Новый кристалл

Cтраница 3

Таким образом все факторы, повышающие поляризацию, способствуют зарождению новых кристаллов и вызывают получение мелкозернистых осадков. [31]

Присутствие кристаллов в пересыщенном растворе или расплаве может иногда катализировать образование новых кристаллов. Это может происходить различными способами. Начальное размножение имеет место, когда кристалл помещается в пересыщенный раствор. Предполагают - что начальное размножение связано с присутствием кристаллической пыли на поверхности вводимого в жидкость кристалла. Пыль образуется либо благодаря механическому истиранию кристаллов друг об друга во время их хранения, либо благодаря быстрому осушению кристаллов при их приготовлении. В достаточно сильно пересыщенных растворах может происходить размножение иглами. Этот процесс заключается в росте игл на концах кристалла, которые обламываются при перемешивании раствора и служат зародышами новых кристаллов. В пределах данной классификации к иглам относятся и всякого рода выступы, образующиеся на материнском кристалле. Некоторые кристаллы, как выяснилось, обладают свойством расти в виде поликристаллических агрегатов. Эти агрегаты могут разламываться в процессе роста, при этом происходит поликристаллическое размножение. [32]

При кристаллизации в псевдоожихенном слое одновременно протекают два процесса: образование Новых кристаллов и рост кристаллов, находящихся в кристаллизаторе Скорость этих процессов определяется величиной начального пересадения раствора [23,89], Оказывая влияние на скорости роста и образования зародышей, степень пересыщения определяет гранулометрический состав продукта. В зависимости от величины пересыщения с разной скоростью параллельно протекают процессы образования зародышей и роста кристаллов, находящихся в аппарате. [33]

Методы крепления алмазов.| Алмазы в оправе. [34]

Правящий карандаш периодически поворачивают вокруг его продольной оси, вводя в работу новые кристаллы алмаза ( или его не затупившиеся грани), что обеспечивает оптимальность износа алмазоносного слоя. [35]

Следователь / но, на индифферентной подкладке в качестве первых элементарных слоев нового кристалла возникнут зародыши именно равновесной грани и образующийся в последствии кристалл будет лежать на поверхности этой же гранью. При этом пересыщение может оказаться достаточным для образования зародышей грани ( 001) и недостаточным для образования зародышей других граней. В этом случае все кристаллы могут оказаться расположенными гранью ( 001) параллельно поверхности подкладки. [36]

Процесс плавления существовавших в полимере кристаллов под действием механических напряжений и образование новых кристаллов, ориентированных в направлении растяжения, называется процессом рекристаллизации. Напряжение, соответствующее перегибу на кривой о - е, называется напряокением рекристаллизации. Появление же оптической и механической анизотропии свидетельствует о протекании в образце полимера фазового перехода. [37]

Процесс плавления существовавших в полимере кристаллов под действием механических напряжений и образование новых кристаллов, ориентированных в направлении растяжения, называется процессом рекристаллизации. Напряжение, соответствующее перегибу на кривой о - е, называется напряжением рекристаллизации. Появление же оптической и механической анизотропии свидетельствует о протекании в образце полимера фазового перехода. [38]

Схемы холодной сварки. я-односторонней. б-двусторонней. [39]

На границе раздела соединяемых частей происходит сращивание их в одно целое за счет образования новых кристаллов. [40]

Кристаллы серебра, выделившиеся из раствора нитрата серебра. Масштаб 1. 2. [41]

Таким образом, все факторы, повышающие поляризацию ( перенапряжение), способствуют зарождению новых кристаллов и вызывают получение мелкозернистых осадков. Наоборот, с уменьшением катодной поляризации скорость образования зародышей кристаллов понижается и осадок получается крупнозернистым. [42]

Растворы KN03 ( при 20 С растворимость KNO3 равна 30 г на 100 г воды. [43]

Если вы добавите вторую ложку кристаллов нитрата калия в тот же стакан и перемешаете, новые кристаллы также растворятся. Но если вы будете продолжать их добавление, рано или поздно какое-то количество кристаллов останется на дне, как бы долго вы бы не перемешивали содержимое стакана. [44]

Неисправный кристалл с ИМС можно удалить при помощи нагреваемой вакуумной присоски с разогретым наконечником и новый кристалл установить на его место, после чего припой вновь расплавляют и повторное при-паивание осуществляют так же, как и первое. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5