Cтраница 1
Новый кристалл не может разместиться внутри пространства, оставленного незанятым ранее образовавшимися кристаллами. Поэтому увеличение пространства между частицами ( увеличение В / Ц) также не влияет па объем и размер гелевых пор и пористость геля. [1]
Схема процесса полигонизации размещения дислокаций после. [2] |
Новые кристаллы отличаются более низким содержанием дислокаций и величиной свободной энергии. Механизм рекристаллизации заключается в движении границ кристалла в сторону участков структуры с большей концентрацией дислокаций. Движущей силой рекристаллизации является стремление системы уменьшить свою энергию. [3]
Диаграммы растяжения пластмасс. [4] |
Новые кристаллы закрепляют полученную высокоэластичную деформацию, поэтому вытяжка сохраняется после снятия нагрузки. Термопластичные пластмассы с ориентированной молекулярной структурой при растяжении вдоль направления ориентации не обнаруживают пластического течения. [5]
Образование новых кристаллов в твердом кристаллическом веществе называется вторичной кристаллизацией. Процесс кристаллизации состоит из двух одновременно идущих процессов - зарождения и роста кристаллов. Кристаллы могут зарождаться самопроизвольно - самопроизвольная кристаллизация - или расти на имеющихся готовых центрах кристаллизации - несамопроизвольная кристаллизация. [6]
С появлением нового кристалла связано возникновение поверхности раздела между новой фазой и исходной, на создание которой затрачивается работа. [7]
Процесс образования и роста новых кристаллов, проводимый после предшествующего формоизменения, заканчивается у сталей через 3 часа при температурах выше 600 С. [8]
Схематическое изображение соотношений между решетками старой и новой фаз, обусловливающих прекращение мартенситного роста. [9] |
Быстрое убывание скорости образования новых кристаллов мартенсита при температурной остановке означает прекращение образования зародышей. [10]
Чтобы уменьшить возможность внезапного образования новых кристаллов, степень пересыщения циркулирующей жидкости поддерживается в метастабильной области. За счет классифицирующего действия циркулирующего раствора только более крупные кристаллы оседают на дно. [11]
Свойство нек-рых кристаллов путем срастания образовывать новый кристалл с более сложной симметрией, чем составляющие его части ( мин. [12]
Конец перегонки определяют по прекращению образования новых кристаллов на стенках холодильника; оставшиеся кристаллы смывают паром, для этого после окончания перегонки пропускают пар через холодильник еще в течение нескольких минут. [13]
Вскоре после этого явно наблюдалось образование новых кристаллов при той же температуре, при которой прежние плавились. [14]
Когда вся поверхность капель покрыта кристаллами, новые кристаллы могут образовываться лишь в случае, если ранее образовавшиеся кристаллы отклонятся от равновесного положения, что может происходить в результате флуктуации. При этом обнажается часть поверхности капли и на этом участке образуются новые кристаллы комплекса, мешающие отклонившемуся кристаллу занять свое первоначальное положение. Дальнейшее комплексообразование и нормальная ориентация кристаллов комплекса на границе раздела фаз происходят благодаря флуктуации. Достижению нормальной упаковки кристаллов комплекса на границе раздела фаз способствуют слияние и дробление капель нефтепродукта, вызываемые перемешиванием: при слиянии капель уменьшается общая величина поверхности, что приводит к уплотнению кристаллической оболочки, а при дроблении капель величина поверхности возрастает - при этом она покрывается кристаллами в результате перехода части имеющихся кристаллов в тангенциальное положение и образования новых кристаллов. [15]