Ионный луч

Cтраница 2

Рассматривается пригодность метода распыления вещества ионным лучом чения слоев металлов, диэлектриков и полупроводников. [16]

Благодаря первому прерывателю в бомбардирующем ионном луче, а следовательно, в анализируемом луче возникает переменная составляющая, помимо постоянной составляющей фона. Фон обусловлен непрерывно действующим источником Нира. Переменная составляющая регистрируется усилителем переменного тока, на выходе которого для выпрямления тока стоит второй прерыватель. Этот метод особенно удобен, когда для увеличения чувствительности определения нейтральных частиц необходимо работать с относительно высокими электронными токами ( 10 ма) в источнике Нира. Анализ масс выполняют обычным образом - методом магнитного сканирования. [17]

Масс-спектры индивидуальных углеводородов. [18]

Отсюда видно, что изменения радиуса траектории ионного луча можно достичь изменением напряженности магнитного поля или ускоряющего напряжения. В практике чаще прибегают к изменению напряженности магнитного поля. [19]

Задача масс-анализатора двойная: во-первых, отделение ионного луча массы т от другого луча с близкой массой т - - Ляг и, во-вторых, увеличение интенсивности разрешенных лучей. Первое действие называется дисперсией, второе - фокусировкой. Электрическое и магнитное поля и их комбинация играют роль призм и линз. [20]

Молекулярные и осколочные положительно заряженные ионы, образующие ионный луч, под действием электрического поля фокусирующих и вытягивающих пластин вытягиваются из ионного источника через щель, ускоряются сильным электрическим полем ( до 3000 в) и поступают в изогнутый анализатор, находящийся в магнитном поле, силовые линии которого перпендикулярны к направлению скорости движения ионов. [21]

На коллектор через щель может сфокусироваться только один ионный луч. Все остальные лучи попадают на заземленную поверхность металлической трубки и нейтрализуются. [22]

Таким образом, в магнитном поле происходит разделение ионного луча на ряд отдельных лучей с одинаковым значением массового числа. [23]

Локальное внедрение ионов можно осуществить с помощью сфокусированного ионного луча, которым сканируют по заданной программе, либо с помощью специальных маскирующих покрытий. Для маскирующих пленок используются материалы SiO2, Si3N4, W, Mo, Au и др. Типичная толщина масок 0 1 - 2 мкм. [24]

Щель коллектора находится в магнитном поле, и ионному лучу остается еще пройти немногим более 30 ель до коллектора. Вопрос: Начальная кинетическая энергия ионов может составлять величину порядка 0 5 - 1 0 эв. [25]

Недавно автор закончил расчет конструкции с наклонным пересечением ионным лучом границ поля, имеющих кривизну. Расчет охватывает также области вне средней плоскости. Форма поля задана конической конфигурацией полюсов. Эти результаты будут опубликованы в ближайшее время. [26]

Магнитное поле такой ионной трубки масс-спектрометра не только разделяет ионный луч по массам, но и фокусирует небольшой разброс его по направлениям, что обеспечивается при условиях, если ионный луч при входе в магнитное поле и при выходе из него имеет направление, перпендикулярное к границам магнитного зазора, и если ширина входной щели S6 и выходной пред-коллекторной щели S7 будут равно удалены от центра кривизны ионной трубки и лежать с ним на одной прямой. [27]

Типы искровых источников, применяемых для возбуждения электрического разряда между электродами, изготовленными из твердых проб. [28]

Одним из важных параметров ионного источника является разброс энергии ионного луча. [29]

Зависимость дисперсии от угла отклонения ионного луча в магнитном неоднородном ( кривая / и. [30]

Страницы: 1 2 3 4