Линия - аналитическая пара
Cтраница 3
Это можно объяснить тем, что линии используемой аналитической пары расположены настолько близко друг к другу, что интенсивность фона для них одинакова. [31]
В этом случае остается некоторая негомо-логичность линий аналитической пары, чем приходится пренебрегать, особенно если определение всех элементов пробы проводится по линиям сравнения только одного элемента сравнения. [32]
В пределах интервала длин волн между линиями аналитической пары свойства фотопластинки должны оставаться неизменными. Поэтому линии аналитической пары выбираются по возможности близкими по длинам волн. Обе линии следует выбирать по возможности близкими и по интенсивности. [33]
Из (1.7) следует, что относительная интенсивность линий аналитической пары зависит от относительной концентрации атомов в плазме разряда. [34]
При стилометрическом анализе относительную интенсивность измеряют ослаблением той линии аналитической пары, которая более интенсивна до тех пор, пока интенсивности линий не станут равны. Зная, во сколько раз пришлось ослабить линию, тем самым находят относительную интенсивность аналитической пары. [35]
Предложено много методов определения функциональной зависимости разности почернений линий аналитической пары от концентрации определяемого элемента в исследуемой пробе, но одним из наиболее распространенных является метод трех эталонов. Сущность метода заключается в следующем. Готовят три образца ( эталоны) исследуемого вещества, например сплава. Содержание определяемого элемента в эталонах должно быть точно известно, а качественный и количественный состав эталона должен быть близок с составом исследуемого вещества. [36]
 |
Схема распылителя для анализа по спектру пламени. [37] |
Предложено много методов определения функциональной зависимости разности почернений линий аналитической пары от концентрации определяемого элемента в исследуемой пробе, но одним из наиболее распространенных является метод трех эталонов. Сущность метода заключается в следующем. Готовят три образца ( эталоны) исследуемого вещества, например сплава. Содержание определяемого элемента в эталонах должно быть точно известно, и качественный, и количественный состав эталона должен близко совпадать с составом исследуемого вещества. [38]
Линия определяемого элемента должна быть концентрационно чувствительна, на линии аналитической пары не должны накладываться линии других элементов, присутствующих в пробе. В качестве линии сравнения обычно используют слабую линию элемента основы анализируемого металла, не реагирующую на колебание его содержания в пробе. [39]
Линия определяемого элемента должна быть концентрационяо чувствительной, на линии аналитической пары не должны накладываться линии других содержащихся в пробе элементов. В качестве линии сравнения используют слабую линию осн. В зависимости от способа регистрации спектров методы количественного эмиссионного анализа подразделяют на визуальные, фотографические и фотоэлектрические. Содержание примеси ( нолуколичест-венный анализ) оценивают, сравнивая линию определяемого элемента с линиями элемента основы, принимаемыми за условный стандарт. По стандартным эталонам вначале отрабатывают аналитические признаки и строят аналитические кривые, к-рыми затем и руководствуются в процессе анализа. [40]
 |
Характеристическая кривая Если SA - почернение линии опре. [41] |
Уравнение ( 17) показывает, что разность почернений линий аналитической пары связана с концентрацией определяемого элемента прямолинейной функциональной зависимостью. [42]
В этом случае величина ДУ0 дается логарифмом отношения интенсивностей линий аналитической пары х, г, измеренных на спектрограммах чистого материала. [43]
Уравнение ( Юа) показывает, что разность почернений линий аналитической пары связана с концентрацией определяемого элемента прямолинейной функциональной зависимостью. [44]
Вследствие мешающего влияния фонового излучения, постепенного изменения отношения интенсивностей линий аналитической пары и медленного изменения характеристик измерительного устройства аналитическая кривая подвержена параллельным сдвигам и изменениям наклона. [45]
Страницы: 1 2 3 4