Линия - фон
Cтраница 3
Типичные спектры комбинационного рассеяния, наблюдаемые в монокристаллах Si, мк - Si: Н a - Si: Н показаны на рис. 4.3.3. Из рисунка видно, что спектр мк - Si: Н аналогичен спектру монокристалла за исключением того, что основной пик перекрывается с широкой полосой рассеяния 480 см 1, отвечающей a - Si: Н, а его острие ( 515 см 1) слегка смещено от линии поперечных оптических фонов в к - Si ( 522 см 1) в сторону меньших энергий. Сдвиг линии поперечных оптических фонов объясняется [65, 69] малостью размеров кристаллитов. В то же время Комия и др. объясняют этот сдвиг повышением температуры образцов в процессе эксперимента в результате воздействия лазерного излучения. На рис. 4.3.4 показана зависимость частотного положения пика поперечных оптических фононов от мощности возмущающего излучения лазера. [31]
Эта кривая, как уже указывалось, содержит как молекулярную, так и атомные составляющие интенсивности рассеяния. Линия фона, проведенная по методике огибающих ( см. разд. [32]
Полная линия фона G ( s) нередко имеет сложный вид, и аналитическая аппроксимация ее затруднительна, в этом случае ее можно определить графическим путем. Иногда гладкую линию фона можно провести между максимумами и минимумами микрофотометрической кривой так, чтобы площадь, ограниченная этой кривой в положительной области, приблизительно равнялась ее площади в отрицательной области. Существуют и другие приемы проведения линии фона. [33]
Типичные спектры комбинационного рассеяния, наблюдаемые в монокристаллах Si, мк - Si: Н a - Si: Н показаны на рис. 4.3.3. Из рисунка видно, что спектр мк - Si: Н аналогичен спектру монокристалла за исключением того, что основной пик перекрывается с широкой полосой рассеяния 480 см 1, отвечающей a - Si: Н, а его острие ( 515 см 1) слегка смещено от линии поперечных оптических фонов в к - Si ( 522 см 1) в сторону меньших энергий. Сдвиг линии поперечных оптических фонов объясняется [65, 69] малостью размеров кристаллитов. В то же время Комия и др. объясняют этот сдвиг повышением температуры образцов в процессе эксперимента в результате воздействия лазерного излучения. На рис. 4.3.4 показана зависимость частотного положения пика поперечных оптических фононов от мощности возмущающего излучения лазера. [34]
 |
Зависимость величины сдвига максимума, обусловленного поперечны - ми оптическими фононами, в спектрах комбинационного рассеяния от мощности ла - зерного излучения W ( Т. Комия и др.. [35] |
Типичные спектры комбинационного рассеяния, наблюда-мые в монокристаллах Si, мк - Si: Н a - Si: Н показаны на рис. 4.3.3. Из рисунка идно, что спектр мк - Si: Н аналогичен спектру монокристалла за исключением того, то основной пик перекрывается с широкой полосой рассеяния 480 см 1, отвечаю-цей a - Si: Н, а его острие ( 515 см -) слегка смещено от линии поперечных оптичес-их фонов в к - Si ( 522 см 1) в сторону меньших энергий. Сдвиг линии поперечных этических фонов объясняется [65, 69] малостью размеров кристаллитов. В то же ремя Комия и др. объясняют этот сдвиг повышением температуры образцов в про - lecce эксперимента в результате воздействия лазерного излучения. На рис. 4.3.4 юказана зависимость частотного положения пика поперечных оптических фононов т мощности возмущающего излучения лазера. [36]
Последовательное уточнение параметров позволяет исправлять линию фона. Процедура исправления линии фона может быть автоматизирована. [37]
 |
Линейные размеры кристаллитов железа и его окиси. [38] |
При проведении линии фона обращалось внимание на плавный ее ход и на отсутствие каких бы то ни было перегибов. [39]
Функция G ( s) является реальным фоном микрофотометрической записи электронограммы. Поскольку объективный алгоритм линии фона G ( s) до снх пор неизвестен, то на практике приближенную линию фона находят либо эмпирически графическим способом, либо на ЭВМ путем аппроксимации различными аналитическими выражениями. [40]
 |
Изменения в кривых интенсивности конденсата индия со временем. [41] |
Методом Э жидкий In исследовался Комником [106] в виде конденсата - 10 А толщиной на аморфной подложке при температуре, значительно меньшей, чем температура плавления. Предложенный метод учета фона на кривых интенсивности показал, что линия фона, построенная в билога-рифмических координатах lg / - lg s, оказывается практически прямой линией. Результаты, полученные автором при температуре 75 С: г 3 25, г2 4 6 A, N-i 7 4, N2 10, трудно сравнивать с результатами других работ, поскольку условии приготовления и температура исследования были различны. Пленка конденсата претерпевала изменения со временем, что можно видеть из рис. 11, где показаны кривые интенсивности L, 2 и 3, полученные сразу после конденсации, затем через 8 - и через 22 минуты соответственно. Возможно, что эти изменения соответствуют более плотной упаковке или, возможно, они связаны с образованием аморфного окисла на поверхности жидких капель. [42]
На рис. 3.1. приведена типичная картина изменения интенсивности и формы линий спектра ЯМР Н для систем с различным парамагнетизмом. Видно, что происходит уширение спектральных линий и сжатие по направлению к линии фона с ростом парамагнетизма системы. [43]
Почернения линий в спектрограммах измеряют на микрофотометре МФ-2. Для каждой примеси измеряют почернение аналитической линии 5л ф, почернение соответствующего этой линии фона 5ф, вычисляют AS 5л ф - 5ф и для каждого образца находят среднее значение ASCp из всех взятых проб. По трем значениям ASср эталонов строят график AScp от Igc. По этому графику, зная почернение линии определяемой примеси, находят искомую концентрацию. На эту же пластинку снимают спектр холостого опыта, в котором определяют содержание элементов в HNOs. Метиловый спирт, как правило, содержит незначительное количество примесей, и чистота его определяется только 1 раз для каждой партии. [44]
Почернения линий в спектрограммах измеряют на микрофотометре МФ-2. Для каждой примеси измеряют почернение аналитической линии 5л ф, почернение соответствующего этой линии фона 5, вычисляют AS 5л ф - 5ф и для каждого образца находят среднее значение AScp из всех взятых проб. По трем значениям А5ср эталонов строят график AScp от Igc. По этому графику, зная почернение линии определяемой примеси, находят искомую концентрацию. На эту же пластинку снимают спектр холостого опыта, в котором определяют содержание элементов в HNOs. Метиловый спирт, как правило, содержит незначительное количество примесей, и чистота его определяется только 1 раз для каждой партии. [45]
Страницы: 1 2 3 4