Cтраница 4
Хорошо известно, что качественные кристаллы с постоянной величиной коэффициента преломления могут быть получены из конгруэнтного расплава, так как только в этом случае состав кристалла практически не зависит от колебаний температуры на фронте кристаллизации и от уменьшения массы расплава в ходе кристаллизации. [46]
Процесс абсорбции газа расплавом можно разбить на три последовательные стадии: 1) подвод вещества из ядра газового потока к поверхности раздела фаз; 2) прохождение газа через поверхность раздела фаз; эта стадия очень мало освещена в литературе; 3) отвод растворившихся частиц в массу расплава. Для таких газов, как хлор и хлористый водород, труднорастворимых в хло-ридных расплавах, первая из этих стадий не может быть лимитирующей. [47]
Положение дугообразного выреза в секторе. [48] |
Масса расплава при одинаковой толщине стенок проходит за одинаковое время одинаковые отрезки пути. Поэтому скорость охлаждения и перемещения расплава и, следовательно, напряжение сдвига и ориентация одинаковы по окружностям, расположенным концентрически вокруг литника. [49]
При контакте охлажденного тела с перегретым расплавом ( tp iKp) на его поверхности первоначально тоже образуется кристаллический слой. Далее, если масса расплава достаточно велика по сравнению с массой твердого тела, то температура последнего становится выше температуры кристаллизации, и образовавшийся ранее кристаллический слой оплавляется. [50]
Выращиванию кристалла постоянного диаметра в большинстве методов предшествует выращивание конусной части. Расходуемую на ее образование массу расплава в расчетах не учитывают. Поэтому в расплав вводят дополнительное количество материала с тем, чтобы после выхода монокристалла на постоянный диаметр программированный рост монокристалла начался при наличии в тигле расчетной массы расплава. [51]
As и тем более важную роль играют процессы диффузии. Точно так же чем больше масса расплава, тем длиннее диффузионный путь, а отсюда вытекает и зависимость А от dQ / dT и массы расплава. [52]
Выдержка под давлением ( отрезок be на рис. 7.4) обычно продолжается до тех пор, пока расплав в центральной части впускного литника не охладится ниже температуры текучести. Так как после охлаждения литника масса расплава в формующей полости больше не изменяется ( при отводе сопла вытекания расплава не происходит), исходные значения температуры и давления расплава в точке с определяют последующее изменение линейных размеров изделия при охлаждении. Чем больше выдержка под давлением, тем сильнее понижается температура расплава в формующей полости, поэтому при последующем охлаждении размеры изделия изменяются меньше. То же наблюдается при повышении давления в форме. [53]
Особенностью указанных новых методов является то, что энергию на расплавления шихты и на нагрев сплавало температуры, при которой осуществляется восстановление А1 и Si из их оксидов получают за счет окисления части получаемого продукта, которую специально оставляют в жидком виде при удалении продукта из плавильного агрегата. При окислении части оставляемого продукта увеличивается масса расплава из оксидов А1 и Si, на восстановление которой потребуется дополнительные затраты энергии. Но эта затрата окупается тем, что при операции восстановления А1 и Si из оксидов образуется отводимый из плавильного агрегата газ, химическая и физическая энергия которого может быть полезно реализована. [54]
Примерами конструкций, реализующих такие воздействия, могут служить виброразбрызгиватели [46, 63], в которых вибратор действует на мембрану, погруженную в расплав ( рис. V.13, а), либо непосредственно на днище разбрызгивателя ( рис. V.13, б), и сообщает ему осевые колебания. При этом, однако, в колебательное движение вовлекается вся масса расплава и, вследствие сил инерции, давление жидкости перед отверстиями истечения зависит от их расположения на перфорированном днище. [56]
Направленная кристаллизация расплава, содержащегося в тигле.| Кристаллизация расплава на охлаждаемый стержень. [57] |
В части расплава, окружающей охлаждаемый стержень, создается таким образом область переохлаждения. При этом достигается тепловое равновесие между теплом, поступающим в массу расплава от внешнего источника ( печь), и теплом, отводимым через слой кристаллов к водоох-лаждаемому стержню. [58]
Фазовая диаграмма простой эвтектической двухкомпонентной системы представлена на рис. 15.1. На этой диаграмме кривая XY представляет собой кривую кристаллизации вещества А в присутствии некоторого количества вещества В, а кривая ZY - кривую кристаллизации вещества В, к которому добавлено некоторое количество вещества А. В точке Y твердые А и В находятся в равновесии с массой расплава. В этой точке существуют одновременно три фазы, и система не имеет степеней свободы. Точка Y называется эвтектической точкой. [59]
Исследования влияния магнитного поля на расплав показали, что к числу основных достоинств метода относится уменьшение конвективных потоков и колебаний температуры в расплаве. Кроме того, магнитное поле вызывает изменение вязкости расплава, практически прекращается перемешивание массы расплава, что ограничивает транспортировку кислорода от стенок тигля в подкрис-тальную плоскость. В этих условиях концентрация кислорода снижается до значений 5 Ю17 ат / см3 и обеспечивается равномерный характер его распределения по длине кристалла. Расширяется также диапазон УЭС выращиваемых монокристаллов до 1000 Ом см для п-типа электропроводности ( до термической обработки) и снижается скорость растворения кварцевого тигля. Применение вертикального магнитного поля напряженностью 1000 Гс для кремния снижает температурные колебания от 18 до 0 5 К. Следствием этого является снижение микронеоднородности распределения УЭС в объеме кристаллов с 25 - 40 % в обычных кристаллах до 5 % в кристаллах, полученных методом MCZ. Полученные результаты убедительно свидетельствуют о широких возможностях воздействия на качество получаемых монокристаллов магнитного поля. [60]