Толстый кристалл

Cтраница 2

Следует отметить, что при повышенных температурах растут преимущественно толстые кристаллы. [16]

Однако известны некоторые экспериментальные исследования, проведенные на более толстых кристаллах оксидов, когда использование одного только приближения фазовой решетки оказывалось явно недостаточным. Именно в такой области высоких толщин кристалла была получена фиг. [17]

Максимумы кривых отражения по формулам Дарвина ( 1 и Эвальда ( 2. [18]

Заметим, что при асимметричном отражении по Брэггу от толстого кристалла с минимальным поглощением форма максимума остается симметричной. Однако при этом наблюдаются два существенных изменения по сравнению с симметричным отражением. [19]

При Г 0 и сравнительно слабом входном сигнальном пучке в толстом кристалле энергия накачки полностью перекачивается приблизительно поровну в сигнальную и холостую волны. Таким образом, прямое двухпучковое взаимодействие на сдвиговой решетке является более эффективным процессом, чем параметрическое четырехпучковое. [20]

При повышении давления до 3 5 ати образовавшиеся при более низком давлении короткие и толстые кристаллы полугидрата становятся волокнистыми, а при дальнейшем увеличении давления до 7 ати принимают форму очень длинных и тонких иглообразных кристаллов с еще более волокнистым строением. Образовавшуюся губкообразную массу волокнистых кристаллов, имеющих тонкие капиллярные поры, довести до пластичного состояния ( для получения нормальной густоты) можно, лишь увеличив количество воды. Гипс, запаренный при низком давлении, требует меньше воды для затворения, и в результате прочность изделий повышается. [21]

Смещения максимумов Т на шкале у и в угловых секундах в функции от р для отражений 220 и 311 Си ос-излу-чения от Ge. [22]

Другим важным параметром кривых Tes и Res является их полуширина, которая при рассеянии в достаточно толстых кристаллах примерно одинакова. [23]

В отличие от этого формула (8.49) получена на основе представления, согласно которому даже в достаточно толстом кристалле волновое поле, идущее в глубь кристалла, все же достигает выходной поверхности и порождает дополнительное поле. Действительно, исходные формулы (8.14) и (8.24) выведены для широкого фронта падающей волны и наложении двух полей во всей области максимума. [24]

В швах, выполненных электрошлаковой сваркой, вследствие большого объема жидкой ванны и медленного ее охлаждения образуются весьма грубые, толстые кристаллы, толщина которых иногда может достигать нескольких миллиметров. В некоторых случаях это может привести к снижению прочности и вязкости металла шва. [25]

Дефект упаковки в г. ц. к. кристалле. Построение амплитудно-фазовой диаграммы для столбика EFО, пересекающего плоскость дефекта упаковки QP в точке F. [26]

Таким образом, возбуждение в кристалле волн, обходящих атомы, делает возможным применение просвечивающей электронной микроскопии для исследования довольно толстых кристаллов. [27]

Последующий анализ динамического диффузного рассеяния, проведенный Йеннесом и Хейером [160], дал основу для более полной интерпретации экспериментальных наблюдений, в особенности для относительно толстых кристаллов, когда в выражениях для интенсивности можно пренебречь членами, осциллирующими с ростом толщины. [28]

Схемы методов рентгеновской дифракционной топографии. [29]

Сравнительно большая ширина изображений дислокаций делает невозможным исследование кристаллов с плотностью дислокаций более 106 см-2 в случае тонкого кристалла и более 10 см-а в случае толстого кристалла. [30]

Страницы: 1 2 3 4