Cтраница 2
Необходимость преодоления энергетического барьера A / p при зарождении центров кристаллизации в значительной степени затрудняет гомогенную кристаллизацию. [16]
Гетерогенная кристаллизация в неграфитирующемся углероде протекает путем осаждения углерода из газовой фазы и сопровождается процессом его гомогенной кристаллизации. [17]
Повышение Скорости зарождения на готовых поверхностях раздела при росте переохлаждения объясняется, как и в случае гомогенной кристаллизации, уменьшением размеров критического зародыша и работы его образования. [18]
![]() |
Зависимость средней прочности пиролитичсских углеродных волокон от их диаметра ( а. зависимость прочности пиролитичсских углеродных полокон от базовой длины ( б. [19] |
Интенсификация реакций в газовой фазе при повышении температуры - ионы калия испаряются, атомы железа являются центрами гомогенной кристаллизации углерода. [20]
![]() |
Распределение градиента температур ( а и скорости кристаллизации ( б вдоль фронта кристаллизации. [21] |
При затвердевании расплавленного металла сварочной ванны преобладает гетерогенный процесс кристаллизации и только в центральной части ванны в очень редких случаях возможна гомогенная кристаллизация. [22]
![]() |
Зависимость между doo2 и La для различных коксов. [23] |
Результаты эксперимента по графитации сахарного кокса в различных объемах свидетельствуют, что гетерогенная кристаллизация в неграфитирующемся углероде протекает путем осаждения углерода из газовой фазы и сопровождается последующим процессом его гомогенной кристаллизации. [24]
Угольная структура, образующаяся при высоких степенях карбонизации, в этом случае отличается наличием термически прочных боковых радикалов полиинового типа, не деструктору ющих при высокой температуре и препятствующих гомогенной кристаллизации углерода. Приведенный пример ярко иллюстрирует зависимость угольной структуры от природы исходного карбонизуемого вещества. [25]
![]() |
Схема роста кристалли - [ IMAGE ] Схема образования плос. [26] |
Из сравнения энергетических условий образования трехмерных ( гомогенное зарождение) и двумерных ( гетерогенное зарождение) зародышей видно, что для образования плоского зародыша критического радиуса требуются меньшее переохлаждение и меньшая флуктуация свободной энергии, чем при гомогенной кристаллизации. [27]
В ряде работ [2, 4, 6] убыль энтальпии в зависимости от температуры обработки углеродных материалов на стадии графити-рования рассматривается как межслоевая связанная энергия, выделяющаяся при сближении ароматических углеродных слоев от dpoz 3 44 А до d002 3 35 А в процессе гомогенной кристаллизации углерода. [28]
Если образование центров кристаллизации при зарождении новой фазы вещества внутри другой его фазы, например при конденсации в водяных парах капель жидкости или при возникновении кристаллов в расплаве, происходит в отсутствии или без помощи посторонних частиц, то такой процесс Стуки [119] определяет как гомогенную кристаллизацию в отличие от гетерогенной, или катализированной кристаллизации, когда центры кристаллизации новой фазы образуются на поверхностях, имеющих отличный от этой новой фазы химический состав. [29]
При синтезе ситаллов нуклеация может быть вызвана: а) с помощью высокодисперсных зародышей ( например, благородных металлов), причем зародыши могут либо существовать уже в расплаве, либо возникать в процессе восстановления ( гетерогенное образование центров кристаллизации), как это имеет место в фоточувствительных стеклах; б) на основе субликвидусного выделения труднорастворимой фазы при соответствующей термической обработке ( например, составы стекол с ТЮ2, Сг203 и другими соединениями, выпадающими в качестве пересыщающей фазы при соответствующем нагреве); в) на основе субликвидусного жидкостного расслаивания и гомогенной кристаллизации одной из сосуществующих фаз с последующей кристаллизацией основной фазы ( например, стекла системы Na20 - В203 - Si02, некоторые составы в системе Li20 - А1203 - Si02); г) посредством гомогенной нуклеации внутри всей массы стекла. [30]