Слабая локализация

Cтраница 2

Магнетосопротивление тонкой холодноосажденной пленки Mg при разных температурах. [16]

Таким образом магнитное поле можно использовать как инструмент для обнаружения слабой локализации: свидетельством ее существования является отрицательное Магнетосопротивление в слабом поле. Это экспериментальное доказательство существования слабой локализации как бы методом от противного, потому что мы видим процесс ее разрушения. [17]

Эти неожиданные предсказания сейчас подтверждены множеством экспериментов, выполненных в режиме слабой локализации. Результаты эксперимента ( Ovadyahu and Imry, 1983), выполненного на тонких пленках InO, показаны на рис. 2.3, где для одного и того же образца виден переход от слабой ( In Т) температурной зависимости, к более сильному росту сопротивления - как раз при температуре, соответствующей R ЗО & Л, что является убедительным подтверждением данной теории. [18]

Римана; е т / Й - pFllh 1 - основной параметр в теории слабой локализации. [19]

Величины тее и Lee играют в межэлектронной интерференции ту же роль, что величины TV и Lv в слабой локализации, хотя механизм влияния на проводимость этих двух эффектов принципиально различный. [20]

Результаты первой работы приведены на рис. 3.2, где изображена зависимость г - 1 от температуры, полученная из измерений магнитосопротивления в режиме слабой локализации. [21]

Небольшое различие между ( GNS ( L)) и ( GN ( L)) возникает, в основном, из-за эффектов слабой локализации. Заметим, что все вышесказанное буквально справедливо только тогда, когда вероятность нормального отражения от NS-границы достаточно мала. [22]

Это очень полезное соотношение; удивительно, что в нем появляется в точности та же классическая вероятность возврата, как, например, в поправках к квантовому транспорту из-за эффекта слабой локализации ( см. гл. [23]

Логарифмический температурный рост сопротивления инверсных. [24]

Поскольку слабая локализация имеет волновую интерференционную природу, у нее должен быть оптический аналог. Такой аналог действительно существует: рассеяние света в мутной среде. Освещая мутную среду с одной стороны, мы можем смотреть на нее под любым углом, потому что после многократного рассеяния свет выходит с равной вероятностью во всех направлениях - феномен светлого неба. Поскольку рассеяние упруго, то модуль волнового вектора не меняется и рассеяние падающей на среду плоской световой волны А ехр ( zkr) описывается расплыванием вектора k по поверхности сферы k const. В результате такого расплывания часть светового пучка рассеивается точно назад. [25]

Зависимость величины молекулярной площадки бензола. [26]

Дубинин придает понятию молекулярной площадки два смысла. В случае относительно слабой локализации на поверхности адсорбированных молекул вычисляемая величина ат соответствует сплошному монослою. В этом случае со определяется размерами адсорбируемых молекул. При адсорбции молекул с неравномерным распределением электронной плотности на более редко расположенных активных центрах ( оставшихся незамещенными гидроксильных группах) эффект локализации молекул выражен более сильно. [27]

Зависимость отношения изменения коэффициента Холла к изменению проводимости от сопротивления единицы площади кремниевого инверсионного слоя. Треугольники соответствуют магнитному полю Я 4 кГс и концентрации электронов Ns 3 10 см-2, квадраты - Я 13 кГс и Ns ( 0 8 - f - 2 1012см - 2. Черные символы соответствуют опытам при изменении напряжения исток - сток, белые символы - опытам при изменении температуры. [29]

Крайне интересна связь между локализацией и сверхпроводимостью. Было установлено [379], что в гранулированных алюминиевых пленках в режиме слабой локализации с логарифмической температурной зависимостььо сопротивления сверхпроводимость существует, а в пленках с активационной проводимостью при низких температурах сверхпроводимость отсутствует. Неясно, имеют ли эти результаты какое-либо отношение к кремниевым инверсионным слоям, сверхпроводимость в которых предсказывалась ( см. § 4 гл. [30]

Страницы: 1 2 3 4