Cтраница 4
Рассматривая рис. 53, а, замечаем, что сплошные кривые, вычисленные с помощью уравнения ( 7.56 а), со знаком минус перед вторым членом в фигурных скобках для области I и знаком плюс для области III, относятся к поглощению при отражении от толстого кристалла. Действительно, как мы показали ранее, в толстом кристалле в области I возникает лишь первое поле и в области III - второе поле. Как видно из рисунка, в области I имеет место интерференционное поглощение, превышающее нормальное поглощение л / у0 за пределами максимума. Величина поглощения первого поля в области I резко возрастает с приближением к границе области полного отражения. [46]
Оценка влияния высоких интенсивностей света на генерацию носителей в кристаллах, как это можно видеть из уравнения (3.1.3.03), включает в себя и изучение взаимодействий экситонов с фотонами. В антрацене синглетные экситоны имеют энергию 3 15 эВ при времени жизни в толстых кристаллах порядка 25 не. Так как ширина запрещенной зоны в этих кристаллах около 4 эВ, возбуждение экситона дополнительными фотонами с энергией 0 85 эВ на уровни, превышающие 4 эВ, с энергетической точки зрения может приводить к образованию автоионизационных молекулярных состояний. В принципе это можно сделать, но из-за малых времен жизни синглетных экситонов их концентрации невелики и необходимо использовать большие интенсивности света. [47]
Конечную структуру можно сравнить с картиной, представленной на рис. 3.116. Пример непосредст - венного наблюдения за линейной скоростью роста кристалла показан на рис. 6.2. Зависимость размеров кристаллов от времени в этом случае измеряется путем быстрого охлаждения части кристаллизующегося раствора через определенные интервалы. Электронно-микроскопический анализ образовавшихся при различных температурах сложных кристаллов позволяет измерить увеличение диаметра внутреннего, более толстого кристалла. [48]
На микрорентгенограммах, или точнее на топограммах2, изображения дефектных участков решетки проявляются как области повышенной интенсивности рассеянного излучения. Второй метод ( метод Бормана, рис. 128 6), напротив, применяют для толстого кристалла ( ц 01 1), когда интенсивность выходящих пучков ( и прямого, и дифрагированного) становится заметной только при выполнении условий так называемого аномального прохождения. При этом энергия рентгеновских лучей распространяется почти без поглощения вдоль атомных плоскостей, находящихся в вульф-брегговском положении. [49]
Когда требуется более высокая точность расчета коэффициентов поглощения, может стать важным учет более тонких деталей. Например, предположение, что любой коэффициент поглощения, выведенный, как в (12.40), для тонкого слоя, можно использовать при расчетах для толстого кристалла ( или эквивалентные предположения в других методах), подразумевает, что отклонение от средней периодичности для одного слоя не скоррелировано для последующих слоев. [50]
Большинство кристаллов, кроме кристаллов кубической системы, обладают двойным лучепреломлением. Луч ( электромагнитная волна) по выходе из прозрачного для него кристалла разбивается на два луча, имеющих направления, параллельные первоначальному и ( при достаточно узком пучке и достаточно толстом кристалле) пространственно разделенные. Один из этих лучей называется обыкновенным, другой необыкновенным. [51]
Мы не увидели существенной связи между полученными результатами и фактом существования поверхностного слоя, структура которого отличается от структуры срединной части кристаллов титаната бария. Действительно толщина слоя, ответственного за формирование рентгеновских дифракционных максимумов, по которым определялось отношение с / а и в наших опытах составляла 3 - 4 мкм; она одинакова как для тонких ( 100 - 150 мкм), так и для толстых кристаллов. Следовательно, наличие поверхностного слоя толщиной от 100 А до 2 - 3 мкм должно было бы привести к одинаковой асимметрии, смещению или расщеплению рентгеновских дифракционных максимумов во всех случаях. Для объяснения толщинной зависимости с / а с помощью представления о поверхностной слое пришлось бы допустить, что его толщина растет с уменьшением толщины кристаллов. [52]
Это рентгенографическое исследование показало, что нитевидные кристаллы одного размера могут весьма заметно отличаться по степени совершенства: имеются различия в количестве дефектов, их характере и расположении, что, вероятно, связано с неподдающимися учету случайностями роста кристалла, а также с возможной деформацией усов при манипулировании. Однако тенденция к повышению совершенства нитевидных кристаллов с уменьшением их размера безусловно имеет место. Если толстые кристаллы состоят из значительно разориентировэнных объемов ( субзерен), то кристаллы толщиной менее 10 мкм более совершенны либо содержат единичные дефекты в виде дислокаций. [53]
При нек-рой отстройке ( г О) от угла Брэгга & перекачка неполная, а при учете поглощения она носит затухающий характер. Для толстых кристаллов имеет место аномального пропускания эффект. [54]
Светлопольное и темнопольное изображения могут иметь разный характер в зависимости от общей толщины фольги. Например, в случае фольги толщиной t - 3te при s 0 и те I0te светло-польное изображение будет прерывистым, а темнопольное изображение - чередующимся, тогда как при толщине фольги t 3 5te наблюдается обратная картина. Для более толстых кристаллов осцилляции контраста заметны лишь около его поверхности и затухают в середине фольги. [55]
Рассмотрим область приближения толстого кристалла при симметричном отражении. Как доказывает табл. 6, при значениях it ж 5 - ь - 6 и более, первое поле, а также интерференционная часть настолько ослабляются, что величина и форма кривых Т и R определяется практически лишь вторым полем. Здесь мы вступаем в область приближения толстого кристалла. [56]
Остатки такой структуры полос отражения проявляются даже на снимках, полученных на расстояниях, весьма близких к фокусному. Это-то и доставляет обычно наибольшие хлопоты исследователям при налаживании спектрографа Кошуа. Он представляет собой рефлексограмму, полученную от сравнительно толстого кристалла на расстоянии 1220 мм от поверхности отражающего кристалла. На снимке четко различима группа раздвоенных линий различной интенсивности, которые при изменении расстояния от кристалла смещаются один относительно другого до тех пор, пока не пропадают вовсе, утрачивая свою четкость и растворяясь в фоне, сопровождающем яркий / Са1 2-дублет меди в фокусе. Появление раздвоенных штрихов, заполняющих, в отличие от прежних рефлексограмм, в большем или меньшем числе на разных расстояниях от кристалла рефлекс по ширине, связано, по всей вероятности, с явлением, впервые открытым Барретом [42] при изучении лауэграмм кристаллов кварца, поверхность которых подвергалась предварительной шлифовке. При рентгенографировании таких кристаллов наблюдалось расщепление пятен лауэграмм, которое исследователи объясняли увеличением интенсивности селективного рентгеновского отражения от искаженных шлифовкой поверхностных слоев кристалла. [57]
Угловая ширина дифрагированного в толстом кристалле рентгеновского пучка пропорциональна структурной амплитуде и, как правило, порядка нескольких угловых секунд или 10 - 5 рад. Следовательно, очень небольшие отклонения в ориентации плоскостей решетки могут вызвать большие изменения интенсивности. Уже много лет известно, что слабые деформации в толстом кристалле, возникающие, например, при наличии температурного градиента, вызванного тем, что вблизи кристалла держали палец, будут изменять дифракционную интенсивность на несколько порядков величины. Методы рентгеновской топографии, развитые Лангом [278], применяются для регистрации полей деформаций, обязанных отдельным дислокациям или агрегатам примесей в почти совершенных кристаллах. [58]
На предметном стекле выпаривают досуха каплю исследуемого раствора; остаток растворяют в капле воды, чтобы получить среду, очень близкую к нейтральной. Прибавляют несколько кристаллов антра-ниловой кислоты и нагревают для растворения реактива и ускорения кристаллизации. Получаются тонкие, бесцветные иглы, часто группирующиеся в розетки, значительно отличающиеся от древовидных и значительно более толстых кристаллов реактива ( см. рис. 15, стр. [59]