Равновесный кристалл

Cтраница 2

Фононы обладают бозевской функцией распределения (6.32) только в термодинамически равновесном кристалле. Если же кристалл находится в неравновесном состоянии ( например, температура кристалла различна в разных его точках), то функция распределения фононов не может быть представлена в стандартном виде и должна находиться как решение так называемого кинетического уравнения. [16]

Уменьшение свободной энергии при распаде пересыщенного твердого раствора будет наибольшим при выделении равновесных кристаллов AmBn, однако зарождение таких кристаллов, имеющих, как правило, сложную пространственную решетку, возможно только при достаточно высоких температурах. При невысоких температурах старения зарождаются неравновесные выделения с более простой кристаллической структурой. [17]

Подобным же образом, фракционирование при кристаллизации определяется не длиной макромолекул в равновесном кристалле, соответствующей минимальной длине молекул, способных кристаллизоваться, а большими размерами молекулярного зародыша, отвечающими данной температуре, данной концентрации и данной геометрии поверхности. [18]

Энергия кристалла с вакансией Е согласно классическим представлениям всегда больше, чем энергия кристалла без ва. [19]

Оказывается, способность вакансии перемещаться туннельным образом объясняет факт существования вакансий в равновесном кристалле при 70 К. Правая сторона требует разъяснений. [20]

Однако скорость роста при потенциалах, близких к равновесному, на разных гранях равновесного кристалла должна существенно различаться, если она определяется в основном не энергией активации разряда иона, а энергией активации кристаллизации металла. [21]

Традиционное опи - Тйшие поведения кристаллу во внешних полях основано на представлениях о возмущении равновесного кристалла внешним полем. В результате любое возмущение приводит к возникновению неравновесных дефектов. Подобный подход корректен только для слабых полей. В сильных полях необходимо принципиально иное рассмотрение. [22]

Зависимость удельной поверхностной энергии от размера частиц1. [23]

Согласно теореме Вульфа, многогранник - наиболее стабильная форма кристалла, поэтому удельная поверхностная энергия равновесного кристалла представляет собой среднюю энергию различных равновесных граней. [24]

Экспериментальные значения равновесных температур плавления политетраметил-л-силфениленсилоксана. [25]

Кристаллическая структура не должна изменяться при измененю молекулярного веса полимера, но должна увеличиваться толщина равновесного кристалла в Направлении полимерной цепи с увеличением ее длины. Влияния числа атомов в цепи на их упаковку, как это наблюдается в парафинах, не следует ожидать для истинных поли мерных молекул. Следовательно, изменение удельного объема при плавлении кристаллического полимера зависит главным образом от удельного объема расплава. [26]

Наличие многих очагов кристаллизации приводит к тому, что при кристаллизации зарождается и растет много дендритов или равновесных кристаллов. Поверхности растущих кристаллов сталкиваются и мешают взаимному развитию, поэтому их форма становится неправильной, а благодаря различной ориентировке конгломерат ( поликристаллический металл) теряет анизотропность отдельных осей и становится изотропным. Разориентиро-ванные дендриты и кристаллы неправильной формы называют кристаллитами. [27]

Однако в основном состоянии кристалла атомы образуют пространственную решетку, симметрия которой ниже исходной симметрии: физические характеристики равновесного кристалла инвариантны относительно преобразований дискретной группы трансляций, так как они описываются некоторыми периодическими функциями, отражающими периодичность решетки. Когда симметрия основного состояния системы ниже симметрии соответствующей функции Лагранжа, то говорят, что происходит спонтанное нарушение исходной симметрии. [28]

Если перенапряжение кристаллизации мало по сравнению с перенапряжением перехода, что, согласно предыдущему, отвечает минимальному пересыщению, необходимому для продолжения роста равновесных кристаллов, то на катоде выделяются крупнокристаллические осадки. Отсюда следует важный вывод о том, что высокое перенапряжение, обусловленное торможением разряда ионов, является недостаточным условием для образования мелкокристаллического осадка, так как решающее значение имеет соотношение скоростей электрохимического пересыщения и подачи ионов к фронту роста на начальной и последующих стадиях формирования кристалла. [29]

Кривые 1 - 3 относятся к кристаллам, выращенным из 0 1 вес, % - ного аствора в толуоле при температурах 70, 80 и 90 С соответственно ( данные риведены в табп. Кривая для равновесных кристаллов отвечает уравнению ( 17) гл. [30]

Страницы: 1 2 3 4