Слабая локализация
Cтраница 1
Слабая локализация происходит в результате интерференции электрона с самим собой благодаря возможности его движения по разным траекториям. Но интерференция возможна также и при взаимодействии разных электронов. Диффузия удерживает электроны вблизи друг друга и тем самым создает условия для интерференции. [1]
Слабая локализация я-электронов и неподеленных электронов обусловливает давно известное химикам явление, называемое сопряжением. [2]
 |
Функция p ( t при диффузии на плоскости ( d - 2 в разные моменты времени t и 2t. Дополнительный пик на кривой t TV связан с квантовой интерференцией. [3] |
Слабой локализацией называется квантовая поправка к металлической проводимости, обусловленная волновыми свойствами электрона, проявляющимися на фоне диффузионного движения при большом количестве упругих рассеивателей. [4]
При слабой локализации время сбоя фазы Т9 определяется неупругими столкновениями. Поэтому одинаковые в момент t 0 фазы двух электронов с разностью энергий Де через время ft / Де будут уже различаться на величину порядка единицы. [5]
Исследования слабой локализации были в значительной степени стимулированы работой Абрахамса, Андерсона, Личчарделло и Рамакришнана [6], где был дан общий анализ эффектов локализации для одно -, двух - и трехмерных систем. В рассмотренной авторами модели учитывалась обычная сильная ( экспоненциальная) локализация, не зависящая от размерности, для систем с сильной неупорядоченностью, но, кроме того, предполагалось, что двумерная система даже при слабой неупорядоченности будет испытывать слабое, логарифмическое уменьшение проводимости при увеличении размеров образца. Это означает, что в бесконечном двумерном образце не существует перехода диэлектрик - металл. [6]
Как и слабая локализация, андерсеновская локализация в значительной мере обусловлена волновыми свойствами электронов. [7]
В эффекте слабой локализации упругие столкновения со статическими дефектами и столкновения с фононами играли разные роли: первые обеспечивали диффузию, последние приводили к сбою фазы. [8]
При нелокализованной или относительно слабой локализации адсорбции посадочная площадка молекул адсорбата определяется размерами адсорбируемых молекул и может быть вычислена для многих случаев из данных значений нормальной плотности адсорбата в жидком состоянии. Однако при этом расчете не учитывается ориентация адсорбированных молекул, которые обычно располагаются вдоль оси параллельно поверхности. В связи с этим для вытянутых молекул адсорбата указанный расчет дает неправильное значение посадочной площадки. [9]
Согласно современным концепциям, слабая локализация связей между атомами углерода малых циклов возможна благодаря тому, что аксиальное соединение, свойственное 0-связям ( стр. Эти атомы занимают вершины равностороннего треугольника или квадрата. Согласно Коулсону и Моф-фитту, состояние гибридизации атомов углерода в этих циклах ближе к состоянию олефинов, чем парафинов. [10]
Большинство приведенных выше классических примеров слабой локализации и антилокализации реализованы на металлических пленках. Сейчас исследования двумерного электронного газа в основном осуществляются на гетероструктурах, в которых электроны находятся в узкой квантовой яме на границе двух кристаллических сред. При этом обычно используются вещества, кристаллической структуры которых не имеют центра инверсии. [11]
Вопрос о том, разрушает ли магнитное поле слабую локализацию, представляет интересную теоретическую проблему, до конца еще не решенную. Авторы работы [2002] ( см. также [1366]) изучали этот вопрос путем обобщения развитой ранее [1898, 1899] самосогласованной диаграммной теории. [13]
 |
К формуле. связь между углом упругого рассеяния в и модулем переданного импульса q. [14] |
Рост сопротивления с понижением температуры происходит также в условиях слабой локализации ( см. гл. [15]
Страницы: 1 2 3 4