Толстый кристалл

Cтраница 1

Кристалл кварца разме.| Схема автогенератора о. [1]

Толстые кристаллы имеют меньшую резонансную частоту, а тонкие - более высокую. [2]

Для толстых кристаллов становится существенным многократное диффузное рассеяние с более широким распределением по углу и энергии. Поскольку процессы рассеяния дают электронные пучки, некогерентные с падающим и с каждым другим лучом, можно считать, что диффузное рассеяние возникает внутри кристалла. [3]

Для толстого кристалла, в котором поглощение существенно, можно использовать довод, приведенный Хашимото и др. [180], основанный на рассмотрении фиг. Если дефект находится в нижней части кристалла, как показано на фигуре слева, то волна ф 1) сильно ослабляется в верхней части кристалла, так что в область дефекта попадает лишь волна г з ( 2), дающаяг з21 и г з22, которые интерферируют с почти равными амплитудами на выходной поверхности и дают интенсивные полосы в светлом и темном полях, как для тон - кого клинообразного кристалла. [4]

В толстом кристалле распространение волн с я-колебаниями подчиняется другим закономерностям, и практически такие волны почти не обладают аномальным прохождением. [5]

В случае толстых кристаллов пучок будет полностью дифрагирован на глубине, равной экстинкционному расстоянию 4, которое будет определено позднее. Этот вопрос также будет подробнее рассмотрен в дальнейшем. [6]

Такой контраст для толстых кристаллов, по-видимому, объясняется особой природой динамических эффектов при дифракционных условиях, имеющих место для высокосимметричных кристаллов, и существованием определенных соотношений между структурными амплитудами и ошибками за счет возбуждения. [7]

Рассмотрим область приближения толстого кристалла при симметричном отражении. Как доказывает табл. 6, при значениях it ж 5 - ь - 6 и более, первое поле, а также интерференционная часть настолько ослабляются, что величина и форма кривых Т и R определяется практически лишь вторым полем. Здесь мы вступаем в область приближения толстого кристалла. [8]

Представляет интерес рассмотреть случай толстого кристалла, обладающего столь малым поглощением, что его можно считать прозрачным. [9]

Угловая ширина дифрагированного в толстом кристалле рентгеновского пучка пропорциональна структурной амплитуде и, как правило, порядка нескольких угловых секунд или 10 - 5 рад. Следовательно, очень небольшие отклонения в ориентации плоскостей решетки могут вызвать большие изменения интенсивности. Уже много лет известно, что слабые деформации в толстом кристалле, возникающие, например, при наличии температурного градиента, вызванного тем, что вблизи кристалла держали палец, будут изменять дифракционную интенсивность на несколько порядков величины. Методы рентгеновской топографии, развитые Лангом [278], применяются для регистрации полей деформаций, обязанных отдельным дислокациям или агрегатам примесей в почти совершенных кристаллах. [10]

Типичные кривые энергетического. [11]

При увеличении измеряемой энергии используются более толстые кристаллы. Толщина выбирается такой, чтобы кристалл поглощал большую часть мес-сбауэровского излучения, но оставался тонким ( и, следовательно, малоэффективным) для более жестких излучений. [12]

При пролете заряженной частицы через достаточно толстый кристалл вблизи брэгговских частот возникают динамические эффекты, и появление в образующемся излучении аномально проходящей части закономерно. [13]

Индексом оо обозначается величины для бесконечно толстого кристалла. [14]

Формула ( 12.127 6) относится к более толстому кристаллу. Следует сделать оговорку, что закон изменения указанных величин с толщиной кристалла при трехволновом рассеянии нам неизвестен. [15]

Страницы: 1 2 3 4