Гомогенная кристаллизация - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 4
Демократия с элементами диктатуры - все равно что запор с элементами поноса. Законы Мерфи (еще...)

Гомогенная кристаллизация

Cтраница 4


46 Зависимость dm, з и а неграфитирующегося углерода ( сахарный кокс от температуры обработки. [46]

Эти данные освещают некоторые стороны механизма ранних стадий карбонизации при термическом дегидрохлорировании хлорвиниловых полимеров. В случае поливинилхлорида возникают блоки сопряженных полиеновых цепочек, переходящих в конденсированные ароматические структуры при взаимодействии их с блоками соседних молекулярных цепей. В отличие от этого при дегидрохлорировании поливинилиденхлорида образуются хлорсодержащие сопряженные полихлорвиниленовые структуры, не взаимодействующие друг с другом из-за большого радиуса атомов хлора. Дальнейшее дегидрохлорирование приводит к возникновению тройных и кумулированных двойных связей, которые с момента образования конденсированных ароматических структур могут играть роль термостойких боковых радикалов, препятствующих росту слоев и гомогенной кристаллизации.  [47]

Таким образом, в результате проведенного исследования [76] установлено, что в светочувствительных стеклах с высоким содержанием Sb в результате восстановления ионов Аи сурьмой при повышенных температурах осуществляется непрерывный процесс образования и роста центров кристаллизации благодаря выделению частиц Аи из пересыщенного раствора. В светочувствительных стеклах с пониженным содержанием Sb такой процесс не имеет места, выделение Аи здесь происходит лишь на определенном и очень ограниченном числе центров, возникающих Б результате восстановления фотоэлектронами незначительного числа ионов Аи. Восстановление фотоэлектронами происходит только на ранних стадиях процесса образования определенного числа центров. В образовании одного центра гомогенной кристаллизации участвуют три фотоэлектрона, восстанавливающие только 10 - 7 - MO-6 от числа всех атомов Аи и вызывающие заметное выделение Аи. Восстановление ионов Аи происходит в результате диффузии и взаимодействия ионов Sb и Аи.  [48]

При высоких значениях пересыщения, когда рост кристаллов ограничен диффузией, превалирует дендритный тип роста. Он заключается в образовании неправильных или ветвистых агрегатов, напоминающих снежинки. В случае ионных осадков происходит диффузия сольватированных ионов к поверхности растущего кристалла, осаждение этих ионов и высвобождение молекул растворителя с последующей диффузией растворителя в сторону от поверхности растущего кристалла. На ребрах, а особенно - в вершинах, блокирующее влияние высвобожденного растворителя не так велико, поэтому в таких точках создаются наиболее благоприятные условия роста. Важный аспект дендритного роста состоит в том, что образующиеся при этом кристаллы легко дробятся [48], и в результате возникает так называемое вторичное образование центров кристаллизации. Таким образом число частиц, образующихся при осаждении, может значительно превышать число центров кристаллизации, даже в отсутствие гомогенной кристаллизации. При искусственном стимулировании выпадения метеорологических осадков каждый центр кристаллизации, образованный иодидом серебра, может привести к возникновению тысяч капель дождя за счет дробления дендритных кристаллов льда. Нильсен [15] показал, что получение более мелких частиц при перемешивании в период роста кристаллов, по-видимому, опять-таки связано с дроблением дендритных кристаллов на ранних стадиях осаждения. Ультразвуковая вибрация при осаждении тоже приводит к уменьшению размера частиц. Уолтон [49] считает, что фрагментация дендритных кристаллов может иногда быть альтернативной формой начала гомогенного образования центров кристаллизации.  [49]



Страницы:      1    2    3    4