Толстый кристалл

Cтраница 3

В отличие от аморфных слоев красителей для весьма чистых монокристаллов антрацена при поперечном относительно приложенного поля освещении сохранялась корреляция между спектрами фотопроводимости и поглощения даже для толстых кристаллов, поглощающих до 99 % падающего света. Для объяснения этого явления Лайонс исходит из предположения, что первичным процессом при возбуждении органического полупроводника является образование экситона. При этом для сильно и для слабо поглощаемого света экситоны распределены неодинаково по глубине кристалла. В первом случае они сосредоточены в основном у освещаемой поверхности. Носители могут возникнуть лишь при распаде экситона. Этот распад вследствие внутренней регулярности строения кристалла осуществляется только на его поверхности. Экситоны мигрируют по кристаллу, причем вероятность достижения ими поверхности падает с глубиной вследствие возможной флуоресценции или конверсии в тепло. Поэтому, несмотря на то, что для толстых кристаллов поглощение света во всей полосе происходит практически полностью, фототек будет чувствителен к форме распределения экситонов по глубине кристаллов для каждой длины волны поглощаемого света, что и проявляется в сохранении корреляции спектров. [31]

В методе Ланга ( образцом служит тонкий кристалл с pi J 1, где ц - линейный коэффициент поглощения; t - толщина кристалла) и в методе Бормаиа ( образец - толстый кристалл с t да 10 - - 30) информация относится ко всему объему кристалла, освещаемому рентгеновскими лучами. Метод Бормана основан па эффекте аномального прохождения рентгеновских лучей ( эффект Бормана), заключающемся в том, что при выводе достаточно совершенного кристалла в отражающее положение поглощение рентгеновских лучей кристаллом резко уменьшается. Наиболее последовательное рассмотрение механизма формирования изображений дефектов на топограм-мах дается в рамках динамической теории рассеяния рентгеновских лучей. [32]

Спектр поглощения аморфного 2-метил - З - фенилпропена-1. [33]

В заключение следует отметить, что спектры тонких кристаллов 2-метил - З - фе-нилпропена-1 ( толщиной около 1 мкм) при 20 К сдвинуты на 20 - 25 см-1 в длинноволновую сторону относительно спектров более толстых кристаллов при этой же температуре. [34]

С другой стороны, если существует винтовая ось или плоскость скольжения, для которой это не точно выполняется, но для которой проекция элементарной ячейки в направлении пучка имеет симметрию, дающую запрещенные отражения, то для толстых кристаллов эти отражения не должны быть полностью запрещены, но будут, вероятно, очень слабыми. [35]

Изменение относительного коэффициента поглощения с / ат. [36]

Рассматривая рис. 53, а, замечаем, что сплошные кривые, вычисленные с помощью уравнения ( 7.56 а), со знаком минус перед вторым членом в фигурных скобках для области I и знаком плюс для области III, относятся к поглощению при отражении от толстого кристалла. Действительно, как мы показали ранее, в толстом кристалле в области I возникает лишь первое поле и в области III - второе поле. Как видно из рисунка, в области I имеет место интерференционное поглощение, превышающее нормальное поглощение л / у0 за пределами максимума. Величина поглощения первого поля в области I резко возрастает с приближением к границе области полного отражения. [37]

Для толстых кристаллов возможно, что, если проявить особую тщательность в выборе подходящей ориентации, то по крайней мере 99 % энергии брэгговских пучков будет содержаться в двух сильных отражениях. Но для тонких кристаллов, находящихся в высокосимметричных ориентациях, при которых они дают дифракционную картину типа фиг. Вследствие сильного взаимодействия электронов со всеми атомами, за исключением самых легких, амплитуды рассеянных пучков даже от очень тонких кристаллов могут быть достаточно сильными, чтобы обеспечить значительное многократное когерентное рассеяние, а значит, мы должны будем иметь дело с динамической теорией для очень большого числа дифрагированных пучков. [38]

Дефектная пластинка сапфира. Ряд дислокационных ямок вдоль центральной оси пластинки после травления в Н3РО4 при 320 С, Х600. [39]

В тонких пластинках наблюдаются осевые дислокации винтовой, краевой и смешанной ориентации. Для толстых кристаллов характерно наличие сложных переплетений дислокаций либо осевых шнуров из нескольких дислокаций. [40]

Eh - амплитуды вектора электрического поля в кристалле, эквивалентные скалярным амплитудам г з0 и г зл. Тогда для толстого кристалла путь рентгеновского луча можно представить приблизительно так, как показано на фиг. С увеличением отклонения от угла Брэгга направление потока энергии приближается к направлению падающего луча. [41]

При охлаждении более толстых кристаллов ( 10 - 50 мкм) наблюдается растрескивание образца, причем направление трещин оказывается строго параллельным внешней прямоугольной огранке кристаллов. Положение затемнений кристаллов в скрещенных поляризаторах совпадает с ориентацией электрического вектора вдоль ребер его внешней огранки. [42]

К продажному альдегиду приливают 3-кратный объем спирта, насьвд иного хлористым водородом, и пропускают ток сероводорода до насыщения. Жидкость застывает в густую кашу толстых кристаллов. Их отсасывают, пгомываюг водой и несколько раз перекристаллизовывают из спирта. [43]

При падении неиоляризованного света на кристалл с анизотропией показателя преломления пучок света, преломляясь на границе кристалла, расщепляется на два пучка, идущих по различным направлениям. Для узкого первоначального пучка и достаточно толстого кристалла через другую его границу выходят два разделенных в пространстве пучка света. Это явление называется двойным лучепреломлением. Кристаллы, в которых оно наблюдается, называются двоякопреломляющими. [44]

Особенно четко сложная структура рентгеновских рефлексов вне фокуса спектрографа проявляется в случае изгиба очень тонких кристаллов, толщина которых не превосходит 60 мк ( рис. 17, стр. В отличие от рентгенограмм, получающихся после изгиба более толстых кристаллов, эти рефлексограммы характеризуются большей степенью совершенства каждой из расположенных почти параллельно друг другу линий, обильно заполняющих поле рефлекса. Эта правильность во взаимном расположении отдельных линий сложного рефлекса не нарушается к на расстояниях, непосредственно прилегающих к фокусному. В отличие от рентгенограмм от более толстых кристаллов, получающиеся в этом случае рефлексограммы, как правило, сопровождаются значительным фоном, интенсивность которого подчас оказывается сравнимой с интенсивностью линий. [45]

Страницы: 1 2 3 4