Кристалл - растута
Cтраница 2
Странского, кристаллы растут первоначально на недостроенных участках кристаллической решетки. Наиболее быстро растущие грани кристаллов вырождаются в ребра и вершины. При благоприятных условиях роста кристаллы получаются тем большими по величине, чем дольше длится процесс электролиза. Если прервать электролиз и возобновить его через некоторое время, то первоначально возникнут мельчайшие кристаллы, из которых только постепенно со временем разрастутся большие. Возможно также обратное растворение мелких кристаллов и рост за их счет крупных. В целом эти процессы протекают сопряженно и обычно приводят к укрупнению структуры. [16]
 |
Габитус кристалла.| Рост кристалла аммоний-магний-сульфата в последовательные. [17] |
Если грани кристалла растут с постоянными скоростями ( или постоянными относительными скоростями), то форма кристалла будет оставаться геометрически подобной. [18]
В первом случае кристаллы растут перпендикулярно к поверхности детали, а во втором, из-за образования новых центров кристаллизации - беспорядочно, хаотически. При этом пористость осадка, полученного в электролитах, состоящих из комплексных солей, резко снижается по сравнению с осадками, получаемыми в электролитах, состоящих из простых солей. [19]
 |
Величины зерен металла в зависимости от скорости его охлаждения. [20] |
В начале кристаллизации кристаллы растут свободно, сохраняя свою форму. В дальнейшем они все чаще примыкают друг к другу и, сталкиваясь, деформируются, теряя свою геометрически правильную форму и приобретая неправильную или округлую форму. Кристаллы, имеющие такую форму, называют зернами. [21]
Считают, что кристаллы растут преимущественно без включения примесей, так что в окружающем слое расплава содержание примесей повышается. При этих условиях продолжающийся рост кристаллов будет зависеть от диффузии к их поверхности молекул основного вещества, которые кристаллизуются сравнительно легко, а также от диффузии от поверхности кристаллов молекул примеси, которые не могут легко включаться в решетку. Волокнистый габитус может быть при этом объяснен такими благоприятными условиями кристаллизации, при которых удлиненные кристаллы могут продолжать свой рост в длину, так что их верхушки более обильно обеспечиваются молекулами основного вещества из нетронутого расплава, тогда как их стороны, окруженные расплавом с повышенным, содержанием примеси, вынуждены развиваться относительно медленнее. [22]
При дальнейшем окислении эти кристаллы растут за счет других, а на поверхности начального слоя образуются новые кристаллики. [23]
В данном растворе все кристаллы растут с одинаковой линейной скоростью dL / dt независимо от их величины. Следовательно, если за время т один кристалл увеличил свой характерный линейный размер L на величину AL, то и другие кристаллы ( меньшие или большие) за это время должны увеличиться также на AL. Этот закон, однако, не относится к весьма малым кристаллам, потому что, как известно, их растворимость Со значительно выше, чем растворимость больших кристаллов. [24]
 |
Микрофотографии нитевидного кристалла серебра ( по А. Г. Самарцеву. [25] |
Поэтому на таких участках кристаллы растут наиболее интенсивно, что приводит к образованию игло - и нитеобразных единичных кристаллов. Кристаллическая нить часто ограничивается правильными гранями. Иногда она дает резкие пространственные изломы по плоскостям двойниковых срастаний, но остается монокристаллической. [26]
 |
Различные скорости роста у разных граней кристалла. Viv2u3. [27] |
Это значит, что кристаллы растут, начиная с середины граней, а ребра и вершины являются менее подходящими местами для осаждения. Действительно, у многих неполярных кристаллов, особенно металлических кристаллов, выращенных из парообразной фазы, часто наблюдаются пирамидо-образные структуры, растущие послойно от середин грани и обрывающиеся к его краю. [28]
Обычно считают, что кристаллы растут по двухстадийному механизму: молекулы, поступающие из газовой фазы, сначала конденсируются в подвижный адсорбированный слой и могут либо перейти из него в газовую фазу, либо присоединиться к решетке кристалла. [29]
Возникает возможность загрязнения, если кристаллы растут слишком быстро. Чтобы избежать этого, раствор осадителя прибавляют возможно медленнее, например по каплям. Когда осадок уже образовался, то наблюдается постепенный рост мелких кристаллических частичек. Наряду с этим крупные кристаллы также растут за счет более мелких. В том и другом случае из микрокристаллов обычно возникают грубокристаллические агрегаты кристаллов, которые легко отфильтровываются. Эти процессы требуют некоторого времени. Поэтому полученный осадок после осаждения часто не рекомендуется сразу же отфильтровывать. В маточном растворе всегда остается некоторое количество неосаждаемого определяемого вещества, которое зависит от растворимости осадка. Растворимость осадка BaSO4 меньше, чем растворимость PbSO4, поэтому в растворе остается больше свинца, чем бария. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5