Слабая локализация

Cтраница 3

Минимум плотности состояний на ферми-поверхности, появляющийся вследствие межэлектронного взаимодействия, и его зависимость от температуры ( трехмерный случай. [31]

Именно то, что в непосредственной окрестности ферми-уровня плотность состояний зависит от температуры, приводит к температурной зависимости соответствующей поправки к проводимости. Оценить величину этой поправки можно так же, как это было сделано для слабой локализации. [32]

Последнее утверждение не столь бесспорно, как кажется. Оно исходит из знака квантовых поправок к проводимости (2.11) и по существу означает следующее: слабая локализация является первым шагом на пути к сильной, настоящей локализации. Но ведь интерференционная квантовая поправка устроена довольно хитро и при наличии достаточно сильного спин-орбитального взаимодействия слабая локализация уступает место антилокализации. [33]

Эффекты запрета, выражающиеся для функции % соотношением ( 87), также уменьшают вклад п-частичиых связанных комплексов. Можно ожидать, что основной причиной малости многоэлектронных членов, например, в я-оболочке бензола является слабая локализация электрона. Выражение ( 87) пред - ставляет собой математическую запись трехэлектрон-ной ферми-корреляций между а -, / - и fc - состояния-ми электронов. Коррелированные электроны, находящиеся в I - и / - состояниях ( спин-орбиталях), как бы предохраняются от возможных виртуальных переходов в уже занятое А-соетояние. Чем больший вклад дает такое й-состояние в разложении йц по методу конфигурационного взаимодействия, тем существеннее этот эффект Так как электроны становятся де-локализованными, почти вырожденными, то по этой причине значение некоторых fe - состояний возрастает. Это также приводит к тому, что отвечающий им эффект запрета [3, 8-11] становится более существенным. [34]

Однако задача обоснования этой формулы представляется довольно важной, так как это - простейший нетривиальный случай квазиклассической асимптотики для случайного оператора Шредингера. Эти результаты составляют так называемую теорию слабой локализации. Их математический смысл остается совершенно неисследованным. [35]

В этом параграфе будут рассмотрены экспериментальные доказательства наличия сильной локализации. Проводимость в этой области связана с термической активацией. В § 2 обсуждается логарифмический режим слабой локализации. Следует отметить, что в области как слабой ( логарифмической), так и сильной ( активационной) локализации все еще остается много нерешенных вопросов. [36]

Авторы рассчитали прозрачность как функцию магнитного поля В и обнаружили, что форма пика слабой локализации близка, но в соответствии с экспериментальными данными, полученными на хаотических биллиардах, не совпадает с лоренцевской. [37]

Магнетосопротивление тонкой холодноосажденной пленки Си при разных температурах. Подбором параметров удается идеально провести теоретические кривые через экспериментальные точки. [39]

Все сказанное справедливо только для спин-орбитального взаимодействия и не относится к рассеянию с переворотом спина на парамагнитной примеси. Перевернув спин примесного центра, электрон со спином ц оказывается в состоянии со спином - ц, которое ранее было пустым. Такой процесс аналогичен процессу обычного рассеяния без переворота спина и приводит не к антилокализации, а к слабой локализации. [40]

Возможности сравнения скейлинговой гипотезы с теоретическими вычислениями ограничены, но все же существуют. Переход от свободных носителей к полностью локализованным, описываемый кривыми J3d ( y ] на рис. 6.1, начинается со слабой локализации. [41]

Температурная зависимость удельного сопротивления р инверсионного слоя на поверхности ( 100Si. Параметром кривых является концентрация электронов Ns. 1 - 1 1. 2 - 1 8. 3 - 3 3. 4 - 4 2. 5 - 5 3 Ю12 см-2. [42]

Она может привести к ошибочным выводам, если существует несколько механизмов рассеяния, но весьма удобна, в особенности при малых изменениях подвижности с те шературой. Авторы, кроме того, вносили поправку на эффект отрицательного магнитосопротивления, хотя остается неясным, насколько справедлива такая процедура или, по крайней мере, как она должна проводиться правильно. Экстраполяция к Т 0 также является рискованной, в особенности в ситуации, когда существенную роль играют логарифмические эффекты, связанные со слабой локализацией ( см. § 2 гл. [43]

Экспериментальные результаты по температурной зависимости проводимости обычно эмпирически разделяют на область активационной проводимости, обсуждавшейся в предыдущем параграфе, и область безактивационной проводимости, описанной в гл. В последние несколько лет стало появляться все больше как экспериментальных, так и теоретических доказательств того, что в образцах, считавшихся ранее безактивационными ( квазиметаллическими), при очень низких температурах происходит рост сопротивления. Поскольку изменение сопротивления достаточно мало - порядка 10 % -: и объясняется в большом числе теоретических работ процессами двумерной локализации в пределе слабого беспорядка, указанные эффекты иногда называют эффектами слабой локализации. В этом параграфе мы коротко обсудим теоретические и экспериментальные работы, заложившие основу этих новых концепций. [44]

Совсем недавно при исследовании проводимости инверсионных слоев при низких температурах был обнаружен новый эффект. Как было впервые показано в работах [188, 1855], образцы с кажущимся металлическим поведением, т.е. со слабым увеличением сопротивления с ростом температуры, обнаруживают небольшое увеличение сопротивления с понижением температуры в области очень низких температур. Такое слабое увеличение, логарифмическое по температуре было предсказано для двумерных систем в работе Абрахамса, Андерсона, Личчарделло и Рамакришнана [6] при рассмотрении локализации и в работе Альтшулера, Аронова и Ли [41] при рассмотрении электрон-электронного взаимодействия. Эти эффекты слабой локализации следует отличать от обсуждавшихся выше эффектов сильной локализации, которые приводят к активациоиному характеру температурной зависимости проводимости. [45]

Страницы: 1 2 3 4