Кристалл - растута
Cтраница 5
Если охлаждение вести медленно, оставив, например, насыщенный раствор охлаждаться просто на воздухе, выпадающие вначале кристаллы растут. После продолжительного стояния кристаллы могут вырасти До очень крупных размеров. Такие кристаллы менее удобны для работы и менее чисты, чем мелкие. Внутри крупных кристаллов может даже оставаться маточный раствор. Следовательно, загрязнения, содержавшиеся во взятом для перекристаллизации веществе, полностью не будут удалены. [61]
В ряде случаев замечено, что если соединение неустойчиво и разлагается, пусть с небольшой скоростью, то кристаллы растут медленно, со множеством дефектов. [62]
Фрэнк [26], изучая макроскопические кристаллы, показал, что если на плотноупакованной поверхности выступают винтовые дислокации, то такие кристаллы растут быстрее совершенных кристаллов. Происхождение подобных дислокаций еще не выяснено. В некоторых зародышах они появляются совершенно случайно, после чего эти зародыши растут быстрее, чем зародыши без дислокаций; не исключено также возникновение дислокаций на стадиях, значительно более поздних, чем процесс образования зародышей. [63]
Вульф [ 251 показал, что равновесная форма кристалла зависит от свободных энергий граней; он высказал предположение, что грани кристалла растут со скоростями, пропорциональными их соответствующим свободным энергиям. Лауэ 126 ] видоизменил теорию Вульфа, указав, что необходимо рассмотреть все возможные комбинации граней, чтобы определить, какая из комбинаций дает минимальную поверхностную свободную энергию. Вульф показал также, что скорость роста грани будет обратно пропорциональная ретикулярной или решетчатой плотности, соответствующей плоскости решетки, так что грани, имеющие низкие ретикулярные - плотности, будут расти быстро и в конце концов исчезать. [64]
 |
Характеристики адеорбционно-кинетического режима сокристал-лизацви некоторых примесей из растворов солей. [65] |
На поверхности кристаллов, обследованной оптическими методами с разрешением 10 - 5 см, не обнаружено слоев, так что, возможно, кристаллы растут путем отложения монослоев. Наконец, рост кристаллов протекает при выполнении условия (4.1.51) и захват можно считать квазистационарным. [66]
Частицы аэрозолей серы и селена могут осаждаться в виде шариков в переохлажденном состоянии; затем в нескольких центрах может начаться кристаллизация, и эти кристаллы растут за счет изотермической перегонки из переохлажденных частиц. Многое зависит от размера исходных частиц и плотности осадка. Если эти параметры превышают некоторую критическую величину, происходит рост крупных капель за счет более мелких, тогда как при низких концентрациях и размерах растут кристаллы. Это различие связано с градиентом концентрации пара; по мнению Колыыют - тера2, такие же изменения происходят и во взвешенных частицах. [67]
Страницы: 1 2 3 4 5