Полупроводниковый кристалл

Cтраница 2

Существование полупроводниковых кристаллов с длинами пробега порядка межатомных расстояний ставит под сомнение допущение о небольших масштабах возмущений периодичности, вызываемых тепловым движением. [16]

Интерферограмма в отраженном свете при остывании кристалла кремния толщиной 0 38 мм после выключения разряда в кислороде. Температура кристалла в момент выключения разряда ( показан стрелкой составляет 325 5 С, 10 - й минимум соответствует температуре 270 0 С, 22 - й минимум 217 2 С. Контраст увеличивается от 0 068 ( для первой полосы до 0 27. [17]

Для полупроводниковых кристаллов применяется зондирование пучком с длиной волны вблизи края собственного поглощения. При увеличении температуры край поглощения сдвигается в длинноволновую область, при этом уменьшается контраст интерферограммы. [18]

Структура энергетических зон кристаллов полупроводника. [19]

У полупроводниковых кристаллов со структурой типа алмаза, таких как германий и кремний, обладающих высокой степенью симметрии, проводимость при обычных условиях изотропна. Однако если по одной из кристаллографических осей германия или кремния приложено давление, то происходит анизотропное изменение его проводимости. [20]

У полупроводниковых кристаллов со структурой алмаза, таких, как германий и кремний, обладающих высокой степенью симметрии, удельная проводимость при обычных условиях изотропна. Однако если по одной из кристаллографических осей германия или кремния приложено давление, то происходит анизотропное изменение его удельной проводимости. [21]

Зонные энергетические диаграммы различных кристаллов. [22]

У полупроводниковых кристаллов проводимость определяется прежде всего количеством электронов, преодолевших запрещенную зону и проникших в зону проводимости. Поэтому сопротивление полупроводников уменьшается с увеличением температуры. [23]

Свойства полупроводниковых кристаллов очень сильно зависят от содержания определенных примесей, которые должны вводиться в основной материал кристалла. Методы расчета содержания примесей имеют, следовательно, особое значение при изготовлении кристаллов полупроводников методом зонной плавки. [24]

Поляризация полупроводниковых кристаллов наблюдается только, если их омическая проводимость не успевает полностью за полупериод изменения внешнего электрич. [26]

Возбуждение полупроводникового кристалла осуществляется за счет инжекции неосновных носителей через р-п переход под воздействием прямого напряжения, источник которого подключается к переходу. [27]

Выращивание простых полупроводниковых кристаллов вертикальным методом Бриджмена - Стокбаргера практикуется редко главным образом потому, что такие вещества, как кремний и германий, при затвердевании расширяются на несколько процентов по объему. Цилиндрический тигель, используемый в вертикальном варианте метода Бриджмена - Стокбаргера, не позволяет растущему кристаллу расширяться, что обычно приводит к возникновению больших напряжений. [28]

В полупроводниковом кристалле под действием света образуется равномерно распределенная избыточная концентрация носителей заряда А. [29]

В полупроводниковом кристалле, содержащем донорные примеси, действуют тогда две функции распределения, а именно: обычное распределение Ферми (13.2.3) для электронов на уровнях зоны проводимости и валентной зоны, и функция (13.5.13) - для электронов на донорных уровнях. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5