Новый кристалл

Cтраница 4

Нарушения строения, подобные тем, которые вызываются пластической деформацией, возникают и в результате образования нового кристалла мартенсита в области, окружающей уже имеющийся кристалл. Это должно приводить к облегчению образования новых зародышей; по-видимому, с изменением распределения этих нарушений и уменьшением локальных напряжений ( пиков напряжений) при выдержке связана стабилизация аустенита при остановке охлаждения. [46]

В результате осаждения металла при электролизе продолжают расти уже имеющиеся в металле катода кристаллы или образуются и растут новые кристаллы. При изучении закономерностей роста кристаллов было установлено, что различные участки на поверхностях кристаллов энергетически не равноценны; в зависимости от того, на каком из этих участков окажется после осаждения из раствора нейтрализуемый атом, освобождаются различные количества энергии. Если осаждаемые атомы с одинаковой вероятностью могут достигнуть любого места на поверхности кристалла, то рост кристалла будет продолжаться прежде всего там, где пристройка нового атома приводит к освобождению наибольшего количества энергии, то есть рост кристаллов энергетически наиболее выгоден. [47]

Попытки возвратить мелкие кристаллы в один из корпусов ВКУ для использования их в качестве затравки для образования новых кристаллов не дали положительных результатов, так как для создания условий образования крупных кристаллов в перенасыщенном растворе необходимо удалять избыточное количество зародышей или очень мелких кристаллов eiue в начале процесса кристаллизации, чтобы кристаллизующееся вещество осаждалось только на поверхности уже образовавшихся кристаллов. [48]

В третий период кристаллизации, когда капля становится тонкой и испарение из середины идет значительно быстрее, возникают новые кристаллы В, беспорядочно ориентированные и имеющие ясно выраженную форму дендритов. Процесс кристаллизации соли весьма схож с процессом за гвердевания металлического слитка. [49]

Количество энергии, затрачиваемое на осаждение серебра на существующий серебряный кристалл, меньше, чем затрачиваемое на образование центра нового кристалла; таким образом пока потенциал сохраняет значение, близкое к равновесному, ток расходуется главным образом на увеличение существующих кристаллов, а не на образование новых. Кроме того, если на катоде один кристалл начинает вырастать, конец кристалла постоянно находится в тех частях раствора, где концентрация соли сравнительно высока, в то время как в пространстве между растущими кристаллами может иметь место обеднение раствора. [50]

На поверхности кромок в момент выдавливания жидкого металла или шлаков при осадке создаются особенно благоприятные условия для появления многочисленных центров новых кристаллов, особенно на границе в гетерогенной области, где остаются отдельные микроучастки или частицы оплавленного металла. [51]

Известно, что в настоящее время в области монокристаллического материаловедения выделяются три направления: поисковые исследования, связанные с созданием новых кристаллов; исследования, направленные на получение высокосовершенных монокристаллов и разработка технологии выращивания крупных и особо крупных монокристаллов. Развитие методов и аппаратуры для выращивания монокристаллов находится в зависимости от указанных выше направлений. [52]

Кристаллическая решетка нечетко выраженных кристаллов, вероятно, так сложна, что заметный рост кристаллов почти исключается: могут возникнуть лишь новые кристаллы. [53]

IS. Зависимость напряжения, развиваемого в сверхвытянутом ПЭ-волокне при закрепленных концах образца, от температуры.| Зависимость модуля упругости ПЭ-волокна от длительности хранения при 22 С после отжига сверхвытянутого образца при 132 5 С ( явление самоужесточения 147 ]. [54]

Структурно самоужесточение образца связано с медленной кристаллизацией малого количества материала ( - 10 %) с образованием с-текстуры, при этом образуются новые кристаллы ламеляр-ного типа, на что указывают данные МУРРЛ и наблюдения за акустическими модами лазерного комбинационного рассеяния. [55]

Так как первоначальная ориентировка кристаллов сохраняется ( шестой закон), при рекристаллизации происходит рост уже имеющихся кристаллов, а не образование новых кристаллов. [56]

Кривая пассивирования цинкового катода, полученная в 2 N ZnSQi с добавкой октилового спирта ( 0 0115 М при iK 2 ма /. [57]

Было установлено [9, 10], что при осаждении металлов на одноименном катоде ( например, при выделении серебра на серебряном электроде) происходит не образование нового кристалла, а продолжение роста активных кристаллов поверхности катода. [58]

Образующиеся во второй стадии превращения пересыщенный углеродом феррит и цементит ограничены в своем росте, поэтому следующая стадия превращения состоит главным образом в появлении новых кристаллов структурных составляющих. По существу, происходит объединение второй и третьей стадий превращения. Продолжительность такого превращения составляет 400 - 900 сек и более. [59]

Страницы: 1 2 3 4 5