаллов растут в ряду MF - МС1 - - МВг - Ml, т.е. вместе с увеличением ковалентности связи. В горизонтальных строчках таблицы наблюдается немонотонное изменение ПП, вызванное поляризующим действием анионов. [38]
Из таблицы видно, что ПП кристаллов растут вместе с увеличением ковалентности связи в рядах MFMC1 MBrMI. В горизонтальных строчках таблицы наблюдается немонотонное изменение ПП, вызванное поляризующим действием анионов. Так, в результате разрыхляющего влияния фтор-иона на электронные оболочки цезия, рубидия и калия увеличивается концентрация электронов в межатомном пространстве и увеличивается ПП. Поскольку поляризующее действие галоген-ионов падает с ростом радиуса, то увеличение ПП, начавшееся в случае фторидов с калия, у хлоридов имеет место, уже начиная с рубидия, а у бромидов и иодидов - только с цезия, причем Дпвг ПсзВг-RbBr A irtcsi - кы. [39]
Поверхности граней пассивируются, и лучки кристаллов растут разъединенно, как бы стремясь к области раствора, свободного от коллоида и ионов посторонней соли, а также более богатого ионами металла. [41]
Дальше от стенок охлаждение замедляется, и кристаллы растут свободнее. Столбчатые кристаллы занимают большую часть слитка. В центре металл стынет еще медленнее, образуется третья зона кристаллов. В жидком металле возникают новые центры кристаллизации, которые растут свободно; кристаллы 4 получаются крупнее и ориентируются беспорядочно. Усадочная раковина получается в центре слитка, в верхней его части. Усадочные раковины могут быть небольших размеров, могут быть вытянуты вдоль слитка на большую глубину, они имеют различную форму, могут быть сосредоточены в одном месте или рассеяны. [42]
В большинстве лабораторных и технических методов выращивания кристаллы растут не свободно, они стеснены стенками сосуда или неравномерным распределением температуры в окружающей среде и принимают форму, далекую от естественной многогранной формы. Только при выращивании из растворов или из паров кристаллы растут, не стесняемые стенками сосуда, и принимают симметричную многогранную форму. [43]
Если кристаллообразование протекает без внешнего воздействия, то кристаллы растут в виде определенных многогранников различной симметрии, что является следствием пространственного расположения атомов в решетке. Хотя размеры разных граней двух кристаллов одного и того же вещества могут сильно отличаться, все углы, образуемые соответствующими гранями этих кристаллов, равны между собой и характерны именно для данного вещества. Это свойство кристаллов известно под названием закола Гюи. [44]
 |
Влияние дополнительного обжига на дисперсность и чистоту порошка BN. [45] |
Страницы: 1 2 3 4 5