Рассматриваемый кристалл
Cтраница 1
 |
Зависимость величины vf от обратной величины момента инерции для кристаллов пара-дигалоидопроиз-водных бензола. [1] |
Рассматриваемые кристаллы являются изоморфными и принадлежат к пространственной группе C h, содержащей две молекулы в элементарной ячейке. Таким образом, элементарная ячейка описывается двенадцатью координатами. [2]
 |
Определен ие плотности ареометром. [3] |
Рассматриваемые кристаллы помещают на стекло или на зеркало. [4]
 |
Иллюстрации к выводу температурной зависимости времени жизни при рекомбинации через примесные центры в полупроводнике - типа. [5] |
Зонная диаграмма рассматриваемого кристалла изображена на рис. 6.6, а. На рис. 6.6, б показана температурная зависимость п0 ( Т), полученная ранее в гл. [6]
 |
Схема заполнения электронами энергетических уровней в кристалле щелочного металла.| Схема заполнения электронами энергетических уровней в кристалле металла главной подгруппы второй группы. [7] |
Таким образом, рассматриваемый кристалл также должен обладать высокой электропроводностью. [8]
 |
Схема заполнения электронами энергетических уровней в кристалле щелочного металла.| Схема заполнения электронами энергетических уровнен в кристалле металла главной подгруппы второй группы. [9] |
Таким образом, рассматриваемый кристалл также должен обладать высокой электропроводностью. [10]
 |
Схема заполнения электронами энергетических уровней в кристалле щелочного металла.| Схема заполнения электронами энергетических уровней в кристалле металла главной подгруппы. [11] |
Таким образом, рассматриваемый кристалл также должен обладать высокой электропроводностью. [12]
Таким образом, рассматриваемый кристалл также должен обладать высокой электрической проводимостью. [13]
 |
Схема заполнения электронами энергетических уровней в кристалле щелочного металла. [14] |
Таким образом, рассматриваемый кристалл также должен обладать высокой электропроводностью. [15]
Страницы: 1 2 3 4