Рассматриваемый кристалл

Cтраница 4

В разделе рассмотрено расположение молекул в элементарных ячейках некоторых кристаллов. Все рассматриваемые кристаллы, кроме одного, нецентросимметричны и в той или иной степени используются для генерации второй гармоники излучения лазеров. [46]

Перечисленные выше данные по генерации ионов Ho3f в ИАГ относятся к экспериментам, проведенным при температуре 77 К или близкой к ней. Новые лазерные возможности рассматриваемых кристаллов были обнаружены Е. В. Жариковым и его коллегами и детально изучены в ФИАНе и ИКАНе при температуре 300 К. Получена генерация на самонасыщающемся переходе 4 / п / 2 - - 4 / 1з / 2 иона Ег3 в ИАГ с длиной волны Кг около 2 94 мкм. Кайрд с коллегами зарегистрировали генерацию при 300 К на переходе 3Р4 - 3Н5 иона Тт3 в ИАГ с Кг около 2 3 мкм. Группой исследователей под руководством А. А. Каминского зарегистрирована генерация на самонасыщающемся переходе 5 / 6 - 5 / 7 иона Но3 в ИАГ с ur - 2 9 мкм при 300 К. [47]

Перечисленные выше данные по генерации ионов Ho3f в ИАГ относятся к экспериментам, проведенным при температуре 77 К или близкой к ней. Новые лазерные возможности рассматриваемых кристаллов были обнаружены Е. В. Жариковым и его коллегами и детально изучены в ФИАНе и ИКАНе при температуре 300 К. Получена генерация на самонасыщающемся переходе 4 / п / 2 - - 4Лз / 2 иона Ег3 в ИАГ с длиной волны Кг около 2 94 мкм. Кайрд с коллегами зарегистрировали генерацию при 300 К на переходе 3Р4 - 3Н5 иона Тт3 в ИАГ с Кг около 2 3 мкм. Группой исследователей под руководством А. А. Каминского зарегистрирована генерация на самонасыщающемся переходе 5 / 6 - 5 / 7 иона Но3 в ИАГ с ur - 2 9 мкм при 300 К. [48]

Внешней фазой, окружающей кристалл, может быть паровая фаза, жидкость или твердое тело, имеющие состав, отличный от состава кристалла. В результате химического взаимодействия атомов рассматриваемого кристалла с атомами внешней фазы на поверхности кристалла может образоваться слой новой твердой фазы, толщина которого при данных условиях зависит от длительности процесса. [49]

Кристаллооптический анализ, проведенный Е. А. Мухиным, показал, что основные кристаллы в образцах, к которым относятся спектры 3 и 4 на рис. II. Этот вывод подтверждается также условиями получения рассматриваемых кристаллов. [50]

Спектральное распределение интенсивности излучения и поглощения гамма-квантов ядрами атомов в твердом теле. [51]

Несмещенная линия гамма-излучения ( поглощения) ядер в кристалле должна существовать всегда. Если это отношение для фононных частот и рассматриваемого кристалла и выбранных для опыта радиоактивных ядер ER не намного больше 1, то при Т - О К эффект Мессбауэра должен быть заметным. Помимо широкой полосы, сопровождающейся возбуждением фононов при гамма-излучении, должна появляться узкая ( естественной ширины Г - Н / г) линия, как это показано на рис. 19.2. Чтобы понять характер температурной зависимости относительной интенсивности бесфонон-ной линии, обратимся к классическому описанию эффекта. Тепловые колебания кристаллической решетки, в которую входит излучающий атом, рассматриваются как источник частотной модуляции гамма-излучения посредством эффекта Доплера. Именно этим обстоятельством и объясняется обнаруженное Мессбауэром тепловое ослабление резонансного поглощения гамма-квантов твердой мишенью, содержащей ядра иридия: при повышении температуры интенсивность резонансной линии поглощения излучения уменьшается за счет увеличения фононного крыла. [52]

В случае атомов гелия, которые не способны проникать в глубь кристалла, взаимодействие ограничивается только поверхностным слоем атомов. Но для нейтронов, которые легко проходят через рассматриваемый кристалл, требуется весьма своеобразная результативная интерференция с распространением на весь объем кристалла, чтобы добиться хотя бы какого-нибудь рассеяния. Максимальная амплитуда волны, рассеянной атомами той или иной конкретной плоскости, будет располагаться по направлению центрального пятна на рис. 33.14, но и она не будет очень большой, потому что отдельные атомы слабо рассеивают нейтроны. Для весьма особых углов скольжения, показанных на рис. 33.17, амплитуды волн, соответствующих центральному пятну и возникающих от всех плоскостей атомов, будут находиться в фазе. [53]

Рассмотрим полученные результаты как с точки зрения их количественного согласия с экспериментом и данными зонных расчетов, так и с точки зрения возможности воспроизводить на их основе изменения в рассмотренных рядах соединений. Прежде всего отметим, что общие для всех рассматриваемых кристаллов черты зонной структуры ( симметрия состояний на границах зон, атомный состав соответствующих блоховских функций) в модели КРЭЯ воспроизводятся правильно. [54]

В работах [24, 32, 36] рассмотрены структуры зон слоистых соединений - GaS и GaSe. При этом использованы известные экспериментальные данные оптических, фотоэлектрических, магнетооптических и других свойств рассматриваемых кристаллов. [55]

Согласно определению дефект Шоттки образован перемещением атома из нормального узла в некоторое среднее положение на поверхности кристалла. Следовательно, объем кристалла растет при повышении концентрации вакансий, так как при этом увеличивается число узлов в рассматриваемом кристалле. [56]

Приведенная здесь точка зрения [182-184] также имеет свои изъяны. Дело в том, что как и для движения доменных границ в решеточном рельефе, для движения двойникующих дислокаций в рельефе Пайерлса необходимо критическое механическое напряжение или, с учетом того, что рассматриваемый кристалл является сегнетоэлектриком-сегнетоэластиком - критическое электрическое поле. [57]

Прочности связи ( отношение заряда катиона к координационному числу) имеют одинаковое значение Ve для указанных трех кристаллов. Однако электростатические силы ослабевают в последовательности NaF, NaCl, KC1, поскольку возрастают межионные расстояния ( длины связей между катионом и анионом), которые равны 2 31; 2 76 и 3 14 А ( сумма радиусов, табл. 6.2.) Таким образом, твердость рассматриваемых кристаллов понижается именно в этой последовательности. [58]

Паяльная трубка. [59]

Для этого обычно употребляют ручную лупу с десяти - или семикратным увеличением. Рассматриваемые кристаллы помещают на стекло или на зеркало. [60]

Страницы: 1 2 3 4