Полупроводниковый кристалл
Cтраница 4
 |
Значения потенциала ионизации и работы выхода различных элементов в функции их атомного номера.| Эмиссионные постоянные некоторых чистых металлов. [46] |
В неметаллических и полупроводниковых кристаллах электроны проводимости также связаны с решеткой и не могут выйти наружу без затраты энергии. [47]
 |
Автомат для сортировки кристаллов по толщине. [48] |
Как сортируют полупроводниковые кристаллы и пластины. [49]
 |
Устройство фотодиода ( а. схема включения ( б и вольтамперные характеристики ( в. [50] |
Фототранзистор представляет собой полупроводниковый кристалл с двумя n / 7-переходами, включенными последовательно. В отличие от обычного транзистора, управление током в нем осуществляется путем воздействия светового потока на область базы. [51]
 |
Схема ядерного реактора. [52] |
При исследовании полупроводниковых кристаллов широко используются методы двойного электронно-ядерного резонанса и оптич. [53]
 |
Энергетическая диаграмма р-п-пе-рехода при прямом смещении. [54] |
Для возбуждения полупроводниковых кристаллов Используют различные методы: нжекцию носителей заряда через р-пчпереход, электронное возбуждение, оптическую накачку, лавинный пробой полупроводии ка. [55]
 |
СИД с микролинэой и соединитель ( рисунок предоставлен Hewlett-Packard. [56] |
Модернизация структуры полупроводникового кристалла ( использование диодов, излучающих через узкую боковую грань, или лазеров) приводит к улучшению выходной картины излучения, и крайне важным является хороший контакт источника с оптическим волокном. На рис. 8.10 представлено несколько методов улучшения выходной мощности излучения. [57]
 |
Температурная зависимость разности коэффициентов отражения для двух поляризаций светового пучка ( Л 633 нм, падающего на монокристалл кремния под углом 80 ( 1 и 85 ( 2. [58] |
При нагревании полупроводникового кристалла коэффициент отражения Rp при угле падения, слегка превышающем угол Брюстера, уменьшается. [59]
Механизм электропроводности полупроводниковых кристаллов довольно сложен. Описание его основывается на квантовой теории твердого тела. Проводимость применяемых на практике германиевых и кремниевых легированных полупроводниковых кристаллов при обычных температурах определяется концентрацией атомов примесей. Донорные примеси отдают электроны в энергетическую зо. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5