Полупроводниковый кристалл

Cтраница 1

Фрагмент периодической системы элементов Д. И. Менделеева. [1]

Полупроводниковый кристалл представляет собой систему, состоящую из атомных ядер и электронов, в большей или меньшей степени связанных с ядрами. [2]

Полупроводниковый кристалл или комплект кристаллов, на которых реализуется центральный процессор ЭВМ ( С. Обязательными компонентами микропроцессора являются арифметико-логическое устройство ( А. Они характеризуются скоростью, длиной слова ( внутренней и внешней), архитектурой ( А. Эффективность микропроцессора определяется сочетанием этих характеристик, а не только временем цикла. Большинство микропроцессоров имеет фиксированную систему команд. Микропрограммируемые процессоры оснащаются управляющим запоминающим устройством, в котором хранится микропрограмма или встроенные программы, определяющие набор реализуемых команд. Такие процессоры могут быть однокристальными или разрядно-модульными ( В. [3]

Полупроводниковые кристаллы отличаются от диэлектрических большими значениями показателя преломления ( до - 9), что требует во многих случаях нанесения просветляющих покрытий. Оптические свойства полупроводников весьма сильно зависят от температуры. Полупроводниковые кристаллы являются перспективными оптическими материалами ввиду возможности синтеза большего числа полупроводниковых соединений с самыми различными оптическими характерист иками. [4]

Полупроводниковые кристаллы, используемые в этих диодах, не претерпели каких-либо существенных конструктивных изменений, однако отсутствие герметичного корпуса требует особенно тщательной их защиты от воздействия окружающей среды. Для этого используют окисные или другие диэлектрические пленки, которые получают в процессе изготовления полупроводникового активного элемента в сочетании с последующим нанесением лаков или смол, служащих также и для защиты кристаллов от случайных механических воздействий, а также герметизацию всей схемы. Надо отметить также сложность монтажа диодов с круглым керамическим держателем в схему, так как трудно добиться полного совмещения полоски на держателе с полоской на подложке, в результате чего в передающем тракте возникают ступеньки, увеличивающие потери в схеме. В связи с тем, что теплопроводность материалов, применяемых для изготовления подложек микросхем, значительно ниже ( за исключением бериллиевой керамики), чем у металлов, мощность рассеяния у приборов с керамическим теплоотводом меньше, чем у диодов в корпусах с металлическими кристал-лодержателями. [5]

Полупроводниковый кристалл представляет собой систему, состоящую из огромного числа атомных ядер и электронов. [6]

Полупроводниковые кристаллы выращивают в горизонтальных лодочках по тому или иному варианту метода Бриджмена - Стокбаргера. [7]

Полупроводниковый кристалл с прямоугольным поперечным сечением 1X2 мм2 и длиной 2 см содержит 10 см-3 акцепторов. Затем этот кристалл легируется донорами с концентрацией 5 - Ю16 см-3. [8]

Полупроводниковый кристалл способен заменить не одну лампу, а целый ламповый блок со множеством различных деталей, стать основой для аппаратуры принципиально нового типа, где функции электронных приборов выполняют небольшие группы различных молекул. [9]

Полупроводниковый кристалл чаще всего изготавливается из кремния. Благодаря сложной технологической обработке кристалла в нем создаются электронные молекулы, соединенные в электрическую схему. Это позволяет в одном кристалле ( размером примерно 5x5 мм) создавать сотни тысяч взаимосвязанных электронных молекул, выполняющих сложные преобразования информации. Стремление исследователей создать еще более компактные интегральные схемы приводит к поискам решений, в которых элементами этих схем будут молекулы вещества в обычном их понимании. [10]

Прямозонные полупроводниковые кристаллы обладают очень высоким однофотонным поглощением при зона-зонном переходе. Поэтому необходимо очень точно подстраивать частоту излучения, чтобы потери, вносимые межзонным поглощением, не погубили процесс четырехволнового поглощения. В настоящее время в прямозонных полупроводниках наиболее часто используются процессы многофотонного, в частности двухфотоиного, поглощения, например, в кристаллах CdS и CdSe. При этом коэффициент поглощения определяется мощностью падающего излучения и может регулироваться за счет ее изменения. Возникающая же плазма свободных носителей по-прежнему приводит к изменению показателя преломления. [11]

Пьезоэлектрические полупроводниковые кристаллы типа А2В6 и А3В5 ( ZnS, CdS, ZnO, GaAs и др.) представляют особый интерес из-за удачного сочетания пьезоэлектрических и полупроводниковых свойств. [12]

Использовался полупроводниковый кристалл, на заднюю грань которого было нанесено высокоотражаюшее покрытие 3i, а передняя грань была просветлена. Излучение лазера объективом / направлялось в кристалл BaTiOa ( пятно с d 1 мм), после прохождения которого оно с помощью зеркал Зг и Зз формировало петлю накачки и вновь попадало в кристалл. [13]

Рассмотрим полупроводниковый кристалл с шириногс запрещенной зоны ДЕ и выясним, какова природа первого возбужденного состояния в нем. IB валентной зоне заняты электронами, а зона проводимости совершенно пуста. [14]

Некоторые изолирующие и полупроводниковые кристаллы обладают способностью изменять свою проводимость под действием ядерных излучений. Это свойство используют на практике в так называемых кристаллических детекторах. Различают два типа кристаллических детекторов: диэлектрические кристаллические счетчики и полупроводниковые кристаллические счетчики. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5