Ионный луч
Cтраница 1
Ионный луч, пройдя приемную щель, не должен соприкасаться с кромками всех остальных щелей. Поэтому ширина и высота у приемной щели должны быть несколько меньше, чем у остальных щелей. [1]
Ионный луч, двигающийся из ионного источника по прямой линии, попадает затем в анализатор, представляющий собой сплющенную медную трубку, изогнутую в соответствии с траекторией ионов в магнитном поле. В 90-градусном масс-спектрометре эта трубка изогнута под углом 90 и помещена в зазор полюсов магнита. [2]
Ионный луч на пути следования от источника к фотопластинке управляется электрическим и магнитным полями. В современных масс-спектрометрах обеспечивается высокая степень откачки анализаторов; тем не менее в анализаторе происходят столкновения заряженных частиц с атомами и молекулами остаточного газа, которые изменяют траектории ионов или вызывают их перезарядку. В результате на определенных участках фотопластинки возникают полосы фона и размытые линии. При попадании ионов на фотопластинку образуются вторичные и третичные ионы, электроны и другие виды излучения, которые приводят к созданию интенсивного фона, особенно в районе основных масс и линий, прилежащих к ним. Все эти факторы определяют структуру искровых масс-спектров и должны быть тщательно проанализированы, прежде чем будут выделены составляющие, имеющие непосредственное отношение к исследуемому образцу. [3]
Упрочнения лазерными, электронными и ионными лучами и струей плазмы обеспечивают высокую интенсивность процессов ( в связи с высокой плотностью энергии) и геометрическую точность зоны нагрева, а следовательно, минимальное коробление деталей. [4]
 |
Схема электронно-лучевой установки. i К - катод. А - анод. 1J - деталь. 2 - электромагнитная линза. 3 - пучвК ускоренных электронов. [5] |
При сварке ионным лучом практически отсутствует рентгеновское излучение, в то время как при электронно-лучевом нагреве оно может достигать значительной величины. [6]
В первом случае ионный луч поступает непосредственно на выдвижной коллектор, возбуждая в его цепи электрический ток. Усиление и измерение ионного тока происходит с помощью усилителя / блока усилителей постоянного тока, электрометрический каскад которого расположен вблизи коллектора. Оба других метода измерения предусматривают использование электронного умножителя, на первый динод которого ( при отведенном коллекторе) попадает ионный луч. [7]
 |
Блок-схема масс-спектрометрического прибора. / - система напуска, 2 - ионный источник, 3 - анализатор, 4 - приемник ионных пучков, 5 - вакуумная система, 6. [8] |
В анализаторе сформированный ионный луч тем или иным способом разлагается на составляющие по т / е, интенсивность которых затем и регистрируется. Рабочее давление во всех этих блоках прибора различается на много порядков величины, и для обеспечения нужных давлений служит вакуумная система. Кроме того, при подготовке прибора для проведения анализа ионный источник, анализатор и приемник ионов откачиваются до остаточного давления 1 5 - ь 15 мкПа ( часто - с прогревом. Натекатели 6 обеспечивают контролируемую скорость подачи газа в ионный источник и анализатор. В приборах типа MX реализуется молекулярный режим натекания газа, когда скорость натекания компонентов газовой смеси не зависит от ее состава, в приборах типа МИ - вязкий режим, при котором скорость натекания компонентов смеси зависит от ее вязкости и, следовательно, состава. [9]
В магнитном поле ионный луч, составленный из разных по массе ионов, разлагается на ионы, однородные по массе. Пройдя магнитное поле, путь движения ионов снова выпрямляется, но ионные лучи остаются разделенными на составляющие их массы. На коллектор 3, через щель в пластине 8, может попасть только один луч одной какой-либо массы. Лучи всех остальных ионов падают на металлический экран, их заряд заземляется. [10]
 |
Общий вид устройства ослабляющей сетки. [11] |
В левом положении рычага ионный луч полностью проходит в щель, в правом сетка перекрывает щель, при этом интенсивность луча ослабляется пропорционально отношению суммарной - площади проекции прово-5 лочек на щель к площади зазоров между ними. [12]
Оно действовало бы на ионный луч дефокусирующим образом: частицы, слегка отклонившиеся от средней плоскости, двигались бы в направлении нижней или верхней стенки камеры, ударялись бы о нее и нейтрализовались бы. Это легко понять, если учесть, что магнитные силы действуют на движущуюся частицу перпендикулярно направлению ее движения и направлению магнитных линий. [13]
При возбуждении ядерных превращений ионный луч циклотрона воздействует на очень маленькие порции материи. Охлаждение облучаемого тела часто представляет поэтому трудную техническую проблему. [14]
Когда вхместо электронного луча применяется ионный луч, то на кремниевой подложке при использовании золота в металлизации рассеяние вторичных электронов и распространение их в слой резиста почти отсутствует. Чувствительность резиста ПММА при Н - ИОННОМ облучении с энергией 50 кэВ по сравнению с электронным пучком с энергией 20 кэВ увеличивается более чем в 10 раз. Это позволяет формировать рисунок с размером элементов 0 1 мкм, не ощущая влияния эффекта близости. Особенно большие возможности связаны с применением ионно-лучевой имплантации примесей В, As при больших дозах облучения, без использования маски. Ионно-лучевые методы обладают большими возможностями в плане использования в будущей технологии. [15]
Страницы: 1 2 3 4