Полупроводниковый кристалл
Cтраница 3
В полупроводниковом кристалле, содержащем донорные примеси, действуют тогда две функции распределения, а именно: обычное распределение Ферми (13.2.3) для электронов на уровнях зоны проводимости и валентной зоны, и функция ( 13.5 13) - для электронов на донорных уровнях. [31]
 |
Зависимость энергии свободного электрона, находящегося в вакууме, от величины его импульса.| Структура энергетических зон арсенида галлия в кристаллографическом направлении. [32] |
В полупроводниковом кристалле свободный электрон можно считать свободным только условно, так как на электрон в кристалле действует периодическое потенциальное поле кристаллической решетки. Таким образом, эффективная масса - это коэффициент пропорциональности в законе, связывающем внешнюю силу, действующую на электрон в кристалле, с его ускорением. [33]
В полупроводниковом кристалле, содержащем донорные примеси, электроны являются основными, но не единственными носителями тока, так как небольшая часть собственных атомов полупроводникового кристалла ионизована и часть тока осуществляется дырками. [34]
В полупроводниковых кристаллах перенос зарядов осуществляется движением электронов, несущих отрицательный заряд, или дырок, несущих положительный заряд. В очень чистых полупроводниках число электронов проводимости п равно числу дырок р и имеет место только собственная проводимость. В примесных полупроводниковых кристаллах условие пр нарушается и проводимость определяется концентрацией примесных точечных дефектов и их валентной структурой. Избыточные валентные электроны дают вклад в проводимость я-типа, а избыточные дырки-в проводимость р-типа. Поэтому в полупроводниковых кристаллах примеси чрезвычайно резко влияют на электропроводность. [35]
В полупроводниковом кристалле под действием света образуется равномерно распределенная избыточная концентрация носителей тока Дга ( м - 3); обнаружено, что скорость рекомбинации электронов и дырок пропорциональна An. [36]
 |
Зависимость дрейфовой скорости и подвижности носителей заряда от напряженности электрического поля. [37] |
В полупроводниковом кристалле свободный электрон можно считать свободным только условно, так как на электрон в кристалле действует периодическое потенциальное поле кристаллической решетки. [38]
В полупроводниковом кристалле или на диэлектрической подложке размещают активные и пассивные элементы, соединяют их между собой проводниками и изолирующими прослойками. К активным элементам относятся транзисторы и диоды; пассивными являются резисторы, конденсаторы и элементы индуктивности. Широко распространены как микросхемы с элементами, размещенными в объеме или на поверхности, так и микросхемы, часть элементов которых являются навесными; навесные элементы называются компонентами. [39]
 |
Зависимость дрейфовой скорости и подвижности носителей заряда от напряженности электрического поля. [40] |
В полупроводниковом кристалле свободный электрон можно считать свободным только условно, так как на электрон в кристалле действует периодическое потенциальное поле кристаллической решетки. [41]
В полупроводниковых кристаллах, имеющих долю ионной связи, электроны проводимости ( дырки) гораздо сильнее взаимодействуют с оптическими колебаниями, чем с акустическими. Это связано с тем, что электрон ( дырка) сильно взаимодействует с диполями, возникающими в кристаллической решетке при оптических колебаниях ( см. гл. [42]
В атомных полупроводниковых кристаллах тепловое рассеяние значительно при сравнительно высоких температурах. При низких же температурах преобладает рассеяние на примесях. [43]
В идеальном полупроводниковом кристалле электрический ток создается движением равного количества отрицательно заряженных электронов и положительно заряженных дырок. Такой тип проводимости называется собственной проводимостью полупроводника. [44]
В полупроводниковом кристалле дырки ( не заполненные электронами валентные участки) ведут себя подобно положительным зарядам. Они могут объединяться с электронами в системы, напоминающие атом водорода или позитроний. Такие системы называются экситонами. Имея целый спин, являясь бозонами, экситоны способны образовывать бозе-эйнштейновский конденсат и объединяться в кластеры. Ученые из Канады и Франции создали экситонный аналог лазера, в котором усиливается не пучок фотонов, а пучок экситонов. Под действием обычного лазера в небольшом образце полупроводника образуется газ экситонов. Другим лазером создается маленькое движущееся облако экситонов, размером 350 - 400 микрон. При движении облака через кристалл за счет вынужденного рассеяния экситонов на облаке, их плотность в облаке возрастает. В результате происходит усиление пучка экситонов. Поскольку пока не существует экситонного зеркала, усиление пучка может происходить лишь при его однократном прохождении через образец полупроводника. Другой особенностью экситонного лазера является то, что пучок экситонов может существовать только внутри полупроводника. Экситонный лазер дает новые возможности для изучения когерентных потоков энергии и заряда в твердом теле. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5