Гомогенная кристаллизация - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3
Девушка, можно пригласить вас на ужин с завтраком? Законы Мерфи (еще...)

Гомогенная кристаллизация

Cтраница 3


Сомнению Стуки [119], кристаллизации стекол препятствует в основном чрезвычайно малая скорость образования центров кристаллизации, в отсутствии которых не может начаться и происходить рост кристаллов. Отсутствие центров гомогенной кристаллизации в стеклах, не содержащих катализаторов, Стуки [119] объясняет следующим образом.  [31]

32 Изменение ЭПР нефтяных коксов при прокаливании в течении 4 ч без доступа воздуха ( кривая 1 и в среде сероводорода ( кривая 2. [32]

Третий максимум интенсивности поглощения спектров ЭПР наблюдается на стадии кристаллизации углерода. Разрыв упрочненных боковых цепочек в процессе гомогенной кристаллизации приводит к возникновению неспаренных электронов, а сращивание слоев служит, вероятно, основной причиной их исчезновения.  [33]

34 Изменение концентрации ПМЦ ( /, 2 и ширины линии поглощения ( 3, 4 спектров ЭПР в зависимости от температуры.| Изменение концентрации ПМЦ ( сплошные линии и содержания серы ( пунктирные линии при термической обработке кокса НУ НПЗ ( 1 и ФНПЗ ( 2. Длительность выдержки 1 ч. [34]

Второй максимум интенсивности поглощения спектров ЭПР наблюдается на стадии кристаллизации углерода. Разрыв упрочненных боковых цепочек в процессе гомогенной кристаллизации приводит к возникновению неспаренных электронов, а сращивание слоев, вероятно, служит основной причиной их исчезновения.  [35]

36 Зависимость числа образующихся центров кристаллизации от концентрации растворенного вещества в начале кристаллизации ( S - равновесная растворимость. S - критическое или предельное пересыщение, необходимое для образования осадка. а-кривая, полученная при изменяющейся эффективности затравок кристаллизации ( различающиеся центры. б и в-кривые, полученные при одинаковой эффективности затравок ( б-одинаковые центры. в - с затравкой. центры, имеют тот же состав, что и растворенное вещество. [36]

На рис. 8 - 3 схематически представлена зависимость числа образующихся центров кристаллизации при осаждении от концентрации растворенного вещества при изменяющейся и при постоянной эффективности затравок кристаллизации. Из рисунка видно, что при гомогенной кристаллизации кривая резко поднимается при высоких концентрациях. По достижении этой концентрации или более высокой, например, обозначенной точкой Е, раствор становится лабильным, и после определенного индукционного периода может наступить кристаллизация. Число образующихся центров кристаллизации зависит от степени пересыщения и от эффективности центров. Новые центры кристаллизации не образуются, так как моментальная локальная концентрация не достигает высоких значений пересыщения. Фишер [31] показал, что при осаждении сульфата бария из гомогенного раствора на первых стадиях осаждения ( по осаждении примерно 2 %) в I мл находится примерно 1 5 - 107 частиц и почти такое же количество ( 1 6 - 107) - при 90 % осаждении.  [37]

38 Изменение ЭПР нефтяных коксов при прокаливании в течении 4 ч без доступа воздуха ( кривая 1 и в среде сероводорода ( кривая 2. [38]

Третий максимум интенсивности поглощения спектров ЭПР наблюдается на стадии кристаллизации углерода. Разрыв упрочненных боковых цепочек в процессе гомогенной кристаллизации приводит к возникновению неспаренных электронов, а сращивание слоев служит, вероятно, основной причиной их исчезновения.  [39]

40 Изменение концентрации ПМЦ ( /, 2 и ширины линии поглощения ( 3, 4 спектров ЭПР в зависимости от температуры.| Изменение концентрации ПМЦ ( сплошные линии и содержания серы ( пунктирные линии при термической обработке кокса НУ НПЗ ( 1 и ФНПЗ ( 2.. Длительность выдержки 1 ч. [40]

Второй максимум интенсивности поглощения спектров ЭПР наблюдается на стадии кристаллизации углерода. Разрыв упрочненных боковых цепочек в процессе гомогенной кристаллизации приводит к возникновению неспаренных электронов, а сращивание слоев, вероятно, служит основной причиной их исчезновения.  [41]

Продукты глубокой карбонизации полимеров с 1 1 -; 1 2 - и смешанной структурой можно представить в виде пакетов углеродных ароматических слоев, которые связаны ациклическими участками, сочетающими все возможные типы углеродных связей. Наличие в структуре углерода термостойких связей полиинового типа препятствует гомогенной кристаллизации углерода при высокотемпературной обработке.  [42]

Известные в настоящее время стеклокристаллические материалы можно классифицировать по разным признакам. По способу изготовления они разделяются нафотоситаллы, получаемые путем фотохимической нуклеации катализаторов кристаллизации в виде коллоидных частиц золота, серебра, меди и платины, и термосита л л ы, у которых нуклеация катализаторов определена их гомогенной кристаллизацией в результате термического воздействия.  [43]

Известные в настоящее время стеклокристаллические материалы можно классифицировать по разным признакам. По способу изготовления они разделяются нафотоситаллы, получаемые путем фотохимической нуклеации катализаторов кристаллизации в виде коллоидных частиц золота, серебра, меди и платины, и т е р м о-с и т а л л ы, у которых нуклеация катализаторов определена их гомогенной кристаллизацией в результате термического воздействия.  [44]

Эта данные освещают некоторые стороны механизма ранних стадий карбонизации при термическом дегидрохлориров а-нии хлорвиниловых полимеров. В случае поливинилхлорида возникают блоки сопряженных полиеновых цепочек, переходящих в конденсированные ароматические структуры путем их взаимодействия с блоками соседних молекулярных цепей. В отличие от этого при дегидрохлорировании поливинилиденхлорида образуются хлорсодержащие сопряженные полиеновые структуры, не взаимодействующие друг с другом из-за большого радиуса атомов хлора. Дальнейшее дегидрохлорирование приводит к возникновению тройных и кумулированных двойных связей, которые с момента образования конденсированных ароматических структур могут играть роль термостойких боковых радикалов, препятствующих гомогенной кристаллизации.  [45]



Страницы:      1    2    3    4