Новый кристалл
Cтраница 2
Конец перегонки легко узнается по прекращению образования новых кристаллов на стенках холодильника; остающиеся рекомендуется смыть паром, для чего при окончании перегонки пропускают его через холодильник еще в течение нескольких минут. [16]
В этих участках наиболее вероятно образование зародышей новых кристаллов. При малой степени деформации число зародышей невелико и они могут развиваться вплоть до столкновения, образуя крупные зерна. При увеличении степени деформации число зародышей увеличивается, а величина каждого зерна уменьшается. [18]
Метод Вернейля оказался исключительно перспективным при поиске новых кристаллов. Например, в системе Ьа2Оз - Ьп2Оз область образования монокристаллов твердых растворов сужается с возрастанием порядкового номера. В области избыточного содержания Ьа2Оз образуются кристаллики гексагональной формы, в то время как в области избыточного содержания Ьп2Оз - кубической формы. В системах 8т2Оз - Ьп2Оз и Gd2Os - Ьп2Оз образуются монокристаллы всех трех структурных типов А, В и С. Области образования твердых растворов моноклинной структуры с увеличением порядкового номера редкоземельных элементов уменьшаются, а кубической возрастают. В системах Ву2Оз - Ьп2Оз и Но2Оз - Ьп2Оз образуются монокристаллы двух структурных форм - гексагональной и моноклинной. В системах Ьп2Оз - Но2Оз, Ln2O3 - Ег2О3, Ln2O3 - Tm2O3, Ln2O3 - Yb2O3 и1л2О3 - Y2O3 образуются монокристаллы твердых растворов в самых широких интервалах концентраций. [19]
Закономерное сращивание различных кристаллов или закономерное наращивание нового кристалла на подложку, имеющую изоморфное ( или псевдоморф-ное) строение с растущим кристаллом. Эпитаксия имеет место тогда, когда плоскость подложки захватывает, например, из пара ( газовой фазы) кристаллизующиеся на ней атомы при сохранении соответству-ющегося структурного упорядочения. [21]
 |
Влияние углерода ( а и. [22] |
Дальнейшее превращение протекает в результате образования все новых кристаллов мартенсита. [23]
Чтобы поместить кристалл в жидкую фазу без образования новых кристаллов описанным способом, необходимо погружать кристалл в еще недосыщенную жидкую фазу. И при этом обычно необходимо поддерживать определенную степень недосыщения в течение некоторого ( неопределенного) промежутка времени, прежде чем можно будет переходить к пересыщению без опасности вызвать зародыше-образование. [24]
И действительно, после перерыва электролиза на электроде начинает расти новый кристалл. При кратковременном же перерыве тока образования нового зародыша не наблюдается, но продолжается рост лишь части грани кристалла. В тщательно очищенных растворах перерыв тока не вызывает искажения роста грани. Это свидетельствует о том, что при электролизе не очень чистых растворов на поверхности кристалла во время перерыва тока происходит адсорбция примесей, которые препятствуют продолжению монослойного роста грани после нового включения тока. Процесс адсорбции идет во времени, поэтому кратковременный перерыв тока не полностью нарушает рост кристалла. [26]
 |
Схематическое изображение кристаллов, выделившихся. [27] |
Таким образом все факторы, повышающие поляризацию, способствуют зарождению новых кристаллов и вызывают получение мелкозернистых осадков. [28]
В этих условиях повышается и вероятность возникновения большего числа зародышей новых кристаллов. [29]
 |
Схематическое изображение кристаллов, выделившихся. [30] |
Страницы: 1 2 3 4 5