Рассматриваемый кристалл

Cтраница 2

Схема заполнения электронами энергетических уровней в кристалле металла главной подгруппы. [16]

Таким образом, рассматриваемый кристалл также должен обладать высокой лектропрояодноетью. [17]

Будем полагать, что рассматриваемый кристалл содержит t N катионов / - сорта. [18]

Будем полагать, что рассматриваемый кристалл содержит tiN катионов / - сорта. [19]

Нетрудно понять причину неупорядоченности рассматриваемого кристалла. При более низких температурах скорость изменения ориентации чрезвычайно мала, и моле-кулы оказываются замороженными в одной из двух ориентации, при-чем неупорядоченно. [20]

Предположим, что в рассматриваемом кристалле, содержащем 1 г-атом вещества и имеющем, таким образом, N мест для размещения атомов, содержится п вакансий. [21]

Естественно предположить, что инвариантность конфигурации рассматриваемого кристалла к какому-либо из перечисленных преобразований должна быть связана с соответствующей инвариантностью свойств кристалла. [22]

Так как общее число связей между ближайшими атомами в рассматриваемом кристалле равно Л, параметр х есть относительная доля связей между разноименными атомами. [23]

ИК-спектры поглощения.| Спектр комбинационного рассеяния Cea ( S04 3 - 5IlaO. [24]

Это позволяет думать, что степень асимметризации RoO в решетке рассматриваемых кристаллов невелика, и колебаниям, возникающим из v3 ( F %), соответствует наибольшее изменение диполыюго момента. [25]

Число таких векторов почти равно числу элементарных ячеек NiNzN3 в рассматриваемом кристалле. Потому важно отметить, что для трехмерной решетки большинство составных тонов и обертонов активно в ИК - и КР-спектрах. Например, возможен такой случай, что для неактивного фактор-группового колебания активными окажутся колебания, включающие комбинацию колебаний решетки. Это может привести к широкой полосе поглощения вблизи частоты неактивного основного колебания. [26]

Число таких векторов почти равно числу элементарных ячеек NiN2N3 в рассматриваемом кристалле. Потому важно отметить, что для трехмерной решетки большинство составных тонов и обертонов активно в ИК - и КР-спектрах. Например, возможен такой случай, что для неактивного фактор-группового колебания активными окажутся колебания, включающие комбинацию колебаний решетки. Это может привести к широкой полосе поглощения вблизи частоты неактивного основного колебания. [27]

Различные формы кристаллов кварца. [28]

В кристаллографии пользуются специальными системами координат, которые располагают в рассматриваемом кристалле по определенным правилам. Они в основном сводятся к тому, что в качестве осей координат берут оси симметрии ( см. стр. Начало координат делит пополам участки осей, находящиеся внутри кристалла. Кристаллографические системы координат часто бывают непрямоугольными. [29]

Для темнового - чисто термического отщепления электрона от молекулы в рассматриваемых кристаллах требуется, таким образом, энергия, как правило, меньше порогового кванта света, вызывающего фотопроводимость в видимом максимуме поглощения. Из обширных измерений Вартаняна, проведенных над многочисленными красителями различных классов, следует, что для большинства из них имеет место указанное соотношение. Так, для темновой энергии активации 2Е им получено 0.74 эв в случае кристаллического фиолетового и 1.0 эв в случае метиленового голубого, в то время как длинноволновая граница максимума спектра фотопроводимости, практически совпадающего с максимумом спектра поглощения, находится, около 1.7 эв для первого и 1.65 эв для второго. [30]

Страницы: 1 2 3 4