Cтраница 1
![]() |
Схема интерференции лучей в кристалле.| Схема получения лауэ-граммы.| Схема получения рентгенограммы вращения. 1 - первичный пучок. 2 - вращающийся образец. S - фотопленка. [1] |
Дифрагированный луч регистрируется на специальной фотопленке в виде рефлекса - темного пятнышка, положение которого на рентгенограмме соответствует направлению дифрагированного луча, а степень почернения - интенсивности. [2]
Дифрагированный луч распространяется в направлении вектора k k G. Построение Эваль-да широко используется в рентгеноструктурном анализе и нейтрон-дифракционных исследованиях. [3]
Интенсивность дифрагированного луча зависит также от размеров и формы объекта, от совершенства кристалла ( в частности, от величины блоков), условий опыта ( расходимость луча, степень монохроматичности луча, перемещение объекта во время съемки и пр. К своеобразным эффектам приводят тепловые колебания атомов. Они не только влияют на интенсивность лучей, дифрагированных согласно закону Вульфа - Брэгга, но и создают собственную картину рассеяния ( правда, в 1000 - 10000 раз более слабую), накладывающуюся на дифракционную картину, к-рую создал бы кристалл с покоящимися атомами. [4]
Интенсивность дифрагированного луча зависит от содержания соответствующего кристаллического вещества в образце, что позволяет количественно определить состав смеси твердых веществ. [6]
Амплитуда дифрагированного луча зависит от углов и типов волн падающего луча, а также от степени раскрытия трещины. Стянутая трещина прозрачна для падающего луча и на ней дифракции не возникает. [7]
Интенсивность дифрагированного луча зависит также от размеров и формы объекта, от совершенства кристалла ( в частности, от величины блоков), условий опыта ( расходимость луча, степень монохроматичности луча, перемещение объекта во время съемки и пр. К своеобразным эффектам приводят тепловые колебания атомов. Они не только влияют на интенсивность лучей, дифрагированных согласно закону Вульфа - Брэгга, но и создают собственную картину рассеянии ( правда, в 1000 - 10000 раз более слабую), накладывающуюся на дифракционную картину, к-рую создал бы кристалл с покоящимися атомами. [8]
![]() |
Спектральные характеристики принятых сигналов. [9] |
Амплитуда каждого дифрагированного луча в процессе распространения снижается пропорционально г0 - 5 ( г - расстояние от точки ввода вдоль луча), в то время как амплитуда падающей волны остается постоянной. Здесь и далее, где приводятся законы распространения дифракционных волн, подразумевается, что падающая волна имеет плоский фронт. Разумеется, объемные падающие волны, излучаемые акустическими преобразователями конечных размеров, имеют фронты, отличающиеся от плоских, вследствие чего законы распространения волн дифракции отличаются от приводимых. Тем не менее для лучшего понимания свойств волн дифракции целесообразно представлять падающую волну в виде плоской. [10]
Считают, что дифрагированный луч возникает лишь в том случае, если система плоскостей ароматических структур веществ углей находится в отражающем положении. При освещении монохроматическим пучком лучей возникают дифрагированные лучи, интенсивность которых измеряется счетчиком. Интенсивности полосы 100 могут служить мерой величины углеродных ароматических сеток, а полосы 002 - их пространственной ориентацией. [11]
![]() |
Схемы, иллюстрирующие условия дифракции электронов в тонком кристалле. [12] |
При этом интенсивность дифрагированного луча значительно меньше интенсивности первичного. [13]
Для данного направления дифрагированного луча векторы k / 2it, проведенные от диска источника в точку Р к соответствующей сфере Эвальда, определяют сечение оболочки Эвальда в форме диска. [14]
R есть направляющие косинусы дифрагированного луча. [15]